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    Power amplification module
    3.
    发明专利
    Power amplification module 有权
    功率放大模块

    公开(公告)号：JP2014171170A

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：JP2013042908

    申请日：2013-03-05

    申请人： Murata Mfg Co Ltd ,  株式会社村田製作所

    发明人： HAGISAWA HIROSHI ,  SAKURAI SATOSHI

    IPC分类号： H03F3/24

    CPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/301 ,  H03F1/302 ,  H03F3/19 ,  H03F3/21 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/447

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power amplification module that has an improved linearity.SOLUTION: A power amplification module 103 includes: a radio frequency amplification circuit 202 having an amplification circuit 212 for outputting an amplified version of an input signal, and an emitter follower type bias circuit 211 for biasing the amplification circuit to an operating point; and a constant voltage generation circuit 201 for generating from a first reference voltage a first constant voltage applied to a base side of a transistor constituting the bias circuit and a second constant voltage applied to a collector side of the transistor.

    摘要翻译： 要解决的问题：提供具有改善的线性度的功率放大模块。解决方案：功率放大模块103包括：射频放大电路202，具有用于输出输入信号的放大版本的放大电路212和发射极 跟随器偏置电路211，用于将放大电路偏置到工作点; 以及恒压产生电路201，用于从第一参考电压产生施加到构成偏置电路的晶体管的基极侧的第一恒定电压和施加到晶体管的集电极侧的第二恒定电压。

    Bias circuit and power amplifier
    10.
    发明专利
    Bias circuit and power amplifier 有权
    偏置电路和功率放大器

    公开(公告)号：JP2008109621A

    公开(公告)日：2008-05-08

    申请号：JP2007156749

    申请日：2007-06-13

    申请人： Sharp Corp ,  シャープ株式会社

    发明人： AMANO YOSHIHISA

    IPC分类号： H03F3/213

    CPC分类号： H03F1/302 ,  H03F3/195 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/408 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To output a bias current that is more stable, against a temperature change and/or a power supply voltage change, while suppressing a consuming current. SOLUTION: A bias circuit includes: a first transistor 101 having a base terminal grounded via a resistor 103, and a collector terminal connected to a first power supply port 121 via an adjustment resistor 104; a second transistor 102 having an emitter terminal connected to the base terminal of the first transistor 101, and a base terminal connected to the collector terminal of the first transistor 101; a third transistor 111 having a base terminal connected to the base terminal of the first transistor 101, and a collector terminal connected to the first power supply port 121 via adjustment resistors 113 and 114; and a fourth transistor 112 having a base terminal connected to the collector terminal of the third transistor 111, wherein a current is taken out from the emitter terminal of the fourth transistor 112. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    摘要翻译： 要解决的问题：在抑制消耗电流的同时，输出针对温度变化和/或电源电压变化更稳定的偏置电流。 解决方案：偏置电路包括：第一晶体管101，其具有经由电阻器103接地的基极端子;以及集电极端子，其经由调整电阻器104连接到第一电源端口121; 具有与第一晶体管101的基极端子连接的发射极端子的第二晶体管102和与第一晶体管101的集电极端子连接的基极端子; 第三晶体管111，其具有连接到第一晶体管101的基极端子的基极端子和经由调节电阻器113和114连接到第一电源端口121的集电极端子; 以及具有连接到第三晶体管111的集电极端子的基极端子的第四晶体管112，其中从第四晶体管112的发射极端子取出电流。（C）2008，JPO＆INPIT