公开(公告)号：KR102236159B1

公开(公告)日：2021-04-05

申请号：KR1020170055486A

申请日：2017-04-28

Applicant: 코오롱인더스트리 주식회사

Inventor： 민명기

IPC: H01M8/1004 ,  H01M4/90

CPC classification number: H01M8/1004 ,  H01M4/9033 ,  H01M4/9083 ,  Y02E60/50

Abstract: 서로 대향하여 위치하는 캐소드 전극과 애노드 전극; 및 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극의 사이에 위치하는 고분자 전해질 막을 포함하고, 상기 캐소드 전극과 상기 애노드 전극은 각각 전극 기재; 상기 전극 기재 위에 위치하는 미세기공층; 및 상기 미세기공층 위에 위치하는 제1 촉매층을 포함하고, 상기 제1 촉매층과 상기 고분자 전해질 막 사이에는 적어도 하나의 제2 촉매층이 위치하고, 상기 제2 촉매층은 반응유도 물질을 포함하며, 상기 반응유도 물질은 Ir, Ru, Ir
a Ru
b , Ir
c Ru
d M
e , Ir
f M
g , Ru
f M
g , 및 이들의 조합에서 선택되는 금속 또는 합금이거나, IrO
x , RuO
x , Ir
a Ru
b O
x , Ir
c Ru
d M
e O
x , Ir
f M
g O
x , Ru
f M
g O
x , 및 이들의 조합에서 선택되는 산화물인 연료전지용 막-전극 어셈블리가 제공된다.
(M, a, b, c, d, e, f, g 및 x는 명세서에 정의된 바와 같다.)

公开(公告)号：KR20210036165A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020190118285A

申请日：2019-09-25

Applicant: 울산과학기술원

Inventor： 김건태 ,  김선아

IPC: H01M8/1213 ,  H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M8/124 ,  H01M8/1246

CPC classification number: H01M8/1213 ,  H01M4/861 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/8803 ,  H01M4/885 ,  H01M4/8889 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/1246 ,  H01M2008/1293

Abstract: 본 발명은, 전기화학 성능이 우수하고, 열적 안정성이 높으며 제조 공정과 비용을 감소시킬 수 있는 자가 변환 고체 산화물 전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 자가 변환 고체 산화물 전지는, 애노드; 상기 애노드를 마주보고 배치되는 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 배치되는 전해질;을 포함하고, 상기 애노드와 상기 캐소드는 동일한 고체 산화물을 포함하여 구성되고, 제조 직후에는 제1 결정 구조를 동일하게 가지고, 상기 애노드는 대기에 적응하여 이루어지는 자가 변환에 의하여 상 변이됨으로써 상기 제1 결정 구조와는 다른 제2 결정 구조를 가진다.

公开(公告)号：KR102234412B1

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020190098035A

申请日：2019-08-12

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 심준형 ,  김동환 ,  최형종

IPC: H01M4/86 ,  H01M4/90 ,  H01M8/12

CPC classification number: H01M4/8642 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/12 ,  Y02E60/50 ,  Y02P70/50

Abstract: 본 발명은 양극 재료를 포함하는 다공성의 양극 구조체; 및 상기 양극 구조체 외표면에 배치된 보호층; 을 포함하고, 상기 보호층은 아일랜드(island) 형태를 갖는 복수의 보호 입자를 포함하는 연료전지용 양극 및 이의 제조방법을 제공한다.

公开(公告)号：JP2018532237A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2018519745

申请日：2016-10-28

Applicant: エルジー フューエル セル システムズ インク ,  LG FUEL CELL SYSTEMS INC.

Inventor： リウ,ジエン ,  ジュン,フワ ヤン ,  シン,ゼンリャン ,  ゲトラー,リチャード ダブリュ.

IPC: H01M4/88 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/0215 ,  H01M4/86

CPC classification number: H01M4/9033 ,  H01M4/8652 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/8663 ,  H01M4/8673 ,  H01M4/8817 ,  H01M4/9016 ,  H01M8/12 ,  H01M2004/8689 ,  H01M2008/1293

