公开(公告)号：JP6416062B2

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：JP2015178582

申请日：2015-09-10

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 北川 光彦

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6878

公开(公告)号：JP6408146B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2017519031

申请日：2016-02-22

申请人： シャープ株式会社

发明人： 仲嶋 明生 ,  一條 尚生

IPC分类号： H01L27/04 ,  H02M7/48 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8236 ,  H01L27/088 ,  H01L21/822

CPC分类号： H03K17/082 ,  H01L21/822 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L27/04 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H02M7/003 ,  H03K17/0828 ,  H03K17/107 ,  H03K17/567 ,  H03K19/003 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2018148745A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2017043801

申请日：2017-03-08

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 山内 一輝 ,  千田 康隆

IPC分类号： H02M7/48 ,  H02M1/08

CPC分类号： H02M1/08 ,  H02M7/48 ,  H03K17/16 ,  H03K17/567

摘要： 【課題】複数の半導体スイッチを並列駆動する構成において、LC共振を抑制しつつ導通制御端子の電圧検出精度を維持できる半導体スイッチの駆動装置を提供する。 【解決手段】2つの下アームスイッチSL1,SL2を並列駆動する駆動回路DrLにおいて、ゲート端子Gc,Gd及びGhをスイッチSLのゲートに接続する。前記ゲートに、スイッチSLをターンオンする際に充電電流を流す充電スイッチ30及び充電用端子Gcを含む充電経路Lt,Lchと、スイッチSLのゲート及びエミッタ間に、スイッチSLをターンオフする際に放電電流を流す放電スイッチ36及び放電用端子Gdを含む放電経路Ldisとを備える。ダイオード33は前記充電経路の一部を形成する充電側ループ経路C1〜C3に配置され、オンすると充電電流を流す。ダイオード34,51は前記放電経路の一部を形成する放電側ループ経路D1〜D3に配置され、オンすると放電電流を流す。ゲート電圧検出部55をダイオード51のカソード側に接続し、抵抗素子52をダイオード51に並列接続する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018117457A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017007129

申请日：2017-01-18

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 佐々木 雅浩

IPC分类号： H03K17/08 ,  H02M1/00 ,  H02M1/08

CPC分类号： H03K17/0828 ,  G01R31/025 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H03K17/166 ,  H03K17/168 ,  H03K17/567

摘要： 【課題】絶縁ゲート型のパワー半導体素子の短絡時におけるゲート電圧の発振を防止し得るパワー半導体モジュールを提供する。 【解決手段】絶縁ゲート型のパワー半導体素子と、入力信号に応じて前記パワー半導体素子に加えるゲート電圧を制御して前記パワー半導体素子をオン・オフ駆動する駆動回路とを具備し、前記駆動回路は、前記パワー半導体素子に加えるゲート電圧を変化させる可変抵抗回路と、前記パワー半導体素子の通常動作時には前記可変抵抗回路の抵抗値を所定値に保つと共に、前記パワー半導体素子の短絡状態を検出したときには前記可変抵抗回路の抵抗値を前記所定値よりも増大させて前記パワー半導体素子における発振を防止する短絡状態検出回路とを備える。 【選択図】 図1

公开(公告)号：JP6349855B2

公开(公告)日：2018-07-04

申请号：JP2014066596

申请日：2014-03-27

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 長瀬 拓生

IPC分类号： H03K17/08 ,  H02M1/08

CPC分类号： H03K17/0828 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02M2001/0009 ,  H02M2001/0054 ,  H03K17/168 ,  H03K17/30 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687 ,  H03K17/6877 ,  H03K2217/0036 ,  Y02B70/1491

公开(公告)号：JPWO2017150036A1

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2017003192

申请日：2017-01-30

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 清水 直樹

IPC分类号： H03K17/56 ,  H02M1/08 ,  H03K17/14

CPC分类号： H03K17/14 ,  H02M1/08 ,  H03K17/18 ,  H03K17/28 ,  H03K17/56 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/0806

摘要： 駆動能力や温度によるスイッチング時間の変化を抑制することができる半導体素子の駆動装置を提供する。電圧制御形半導体素子(11)を形成した半導体チップ(10)と、この半導体チップ(10)の温度を検出する温度検出部(21)と、この温度検出部の温度検出値に応じて電圧制御形半導体素子の駆動能力を調整する駆動能力調整部(22)と、温度検出部の温度検出値に応じて電圧制御形半導体素子のスイッチング時間を調整するタイミング調整部(23)とを備えている。

公开(公告)号：JP6314073B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2014219833

申请日：2014-10-29

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： ホーネア,ジェームズ ,  ウー,イフェン

IPC分类号： H02M7/5387 ,  H02M7/48

CPC分类号： H03K17/08142 ,  H03K17/162 ,  H03K17/223 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871

公开(公告)号：JP6300316B2

公开(公告)日：2018-03-28

申请号：JP2014074628

申请日：2014-03-31

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 中島 栄

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H03K17/567 ,  G01R19/0084 ,  G01R31/44 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7825 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H03K3/353 ,  H03K17/687 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JPWO2017119090A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：JP2017559983

申请日：2016-01-07

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 吉田 健太郎

IPC分类号： H03K17/56 ,  H02M1/08

CPC分类号： H02M1/08 ,  H03K17/00 ,  H03K17/567

摘要： コンプリメンタリSEPP回路を安定して動作可能な技術を提供することを目的とする。コンプリメンタリSEPP回路をなすNPNトランジスタQ1及びPNPトランジスタQ2と、第1抵抗及び第2抵抗と、一端が半導体スイッチング素子3のゲートと接続され、他端がNPNトランジスタQ1のベースと接続された第1負荷素子と、一端が半導体スイッチング素子3のゲートと接続され、他端がPNPトランジスタQ2のベースと接続された第2負荷素子とを備える。

公开(公告)号：JP2018022846A

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：JP2016154865

申请日：2016-08-05

申请人： 株式会社デンソー

发明人： 山平 優 ,  松岡 哲矢

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/473 ,  H02M7/48 ,  H01L25/07

CPC分类号： H02M1/08 ,  H01L23/4012 ,  H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/071 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H02M7/003 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/0054 ,  H02P27/06 ,  H03K17/14 ,  H03K17/567 ,  H05K7/209 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00012

摘要： 【課題】複数のスイッチング素子が並列接続された半導体装置において、スイッチング素子のエミッタラインの電位の揺れを小さく抑えるのに有効な技術を提供する。 【解決手段】電力変換装置1の半導体装置11は、複数のスイッチング素子14および複数の還流素子15のうち少なくとも2つずつが樹脂封止されて1つの半導体モジュールを構成しており、複数のスイッチング素子14の基準電位をなすエミッタ電極と、複数の還流素子15の基準電位をなすアノード電極とが、ヒートシンク17によって電気的に接続されており、半導体モジュールに樹脂封止されたなかで最も低電位側の、並列接続されたスイッチング素子14と還流素子15とについて、エミッタ電極に接続されたエミッタ端子11nから還流素子15までの距離がエミッタ端子11nからスイッチング素子14までの距離以下となるように構成されている。 【選択図】図5