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    有機分子メモリ
    4.
    发明专利
    有機分子メモリ 有权
    有机分子记忆

    公开(公告)号：JP2015065220A

    公开(公告)日：2015-04-09

    申请号：JP2013196983

    申请日：2013-09-24

    Applicant: 株式会社東芝

    Inventor： 田中 裕介 ,  西沢 秀之 ,  服部 繁樹 ,  浅川 鋼児

    IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  C07C211/52 ,  H01L27/28

    CPC classification number: H01L51/0595 ,  G11C13/0014 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0051 ,  H01L51/0098 ,  H01L51/105 ,  H01L51/5004 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/552

    Abstract: 【課題】整流性を有し、ON/OFF比の向上を可能にする有機分子を備える有機分子メモリを提供する。 【解決手段】実施形態の有機分子メモリは、第1の導電層と、第2の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられ、有機分子を有し、有機分子が、第1の導電層と結合するリンカー基と、リンカー基と結合するπ共役系鎖と、リンカー基の反対側でπ共役系鎖と結合し第2の導電層と対向するフェニル基を有し、π共役系鎖は1重結合と、2重結合または3重結合が交互に結合し、炭素数が12個より大きく46個以下であり、π共役系鎖の結合方向に対し非線対称な配置の電子吸引基または電子供与基を含み、フェニル基が置換基R0、R1、R2、R3、R4を有し、置換基R0が電子吸引基または電子供与基である、有機分子層と、を備える。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供可矫正的有机分子记忆体，并具有能够提高ON / OFF比率的有机分子。解决方案：根据实施方案的有机分子存储器包括：第一导电层; 第二导电层; 以及设置在第一和第二导电层之间的有机分子层。 有机分子层具有有机分子。 有机分子包括：与第一导电层键合的连接基团; 一个 与连接基团键合的共轭链; 和与pp结合的苯基; 并且位于与第二导电层相对的位置。 在＆pgr 共轭链，单键和双键或三键交替，并且碳原子数不小于12但不大于46.有机分子层包括电子吸引子基团或给电子基团相对于 键合方向 共轭链。 苯基具有取代基R 0，R 1，R 2，R 3和R 4。 取代基R 0是吸电子基团或给电子基团。

    Organic molecular memory and manufacturing method thereof
    6.
    发明专利
    Organic molecular memory and manufacturing method thereof 有权
    有机分子记忆及其制备方法

    公开(公告)号：JP2012204446A

    公开(公告)日：2012-10-22

    申请号：JP2011065527

    申请日：2011-03-24

    Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

    Inventor： HAYASHI TETSUYA ,  NISHIZAWA HIDEYUKI

    IPC: H01L51/05 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

    CPC classification number: H01L51/0098 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/0595

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic molecule memory controlling a current flowing in a memory cell, and having a stable action and high reliability.SOLUTION: An organic molecule memory comprises a first electrode; a second electrode formed of a material different from that of the first electrode; and an organic molecule layer provided between the first electrode and the second electrode, one end of a resistance change type molecular chain constituting the organic molecule layer being chemically coupled with the first electrode and an air gap being present between the other end of the resistance change type molecule chain and the second electrode.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供控制在存储单元中流动的电流并且具有稳定动作和高可靠性的有机分子存储器。 解决方案：有机分子存储器包括第一电极; 由不同于第一电极的材料形成的第二电极; 以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机分子层，构成所述有机分子层的电阻变化型分子链的一端与所述第一电极化学偶联，并且气隙存在于所述电阻变化的另一端之间 型分子链和第二电极。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

    Field-effect transistor and a method of manufacturing the same
    9.
    发明专利
    Field-effect transistor and a method of manufacturing the same 有权

    公开(公告)号：JP4904696B2

    公开(公告)日：2012-03-28

    申请号：JP2005038910

    申请日：2005-02-16

    Applicant: 日本電気株式会社

    Inventor： 良之 宮本 ,  孝純 河合

    IPC: H01L29/80 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0595

    Abstract: To realize a transistor with a channel and a gate, both being formed with nanotubes, by joining the nanotubes in the form of SP3 bonding, a substrate, on which a pair of source and drain electrodes 27, and a gate terminal 28 are formed, is prepared (Fig. (a)), and then a catalytic layer 20 is formed at the one of the source and drain electrodes 27 (Fig. (b)). A first CNT 23 is formed (Fig. (d)) between the pair of source and drain electrodes 27 by growing the CNT (Fig. (c)) in which the catalytic layer 20 is a core. A second CNT 24 is picked by a holding means 25, and after a cap is eliminated and an opening portion is cleaned using the electron beam as needed, the opening portion is contacted to the side of the first CNT 23, thereby joining the two CNT (fig. (e)). The other end portion of the second CNT 24 is positioned at the gate terminal 28 (Fig. (f)). End portions of the CNT are fixed on the electrodes and the terminal by selectively irradiating metallic ion.

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