Abstract: 幾つかの諸例では、電解質と:カソードバリア層と;及び、前記カソードバリア層により、前記電解質から分離されたニッケレート複合カソードとを備えてなる燃料電池である。前記ニッケレート複合カソードは、ニッケレート化合物及びイオン導電材とを含んでなる。前記ニッケレート化合物が、Pr 2 NiO 4 、Nd 2 NiO 4 、(Pr u Nd v ) 2 NiO 4 、(Pr u Nd v ) 3 Ni 2 O 7 、(Pr u Nd v ) 4 Ni 3 O 10 、又は(Pr u Nd v M w ) 2 NiO 4 、の少なくとも一つを含んでなり、上記式中、MはPr及びNdのA‐サイトにドープされたアルカリ土類金属である。前記イオン導電材は、一般式(A x B y )Ce 1-x-y O 2 〔式中、第1の共ドープされたセリアのA及びBは、希土類金属である〕を有する第1の共ドープされたセリアを含んでなり、前記カソードバリア層は、一般式(A x B y )Ce 1-x-y O 2 〔式中、第2の共ドープされたセリアのA及びBの少なくとも1つはPr又はNdである〕を有する第2の共ドープされたセリアを含んでなる。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP6412957B2

公开(公告)日：2018-10-24

申请号：JP2016568298

申请日：2015-12-09

Applicant: 三井金属鉱業株式会社

Inventor： 井手 慎吾 ,  阿武 裕一 ,  井筒 靖久 ,  大村 淳 ,  石井 林太郎 ,  加畑 実

IPC: H01M8/12 ,  C04B35/50 ,  H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01M8/1246

CPC classification number: H01M4/9033 ,  C01B33/20 ,  C01B35/128 ,  C01P2002/30 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/01 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/50 ,  H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01B13/00 ,  H01M4/8875 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12

公开(公告)号：JP6394751B2

公开(公告)日：2018-09-26

申请号：JP2017123901

申请日：2017-06-26

Applicant: TOTO株式会社

Inventor： 新美 泰之 ,  石黒 明 ,  安藤 茂 ,  川上 晃 ,  島津 めぐみ ,  高橋 悠也

IPC: H01M8/12 ,  H01M4/86

CPC classification number: H01M4/8885 ,  H01M4/8621 ,  H01M4/8652 ,  H01M4/8828 ,  H01M4/8889 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/1213 ,  H01M8/1253 ,  H01M2008/1293 ,  Y02E60/521 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

公开(公告)号：JP6317222B2

公开(公告)日：2018-04-25

申请号：JP2014192936

申请日：2014-09-22

Applicant: 日本特殊陶業株式会社

Inventor： 森川 哲也 ,  堀田 信行

IPC: H01M8/12 ,  H01M8/02 ,  H01M8/2465

CPC classification number: H01M8/248 ,  H01M4/9033 ,  H01M4/9066 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12 ,  H01M8/1253 ,  H01M8/126 ,  H01M8/24 ,  H01M8/2432 ,  H01M2008/1293

公开(公告)号：JP6265514B2

公开(公告)日：2018-01-24

申请号：JP2016545953

申请日：2014-09-30

Applicant: サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド

Inventor： モルテザ・ザンディ

IPC: H01M8/12 ,  H01M4/86 ,  H01M8/2404

CPC classification number: H01M4/9033 ,  H01M4/9066 ,  H01M8/006 ,  H01M8/0232 ,  H01M8/0236 ,  H01M8/0243 ,  H01M8/0297 ,  H01M8/2425 ,  H01M8/2457 ,  H01M2008/1293

公开(公告)号：JP6261668B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2016133297

申请日：2016-07-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 藤崎 真司 ,  山村 嘉彦 ,  龍 崇 ,  大森 誠

IPC: C01G49/00 ,  C01G51/00 ,  H01M4/90 ,  H01M8/02 ,  H01M8/12 ,  H01M4/86

CPC classification number: H01M4/9033 ,  C04B35/00 ,  H01M4/8605 ,  H01M4/8668 ,  H01M8/1253 ,  H01M2008/1293 ,  Y02E60/525 ,  Y02P70/56

公开(公告)号：JP6252973B2

公开(公告)日：2017-12-27

申请号：JP2013179937

申请日：2013-08-30

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 千尋 平岩 ,  千尋 平岩 ,  奈保 水原 ,  奈保 水原 ,  真嶋　正利 ,  正利 真嶋 ,  孝浩 東野 ,  孝浩 東野 ,  愛子 富永 ,  愛子 富永 ,  順次 飯原 ,  順次 飯原

IPC: H01M4/86 ,  B01J23/74 ,  B01J37/02 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M8/12

CPC classification number: H01M4/9025 ,  H01M4/8652 ,  H01M4/8657 ,  H01M4/885 ,  H01M4/8875 ,  H01M4/9033 ,  H01M8/12 ,  H01M2004/8684 ,  H01M2008/1293