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    改善したアイソレーションを有する増幅器
    2.
    发明专利
    改善したアイソレーションを有する増幅器 有权
    放大器，改进的隔离

    公开(公告)号：JP2016504894A

    公开(公告)日：2016-02-12

    申请号：JP2015555234

    申请日：2014-01-22

    申请人： クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated ,  クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated

    发明人： アブデルハレム、シェリフ ,  ビーデルマン・ザ・サード、ウィリアム・ジェームズ

    IPC分类号： H03F3/189

    CPC分类号： H03F1/0205 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/0277 ,  H03F1/22 ,  H03F1/223 ,  H03F1/523 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/22 ,  H03F3/68 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/108 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/541 ,  H03F2203/21142 ,  H03F2203/7206

    摘要： 改善したアイソレーションを有する増幅器が開示される。例示的な設計では、装置(例えば、ワイヤレスデバイス、集積回路、等)は、利得トランジスタ、第1及び第2のカスコードトランジスタ、及び分流トランジスタを有する増幅器を含む。利得トランジスタは、入力信号を受け、増幅信号を供給する。第1のカスコードトランジスタは、利得トランジスタと中間ノードとの間に結合され、増幅信号を受ける。第2のカスコードトランジスタは、中間ノードと出力ノードとの間に結合され、出力信号を供給する。分流トランジスタは、中間ノードと回路接地との間に結合される。第1及び第2のカスコードトランジスタが、出力信号を供給するためにイネーブルにされる。分流トランジスタは、(i)カスコードトランジスタがイネーブルにされたときにディセーブルにされ、(ii)カスコードトランジスタがディセーブルにされたときに、中間ノードを回路接地に短絡させるためにイネーブルにされる。【選択図】図5

    摘要翻译： 具有改进的隔离放大器中被公开。 在示范性设计中，一种设备（例如，无线装置，集成电路等），其中包括所述增益晶体管，所述第一和第二共源共栅晶体管;以及具有并联晶体管的放大器。 增益晶体管接收输入信号并提供放大的信号。 第一共源共栅晶体管耦合所述增益晶体管和中间节点间，接收放大的信号。 所述第二共源共栅晶体管耦合在所述中间节点与所述输出节点之间，并提供一个输出信号。 分路晶体管被耦合在所述中间节点与电路接地之间。 第一和第二级联晶体管被启用以提供输出信号。 当它被使能（i）所述共源共栅晶体管，（ii）当它被禁用，启用了级联晶体管短中间节点到电路接地分路晶体管被禁用。 点域5

    Cascode amplifier with protection circuitry
    4.
    发明专利
    Cascode amplifier with protection circuitry 有权
    带保护电路的CASCODE放大器

    公开(公告)号：JP2014068358A

    公开(公告)日：2014-04-17

    申请号：JP2013233559

    申请日：2013-11-11

    申请人： Qualcomm Incorporated ,  クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated

    发明人： MARCO CASSIA ,  GURKANWAL SINGH SAHOTA

    IPC分类号： H03F1/52 ,  H03F3/195 ,  H03G3/10

    CPC分类号： H03F1/223 ,  H03F1/523 ,  H03F3/211 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/294 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7215 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0088

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To increase reliability of amplifiers implemented with sub-micron transistors.SOLUTION: An amplifier comprises branches 310a, 310b, 310k coupled in parallel, with the branches being switchable between "on" and "off" states. The switchable branches include a transistor 312 coupled to a transistor 314. The transistor 312 amplifies an input signal and provides an amplified signal, and does not amplify the input signal. The transistor 314 buffers the amplified signal and provides an output signal. The output signal swing may be split between the transistor 312 and the transistor 314 with protection circuitry in both the on and off states. The transistors may observe a fraction of the voltage swing. The voltage splitting in the off state may be achieved by floating the gain transistor and shorting the gate and the source of the cascode transistor.

