-
公开(公告)号：KR20210032123A
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190113478A
申请日：2019-09-16
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
IPC分类号： H01L27/12 , G02F1/1362 , H01L51/00
CPC分类号： H01L27/1218 , G02F1/1362 , H01L27/1222 , H01L27/1259 , H01L27/1262 , H01L51/0096
摘要： 본 개시는 기판; 상기 기판 위에 매트릭스 방식으로 배열된 다수의 화소 영역; 상기 화소 영역 각각에 배치되며, 산화물 반도체 물질을 포함하는 채널 영역을 가지는 박막 트랜지스터; 상기 기판과 상기 박막 트랜지스터 사이에 개재되며, 불투명한 재질로 형성된 광 차단층; 및 상기 박막 트랜지스터에 연결되어, 상기 화소 영역 내에 형성된 화소 전극; 을 포함하고, 상기 광 차단층은 상기 기판을 향하는 하면에 형성된 외광 산란면을 포함하는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판을 활용하면 전극반사를 최소화하여 야외 시인성을 향상시키는 유기발광 다이오드 표시장치를 구현할 수 있다.-
公开(公告)号：KR102223517B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020187035925A
申请日：2018-04-10
申请人： 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
发明人： 칭 다이
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/32 , H01L51/0001 , H01L51/0005 , H01L51/0096 , H01L51/50 , H01L51/5012 , H01L51/52 , H01L51/56 , Y02E10/549
摘要： 발광층, 전자발광 디바이스 및 디스플레이 디바이스를 제조하기 위한 방법이 제공되며, 방법은: 픽셀 정의층을 가지고 형성되는 베이스 기판을 제공하고, 따라서 픽셀 정의층의 복수의 차단벽 구조체가 베이스 기판 상에 복수의 픽셀 영역을 정의하고, 복수의 픽셀 영역이 제1 방향을 따라 배열되는 픽셀 영역들 및 제2 방향을 따라 배열되는 픽셀 영역들을 포함하는 것; 용액-도포 공정에 의해, 픽셀 정의층을 가지고 형성되는 베이스 기판 상에 용액층을 형성하고, 따라서 용액층이 복수의 픽셀 영역 내에 형성되는 용액 및 제1 차단벽 구조체들 상에 형성되는 용액을 포함하고, 픽셀 영역들 내의 용액이 제1 차단벽 구조체들 상의 용액과 섞이지 않는 것; 용액층 상에서 건조 공정을 수행하고 따라서 각각의 픽셀 영역 내의 용액이 발광 구조체를 형성하여 발광층을 획득하는 것을 포함한다. 본 개시내용은 발광층의 균일성을 개선한다.
-
公开(公告)号：JP2018535508A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2018515261
申请日：2016-09-20
申请人： カティーバ, インコーポレイテッド
发明人： ブロンスキー, エリヤフ
CPC分类号： H01L51/0004 , B41J3/28 , B41J13/00 , B41J29/02 , B41J29/13 , B41J29/377 , F24F3/161 , F24F2003/165 , H01L51/0029 , H01L51/0096 , H01L51/56 , Y02E10/549
摘要： 基板を印刷するための印刷システムは、ガスエンクロージャに収納されることができ、エンクロージャ内の環境は、制御された印刷環境として維持されることができる。制御された環境は、ガスエンクロージャ内のガス環境のタイプの制御、エンクロージャ内の粒子状物質のサイズおよびレベル、エンクロージャ内の温度の制御、ならびに照明の制御を含むことができる。種々の実施形態は、エンクロージャ内の過剰な熱負荷を実質的に減少させるように構成される、線形空気ベアリング技術、ならびに基板装置として超音波浮動式テーブルを利用する、X軸およびY軸運動システムを含むことができる。加えて、線形空気ベアリング運動システム、ならびに基板装置として超音波浮動式テーブルを利用する、X軸およびY軸運動システムは、濾過および循環システムと併せて、低粒子印刷システム環境を提供することができる、低粒子生成デバイスである。
-
公开(公告)号：JP6408042B2
公开(公告)日：2018-10-17
申请号：JP2017010525
申请日：2017-01-24
申请人： 株式会社東芝
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L51/44
CPC分类号： H01G9/2031 , H01G9/0029 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/0076 , H01L51/0096 , H01L51/4253 , H01L51/442 , H01L51/5206 , Y02E10/549
-
公开(公告)号：JP6350655B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2016523663
申请日：2014-07-02
发明人： ユン、 ホン , クォン、 スン グン , クォン、 ユン ヨン , パク、 キョン ウク , イ、 ヒョン ヒ
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/44 , H01L31/0236 , H05B33/02
CPC分类号： H01L51/0096 , H01L51/44 , H01L51/442 , H01L51/52 , H01L51/5206 , H01L51/5268 , Y02E10/549
-
公开(公告)号：JP2018098364A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2016241604
申请日：2016-12-13
申请人： Tianma Japan株式会社
发明人： 竹知 和重
