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公开(公告)号：JP2018182818A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017075129
申请日：2017-04-05
申请人： 富士電機株式会社
发明人： 荒木 龍
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/687 , H02M1/08
CPC分类号： H02M1/08 , H02M1/088 , H02M7/521 , H02M7/538 , H02M2001/0051 , H03K17/16 , H03K17/161 , H03K17/165
摘要： 【課題】スイッチング素子の低損失化と、スイッチング時にVB−VS間電圧が瞬間的に低下する現象への対策を両立したスイッチング素子駆動装置を提供する。 【解決手段】ゲート駆動能力決定部15の駆動能力変更回路26は、上アーム駆動回路16からMOSトランジスタ11をターンオンするゲート駆動信号を受けたとき、高い駆動能力でMOSトランジスタ11を駆動し、スイッチング損失を低減する。それにより流れるMOSトランジスタ11の出力電流は、出力電流検出回路21によって検出され、比較器24にてサンプルホールド回路23が保持していた前回のスイッチングのときのMOSトランジスタ11の出力電流と比較される。今回検出した出力電流が前回の出力電流に到達したとき、駆動能力変更回路26は、MOSトランジスタ11を低い駆動能力で駆動し、下アームの還流ダイオード14の逆回復電流の変化を抑制する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6392421B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2017147555
申请日：2017-07-31
申请人： エルエス産電株式会社 , LSIS CO.,LTD.
CPC分类号： H02J3/1842 , H02J3/1857 , H02M1/088 , H02M7/49 , H02M2001/0054 , H02M2001/325 , H02M2007/4835 , Y02B70/1491 , Y02E40/26
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公开(公告)号：JP6371412B2
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：JP2016568208
申请日：2015-01-07
申请人： 東芝三菱電機産業システム株式会社
IPC分类号： H03K17/725
CPC分类号： H03K17/136 , H02M1/088 , H02M1/32 , H02M5/25 , H03K17/0403 , H03K17/08124 , H03K17/13 , H03K17/66 , H03K17/725 , H04Q3/52
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公开(公告)号：JP2018117457A
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：JP2017007129
申请日：2017-01-18
申请人： 富士電機株式会社
发明人： 佐々木 雅浩
CPC分类号： H03K17/0828 , G01R31/025 , H02M1/088 , H02M1/32 , H03K17/166 , H03K17/168 , H03K17/567
摘要： 【課題】絶縁ゲート型のパワー半導体素子の短絡時におけるゲート電圧の発振を防止し得るパワー半導体モジュールを提供する。 【解決手段】絶縁ゲート型のパワー半導体素子と、入力信号に応じて前記パワー半導体素子に加えるゲート電圧を制御して前記パワー半導体素子をオン・オフ駆動する駆動回路とを具備し、前記駆動回路は、前記パワー半導体素子に加えるゲート電圧を変化させる可変抵抗回路と、前記パワー半導体素子の通常動作時には前記可変抵抗回路の抵抗値を所定値に保つと共に、前記パワー半導体素子の短絡状態を検出したときには前記可変抵抗回路の抵抗値を前記所定値よりも増大させて前記パワー半導体素子における発振を防止する短絡状態検出回路とを備える。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP6349855B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2014066596
申请日：2014-03-27
申请人： 株式会社デンソー
发明人： 長瀬 拓生
CPC分类号： H03K17/0828 , H02M1/08 , H02M1/088 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H02M2001/0054 , H03K17/168 , H03K17/30 , H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/6877 , H03K2217/0036 , Y02B70/1491
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公开(公告)号：JP6312852B2
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：JP2016557378
申请日：2014-11-04
申请人： 三菱電機株式会社
CPC分类号： H02P27/085 , G05B11/28 , H02K5/18 , H02M1/088 , H02M7/48 , H02M7/5387 , H02M7/5395 , H02M2001/327 , H02M2007/53876 , H02P29/68
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公开(公告)号：JP6295982B2
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：JP2015038913
申请日：2015-02-27
申请人： 株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社
CPC分类号： H03K3/017 , H02M1/08 , H02M1/088 , H02M3/157 , H02M3/158 , H02M2003/1586 , H03K5/19 , H03K17/687
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公开(公告)号：JP2018042188A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016176636
申请日：2016-09-09
申请人： 株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
CPC分类号： H02M3/158 , H02M1/088 , H02M1/38 , H02M3/156 , H03K17/06 , H03K17/122 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036
摘要： 【課題】安定したスイッチング動作と消費電力の抑制が可能なスイッチングユニットを提供する。 【解決手段】スイッチングユニット10は、ノーマリオン型の第1スイッチング素子Q1と、第1スイッチング素子に直列に接続されたノーマリオフ型の第2スイッチング素子Q2と、第1スイッチング素子のゲートに接続されたコンデンサC1と、アノードがコンデンサと第1スイッチング素子のゲートとの間に接続され、カソードが第1スイッチング素子のソースに接続された第1ダイオードD1と、を備える。コンデンサの容量Cbの値が、下記の式で算出された値以上である。 但し、CdはD1の容量、G1はQ1の電圧増幅度、及びG2はQ2の電圧増幅度、である 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2017200262A
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016087169
申请日：2016-04-25
申请人： 株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H02P29/68 , H02M3/158 , H02M7/5387 , H02P27/06 , H05K7/20927 , H05K7/20945 , H02M1/088 , H02M2001/007 , H02M2001/008 , H02M2001/327
摘要： 【課題】 電流アンバランス状態を考慮して電力変換回路の過熱保護制御を行うことができる電力変換装置を提供する。 【解決手段】 電力変換装置は、電源3から供給される電力を変換して出力する電力変換回路2と、電力変換回路2を制御する制御部8と、を備える。電力変換回路2は、電源3の高電位側配線3aに接続された上アーム2aと電源3の低電位側配線3bに接続された下アーム2bとのそれぞれの2つの半導体素子11,11が互いに並列接続された並列接続相6cを有し、制御部8は、並列接続相6cの下アーム2bの2つの半導体素子11,11の全ての素子温度についての温度情報を検出し、検出した温度情報に基づいて電力変換回路2の過熱保護制御を行う。 【選択図】 図3
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公开(公告)号：JP2017195255A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016083935
申请日：2016-04-19
申请人： 株式会社デンソー
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/473 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/3114 , H01L23/4012 , H01L23/473 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L25/07 , H01L27/0623 , H02M7/003 , H01L2224/32245 , H01L23/3107 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M1/088 , H02M2001/327 , H02M7/537 , H02P27/06
摘要： 【課題】スイッチング素子が熱的影響を受けにくい半導体モジュールを提供する。 【解決手段】電力変換装置1の半導体モジュール11は、互いに並列接続され且つ同一のリードフレーム16に設けられたIGBT14及びMOSFET15を備え、リードフレーム16においてIGBT14及びMOSFET15のいずれか一方である第1スイッチング素子の通電経路から外れた位置に他方である第2スイッチング素子が配置されるように構成されている。 【選択図】図3
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