    摘要翻译： 要解决的问题：提高用亚微米晶体管实现的放大器的可靠性。解决方案：放大器包括并联耦合的分支310a，310b，310k，分支可在“开”状态和“关”状态之间切换。 可切换分支包括耦合到晶体管314的晶体管312.晶体管312放大输入信号并提供放大信号，并且不放大输入信号。 晶体管314缓冲放大的信号并提供输出信号。 输出信号摆幅可以分别在晶体管312和晶体管314之间，其中保护电路处于导通和截止状态。 晶体管可以观察到电压摆幅的一小部分。 断开状态下的分压可以通过使增益晶体管浮置并使共栅二极管的栅极和源极短路来实现。

    Power amplifier
    6.
    发明专利
    Power amplifier 审中-公开
    功率放大器

    公开(公告)号：JP2012060550A

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：JP2010203968

    申请日：2010-09-13

    申请人： Mitsubishi Electric Corp ,  三菱電機株式会社

    发明人： YAMAMOTO KAZUYA ,  MIYASHITA MIYO ,  SUZUKI SATOSHI ,  MATSUZUKA TAKAYUKI

    IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/02

    CPC分类号： H03F3/195 ,  H03F1/0277 ,  H03F3/189 ,  H03F3/245 ,  H03F3/72 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/411 ,  H03F2203/7206 ,  H03F2203/7236 ,  H03G1/0088

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power amplifier capable of suppressing a leak current without increasing a chip area or cost.SOLUTION: Bias circuits B1 and B2 generate a bias voltage based on a reference voltage supplied from a reference voltage generating circuit VG and supply the bias voltage to amplifier transistors A1 and A2. An inverter INV boosts an enable voltage and outputs it. The reference voltage generating circuit VG is turned ON/OFF according to an output voltage of the inverter INV. The inverter INV has an enable terminal Ven, a power terminal Vcb, a transistor Tri1 and a FET resistance Fdi2. A base of the transistor Tri1 is connected to the enable terminal Ven, a collector is connected to the power terminal Vcb, and an emitter is grounded. The FET resistance Fdi2 is connected between the collector and the power terminal Vcb of the transistor Tri1. A gate electrode of the FET resistance Fdi2 is opened.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够抑制泄漏电流而不增加芯片面积或成本的功率放大器。 解决方案：偏置电路B1和B2基于从参考电压产生电路VG提供的参考电压产生偏置电压，并将偏置电压提供给放大器晶体管A1和A2。 反相器INV升压使能电压并输出。 参考电压发生电路VG根据反相器INV的输出电压而导通/截止。 反相器INV具有使能端子Ven，电源端子Vcb，晶体管Tri1和FET电阻Fdi2。 晶体管Tri1的基极连接到使能端子Ven，集电极连接到电源端子Vcb，发射极接地。 FET电阻Fdi2连接在晶体管Tri1的集电极与电源端子Vcb之间。 FET电阻Fdi2的栅电极断开。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

    Variable gain circuit
    7.
    发明专利
    Variable gain circuit 有权
    可变增益电路

    公开(公告)号：JP2010288007A

    公开(公告)日：2010-12-24

    申请号：JP2009139290

    申请日：2009-06-10

    申请人： Hitachi Ltd ,  株式会社日立製作所

    发明人： KAMIMURA YUHITO ,  NAKAJO TOKUO

    IPC分类号： H03G3/10 ,  H03F3/193 ,  H03F3/345

    CPC分类号： H03G1/0088 ,  H03F3/72 ,  H03F2203/7206 ,  H03G1/0029 ,  H03G3/3084

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a variable gain circuit system which acquires high gain and a wide bandwidth in an inductorless structure without degradation of gain and bandwidth because of elements for variable gain.
    SOLUTION: The variable gain circuit has transistors 102, 103 and 105, resistors 101 and 104 which are connected as loads of the transistors 102, 103 and 105, a voltage source 106 which applies a bias voltage to each gate of the transistors 102, 103 and 105, switches 108 and 109 which select the voltage source 106 or a ground voltage, and connect it to the gates of the transistors 103 and 105 according to gain setting, and a current source 107 which is connected to common inputs. The drains of the transistors 102 and 103 are connected to an input of a circuit in a subsequent stage.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种可变增益电路系统，其在无电感器结构中获得高增益和宽带宽，而不会由于可变增益的元件而导致增益和带宽的降低。 解决方案：可变增益电路具有作为晶体管102,103和105的负载连接的晶体管102,103和105，电阻器101和104，将偏置电压施加到晶体管的每个栅极的电压源106 102,103和105，选择电压源106或接地电压的开关108和109，以及根据增益设置将其连接到晶体管103和105的栅极，以及连接到公共输入端的电流源107。 晶体管102和103的漏极在后续阶段连接到电路的输入端。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT