公开(公告)号：JP6023188B2

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：JP2014517611

申请日：2012-06-21

申请人： シン フイルム エレクトロニクス エイエスエイ

发明人： カールソン,クリスター ,  ハーゲル,オレ ジョニー ,  ニルソン,ヤコブ ,  ブレムス,ペル

IPC分类号： H01L27/28 ,  H01L51/05 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H05K1/02 ,  H05K3/28

CPC分类号： G11C11/22 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/285 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/80 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0575 ,  Y10T29/49155

公开(公告)号：JP5850725B2

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：JP2011264536

申请日：2011-12-02

申请人： 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 金 鎬正 ,  申 在光 ,  崔 賢植 ,  丁 亨洙

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C7/12 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C7/04 ,  G11C7/062 ,  G11C2207/002

公开(公告)号：JP5405040B2

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：JP2008095402

申请日：2008-04-01

申请人： プラスティック ロジック リミテッド

发明人： テスラー、ニール ,  シリングホース、ヘニング ,  フレンド、リチャード、ヘンリー

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  G11C13/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/15 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L31/153 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

CPC分类号： B82Y10/00 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/141 ,  C08G2261/212 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/92 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/305 ,  H01L27/3274 ,  H01L31/153 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/428 ,  Y02E10/549

公开(公告)号：JP5324042B2

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：JP2006508956

申请日：2004-03-01

申请人： スパンション エルエルシー

发明人： ブイ． オグレズビー ジェーン ,  エフ． リヨンズ クリストファー ,  サブラマニアン ランクマー ,  ティー． ヒューイ アンジェラ ,  バン エヌジーオー ミン ,  パングル スゼット

IPC分类号： H01L51/40 ,  G11C11/56 ,  G11C13/02 ,  H01L21/368 ,  H01L27/10 ,  H01L27/28 ,  H01L49/00 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0084 ,  H01L51/0085 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/944

摘要： A method of making organic memory cells made of two electrodes with a controllably conductivce media between the two electrodes is disclosed. The controllably conductive media contains an organic semiconductor layer and passive layer. The organic semiconductor layer is formed using spin-on techniques with the assistance of certain solvents.

公开(公告)号：JP2013149973A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：JP2013002334

申请日：2013-01-10

申请人： Xerox Corp ,  ゼロックス コーポレイションXerox Corporation ,  National Research Council Of Canada ,  ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ

发明人： RICHARD L MCCREERY ,  LIAN C T SHOUTE ,  WU YILIANG

IPC分类号： H01L27/28 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC分类号： G11C13/0016 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/53 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/14

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a non-volatile memory with flexibility, reduced power consumption, a high write/erase speed, a long cycle life, and low manufacturing costs.SOLUTION: A non-volatile memory device includes at least a first electrode R1 and a second electrode R2 provided on a substrate, the first and second electrodes being separated from each other; an organic semiconductive polymer electrically connecting the first electrode R1 and the second electrode R2; an electrolyte in contact with the organic semiconductive polymer; and a third electrode that is not in contact with the first electrode R1, the second electrode R2, or the organic semiconductive polymer. The organic semiconductive polymer has a first redox state in which it exhibits a first conductivity, and a second redox state in which it exhibits a second conductivity.

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有灵活性，降低功耗，高写/擦速度，长循环寿命和低制造成本的非易失性存储器。解决方案：非易失性存储器件至少包括第一电极 R1和设置在基板上的第二电极R2，第一和第二电极彼此分离; 电连接第一电极R1和第二电极R2的有机半导体聚合物; 与有机半导体聚合物接触的电解液; 以及不与第一电极R1，第二电极R2或有机半导体聚合物接触的第三电极。 有机半导体聚合物具有第一氧化还原状态，其中它呈现出第一导电性，第二氧化还原态呈现出第二导电性。

公开(公告)号：JP2013115388A

公开(公告)日：2013-06-10

申请号：JP2011263099

申请日：2011-11-30

申请人： Toshiba Corp ,  株式会社東芝

发明人： TADA TSUKASA ,  NISHIZAWA HIDEYUKI

IPC分类号： H01L51/05 ,  C07C323/31 ,  C07D219/02 ,  C07D333/20 ,  C07D333/32 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L51/30

CPC分类号： H01L45/14 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/53 ,  G11C2213/77 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0098 ,  H01L51/0591

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic molecule memory having excellent memory retention characteristics.SOLUTION: The organic molecule memory includes a first conductive layer, a second conductive layer, and an organic molecule layer provided between the first conductive layer and second conductive layer, and containing an organic molecule selected from a molecule group simultaneously satisfying, in a molecular system having a molecular skeleton where a π electron system is spreading along the molecular axis, (I) any one of the highest occupied molecular orbit (HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbit (LUMO) is delocalized along the molecular axis and the other is localized along the molecular axis, and (II) the highest occupied molecular orbit (HOMO) energy level of molecule has a value of -5.75 eV or more.

