Method of depositing a thin film
    7.
    发明专利
    Method of depositing a thin film 有权
    空值

    公开(公告)号:JP2013506758A

    公开(公告)日:2013-02-28

    申请号:JP2012531485

    申请日:2010-09-30

    摘要: 本発明の対象は、30nm以下の物理的厚みの、金属Mの酸化物の少なくとも1つの膜で、その表面の少なくとも一部をコーティングした基板を得るための方法であって、前記酸化物膜が、少なくとも1つの銀膜を含む多層の一部ではなく、前記方法が、金属M、金属Mの窒化物、金属Mの炭化物、及び酸素が化学量論組成未満の金属Mの酸化物から選択される材料の少なくとも1つの中間膜が、スパッタリングによって堆積される工程であって、前記中間膜が、チタン酸化物ベースの膜の上または下に堆積されず、前記中間膜の物理的厚みが30nm以下である、工程;並びに前記中間膜が、酸化雰囲気、特に空気に、直接、接する際に、前記中間膜の表面の少なくとも一部が熱処理を用いて酸化される工程であって、前記熱処理の際の前記基板の温度は150℃を超えない、工程、を含む方法である。

    摘要翻译: 本发明的主题是用至少一种金属M的氧化物的至少一部分获得涂覆在其表面的至少一部分的基板的方法,其物理厚度为30nm以下,所述氧化膜不是 所述方法包括以下步骤:选自金属M,金属M的氮化物,金属M的碳化物和氧化合物的氧化物的至少一种中间膜 金属M通过溅射沉积,所述中间膜不沉积在氧化钛基膜之上或之下,所述中间膜的物理厚度为30nm或更小; 并且所述中间膜的表面的至少一部分通过热处理而被氧化,在此期间所述中间膜与氧化气氛,特别是空气直接接触,所述热处理期间所述基板的温度不超过150℃。