IPC分类号： H01L51/50 , H01L27/32 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78693 , G02F1/1368 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/043 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , G09G2320/0247 , G09G2320/045 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/32 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L51/0096 , H01L51/50 , H01L51/56
摘要： 【課題】TFT上の電荷発生に対して特性を安定化可能な酸化物半導体薄膜トランジスタ等を提供すること。 【解決手段】酸化物半導体薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体から成るチャネル層と、第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜のチャネル層との界面に形成される第1のチャネル領域に対向する面側に形成された第1のゲート電極と、第2の絶縁膜と、第2の絶縁膜のチャネル層との界面に形成される第2のチャネル領域に対向する面側に形成された第2のゲート電極とを備え、第1のチャネル領域におけるソース電極及びドレイン電極の並置方向の長さを第1のチャネル長とし、第2のチャネル領域における並置方向の長さを第2のチャネル長とした場合、第2のチャネル長が、第1のチャネル長よりも短く、かつ、第2のゲート電極に印加される電位が、ソース電極又はドレイン電極の電位のうちの低い方の電位以上である。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP6342895B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2015528174
申请日：2014-05-26
申请人： JXTGエネルギー株式会社
CPC分类号： H01L51/0097 , B29C59/046 , B29C2035/0827 , B29C2035/0877 , G02B5/1814 , H01L51/0096 , H01L51/5209 , H01L51/5225 , H01L51/5262 , H01L51/5268 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
-
公开(公告)号：JP2018081197A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016223266
申请日：2016-11-16
申请人： 株式会社ジャパンディスプレイ
发明人： 梶山 憲太
CPC分类号： H01L27/3276 , H01L23/4985 , H01L25/18 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/0096 , H01L51/5253 , Y02E10/549
摘要： 【課題】表示装置の信号線における信号伝達の遅延発生を抑制すること。 【解決手段】本開示に係る表示装置は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材内に設けられ、電源に電気的に接続された金属層と、前記絶縁性基材上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上方に設けられた表示素子と、前記絶縁層の上方に設けられたドライバICと、前記絶縁層の上方に設けられ前記表示素子と前記ドライバICとを接続する信号線と、前記表示素子と前記金属層とを電気的に接続するスルーホールと、を含む。 【選択図】図4
-
公开(公告)号：JP6327472B2
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2014554322
申请日：2013-12-13
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
CPC分类号： C08G59/4238 , C08G59/42 , C08G59/4215 , C08J5/18 , C08J5/24 , C08J2363/00 , C08L2205/025 , H01L51/0035 , H01L51/0096
-
公开(公告)号：JP2018509766A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017547963
申请日：2016-03-07
申请人： ビトロ、エセ.ア.ベ. デ セ.ウベ.
发明人： マッカミー、ジェイムズ ダブリュー. , マ、チーシュン , カバガンブ、ベンジャミン , コラム、クワク、ケイ. , ハン、チェン − ハン , ネリス、ゲイリー ジェイ.
IPC分类号： H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/26
CPC分类号： H01L31/02168 , C03B17/06 , C03B18/14 , C03C17/3411 , C03C17/3417 , C03C17/36 , C03C17/3631 , C03C17/3668 , C03C17/3678 , C03C2217/94 , C03C2217/948 , C03C2218/1525 , C23C16/40 , C23C16/407 , C23C16/4412 , C23C16/45561 , C23C16/45595 , C23C16/54 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/02327 , H01L31/03923 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L51/0096 , H01L51/442 , H01L51/5215 , H01L51/5268 , H01L51/5281 , Y02E10/541 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 光電子素子(10)は、第1の表面(14)及び第2の表面(16)を有する第1の基板(12)と、第2の表面(16)上に位置する下層(18)と、下層(18)上の第1の導電層(20)と、第1の導電層(20)上の上層(22)と、第1の導電層(20)上の半導体層(24)と、半導体層(24)上の第2の導電層(26)と、を含む。第1の導電層(20)は、導電性酸化物と、タングステン、モリブデン、ニオブ及びフッ素からなる群から選択された少なくとも1つのドーパントとを含み、及び/又は、上層(22)は、酸化スズと、亜鉛、インジウム、ガリウム及びマグネシウムからなる群から選択された少なくとも1つの材料を含むバッファ層(42)を含む。【選択図】図1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
532 条记录 (耗时 0.034 秒)
