電力変換回路及び電力伝送システム

    公开(公告)号:JP2017216865A

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:JP2017079932

    申请日:2017-04-13

    IPC分类号: H02M1/08 H02M7/5387

    摘要: 【課題】低コストかつ小型の電力変換回路を提供する。 【解決手段】電力変換回路は、第1から第4のポート端子と、アノードが第1のポート端子に接続される第1のダイオードと、カソードが第2のポート端子に接続される第2のダイオードと、カソードが第1のポート端子に接続される第3のダイオードと、アノードが第2のポート端子に接続される第4のダイオードと、第1のダイオードのカソードと第2のダイオードのアノードの間においてブリッジ接続された第1から第4のスイッチと、第3のダイオードのアノードと第4のダイオードのカソードの間においてブリッジ接続された第5から第8のスイッチと、第1から第4のスイッチの制御端子に接続される第1のブートストラップ回路と、第5から第8のスイッチの制御端子に接続される第2のブートストラップ回路と、を備える。 【選択図】図1

    半導体スイッチング素子の駆動装置
    5.
    发明专利
    半導体スイッチング素子の駆動装置 有权
    半导体开关元件驱动器件

    公开(公告)号:JP2016144255A

    公开(公告)日:2016-08-08

    申请号:JP2015016730

    申请日:2015-01-30

    发明人: 福田 純一

    IPC分类号: H03K17/687 H02M1/08

    摘要: 【課題】フォトカプラ等の絶縁手段を新たに追加することなく、スイッチング状態の切替速度を可変とするための入力信号を伝達できる定電流駆動方式の半導体スイッチング素子の駆動装置を提供する。 【解決手段】駆動回路Drは、充電機能、放電機能、及び速度可変部93を有する。充電機能は、絶縁電源を構成する2次側コイル60bを電力供給源として生成した定電流にてスイッチング素子Supのゲートに充電する機能である。放電機能は、ゲートから定電流にて放電する機能である。速度可変部93は、電源電圧Vomに基づいて、上記定電流の値を可変とすることにより、スイッチング状態の切替速度を可変とする機能を有する。 【選択図】 図3

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种恒流驱动半导体开关元件的驱动装置,其可以传递用于使开关状态变化的开关速率变化的输入信号,而不需要添加诸如光耦合器的新的绝缘装置。解决方案:驱动 电路Dr具有充电功能,放电功能和速率可变部分​​93.充电功能是通过使用构成隔离电源的次级线圈60b产生的恒定电流来对开关元件Sup的栅极进行充电的功能,作为 电源 放电功能是通过恒流放电门的功能。 速率变量部分93具有使得基于源极电压Vom的恒定电流值的值变为开关状态变化的切换速率的功能。图3

    Nitride semiconductor device
    6.
    发明专利
    Nitride semiconductor device 有权
    氮化物半导体器件

    公开(公告)号:JP2012191454A

    公开(公告)日:2012-10-04

    申请号:JP2011053604

    申请日:2011-03-10

    发明人: IKEDA KENTARO

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride semiconductor device which is easy to use, offers high-speed operation, and modifies the demand for driving circuits.SOLUTION: According to an embodiment, there is provided a nitride semiconductor device comprising: first to fourth transistors of n-channel type each including a nitride semiconductor; and a resistance. The first transistor includes a first gate, a first source, and a first drain. The second transistor includes a second gate, a second source connected to the first gate, and a second drain. The third transistor includes a third gate, a third source connected to the first source, and a third drain connected to the first gate and the second source. The fourth transistor includes a fourth gate connected to the third gate, a fourth source connected to the first source and the third source, and a fourth drain connected to the second gate. One end of the resistance is connected to the second drain, and the other end is connected to the second gate and the fourth drain.

    摘要翻译: 要解决的问题:提供易于使用的氮化物半导体器件,提供高速操作,并且改变对驱动电路的需求。 解决方案:根据实施例,提供了一种氮化物半导体器件,包括:n沟道型的第一至第四晶体管,每个包括氮化物半导体; 和阻力。 第一晶体管包括第一栅极,第一源极和第一漏极。 第二晶体管包括第二栅极,连接到第一栅极的第二源极和第二漏极。 第三晶体管包括第三栅极,连接到第一源极的第三源极和连接到第一栅极和第二源极的第三漏极。 第四晶体管包括连接到第三栅极的第四栅极,连接到第一源极和第三源极的第四源极和连接到第二栅极的第四漏极。 电阻的一端连接到第二漏极,另一端连接到第二栅极和第四漏极。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT

    調光装置
    9.
    发明专利
    調光装置 有权
    调光器

    公开(公告)号:JP2017016958A

    公开(公告)日:2017-01-19

    申请号:JP2015134721

    申请日:2015-07-03

    IPC分类号: H05B37/02

    摘要: 【課題】より多くの種類の照明負荷に対応可能な調光装置を提供する。 【解決手段】信号源910は、調光レベルに応じた駆動信号Sd1を発生する。放電部920は、ツェナダイオードZD1と、ツェナダイオードZD1の逆電流を通過させる整流素子D9との直列回路を含んでいる。放電部920では、ツェナダイオードZD1の逆電流が制御端子20から信号源910へ流れるように、直流回路が制御端子20と信号源910との間に電気的に接続されている。 【選択図】図2

    摘要翻译: 为了提供更种自适应光控制装置向照明负载。 信号源910产生对应于调光电平驱动信号Sd1。 排出单元920包括齐纳二极管ZD1,并且包括整流元件D9的串联电路通过齐纳二极管ZD1的反向电流。 在排出部920,从而使齐纳二极管ZD1从控制终端20到信号源910流动的反向电流,直流电路的控制端子20和信号源910之间电连接。 .The