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有优异记忆保持特性的有机分子记忆体。 解决方案：有机分子存储器包括第一导电层，第二导电层和设置在第一导电层和第二导电层之间的有机分子层，并且包含选自分子群中的有机分子，同时满足 具有分子骨架的分子系统，其中π电子系统沿着分子轴扩展，（I）沿着分子轴将最高占据分子轨道（HOMO）和最低未占分子轨道（LUMO）中的任何一个离域定位， 其他的沿着分子轴定位，（II）分子的最高占据分子轨道（HOMO）能级具有-5.75eV以上的值。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012235144A

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：JP2012151283

申请日：2012-07-05

申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd ,  株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： ABE HIROKO ,  YUGAWA MIKIO ,  NOMURA RYOJI ,  YAMAZAKI SHUNPEI ,  SUZUKI YUKIE

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H01L27/28 ,  H01L45/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L27/2463 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/143 ,  G11C17/16 ,  G11C17/18 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/283 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L51/0098 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device including a nonvolatile storage circuit capable of additional storage, which can be manufactured easily.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a plurality of transistors; a conductive layer serving as a source wire or a drain wire of the transistors; a storage element provided on one of the transistors; and a conductive layer serving as an antenna. The storage element is an element in which a first conductive layer, an organic compound layer or a phase change layer, and a second conductive layer are sequentially stacked. The conductive layer serving as the antenna and the conductive layer serving as the source wire or the drain wire of the transistors are provided on the same layer.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种包括能够容易地制造的能够附加存储的非易失性存储电路的半导体器件。 解决方案：半导体器件包括：多个晶体管; 用作晶体管的源极线或漏极线的导电层; 设置在所述晶体管中的一个上的存储元件; 以及用作天线的导电层。 存储元件是依次堆叠第一导电层，有机化合物层或相变层和第二导电层的元件。 用作天线的导电层和用作晶体管的源极线或漏极线的导电层设置在同一层上。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012204434A

公开(公告)日：2012-10-22

申请号：JP2011065295

申请日：2011-03-24

申请人： Toshiba Corp ,  株式会社東芝

发明人： NISHIZAWA HIDEYUKI ,  YOSHIMURA REIKO ,  TADA TSUKASA ,  HATTORI SHIGEKI ,  TERAI KATSUYA ,  MIKOSHIBA SATOSHI ,  ASAKAWA KOUJI

IPC分类号： H01L51/05 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/28 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L45/00 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/53 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/0098 ,  H01L51/0595

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic molecular memory with an excellent charge retaining characteristic.SOLUTION: An organic molecular memory according to one embodiment comprises: a first conductive layer; a second conductive layer; and an organic molecule layer provided between the first conductive layer and the second conductive layer, and including a charge storage type molecular chain or a resistance change type molecular chain, the charge storage type molecular chain or the resistance change type molecular chain including a condensed polycyclic group.

摘要翻译： 要解决的问题：提供具有优异的电荷保持特性的有机分子存储器。 解决方案：根据一个实施方案的有机分子存储器包括：第一导电层; 第二导电层; 以及设置在第一导电层和第二导电层之间的有机分子层，并且包括电荷存储型分子链或电阻变化型分子链，电荷存储型分子链或电阻变化型分子链包括缩合多环 组。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP4995422B2

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：JP2004549920

申请日：2003-07-10

申请人： スパンション エルエルシー

发明人： オコロアンヤンウ ウゾディンマ ,  ケイ． パングル スゼット ,  エイチ． トリプサス ニコラス ,  エイ． バンブスカーク マイケル

IPC分类号： H01L51/05 ,  G11C11/56 ,  G11C13/02 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L27/28 ,  H01L51/00 ,  H01L51/30

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0016 ,  H01L27/28 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0041 ,  H01L51/0077 ,  H01L51/0078

公开(公告)号：JP4974462B2

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：JP2004549921

申请日：2003-07-10

申请人： スパンション エルエルシー

发明人： エス． ビル コリン ,  ラン チーダ ,  ファン ツー−ニン ,  エイ． バンブスカーク マイケル

IPC分类号： H01L27/10 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  G11C13/02 ,  G11C16/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/28 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/87 ,  H01L51/05

CPC分类号： G11C13/0014 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/5664 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77