公开(公告)号：JP2018514496A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2017556665

申请日：2016-04-28

申请人： 1366 テクノロジーズ インク.

发明人： ジョンクジック,ラルフ ,  ウォレス,リチャード,エル. ,  ハーベイ,デイビッド,エス.

IPC分类号： C30B19/10 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08

CPC分类号： C30B35/007 ,  C30B11/08 ,  C30B15/10 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B35/002

摘要： 供給るつぼ内に液体及び固体の半導体による2相が常に存在するように維持された供給るつぼから、溶融半導体の主要るつぼが補充される。固体材料を溶融するために加えられた熱は、固体材料の相を液体へと変化させるが、供給るつぼ内の液体の温度の大幅な上昇を発生しない。温度エクスカーションは優位に小さく、成形品に与える問題を引き起こしうる場合よりも小さい。固体製品材料は、温度の緩衝材の類として、供給液体温度を相転移温度で、または相転移温度に極めて近い温度で自動的及び能動的に維持する役割を果たす。シリコンに関して、エクスカーションは90℃以下を維持し、50℃の低さでも維持する。本方法はゲルマニウムについても有用である。半導体を完全に溶融する先行技術のシリコン方法は、100℃を超過するエクスカーションを体験する。【選択図】図5

公开(公告)号：JP2017098493A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2015231833

申请日：2015-11-27

申请人： 国立大学法人 東京大学 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構

发明人： 和田 一実 ,  八子 基樹 ,  山本 直克 ,  川西 哲也 ,  赤羽 浩一 ,  坂本 高秀

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B29/08 ,  C30B25/04 ,  H01S5/32 ,  G02F1/015 ,  C23C16/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： C23C16/04 ,  C30B25/04 ,  C30B29/08 ,  G02F1/015 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01S5/32

摘要： 【課題】Si基板上で貫通転位を低減させたGe単結晶薄膜を熱処理なく形成できるGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスを提供することを目的とする。 【解決手段】本発明に係るGe単結晶薄膜の製造方法は、薄い誘電体のLine&SpaceをSi基板上に形成し、その上にGeを成長させる。本製造方法で製造したGe単結晶薄膜の貫通転位は、ライン・アンド・スペースとGe膜厚を調整することで1×10 5 cm −2 の貫通転位密度を達成でき、貫通転位を大幅に削減することができる。このため、本光デバイスはキャリアの再結合欠陥が低減するため、レーザであれば閾値電流を下げることができる。 【選択図】図7

公开(公告)号：JP2016021503A

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：JP2014144759

申请日：2014-07-15

申请人： 独立行政法人国立高等専門学校機構 ,  サムコ株式会社

发明人： 角田 功 ,  高倉 健一郎 ,  本山 慎一 ,  楠田 豊 ,  古田 真浩

IPC分类号： C30B29/08 ,  C23C16/22 ,  H01L51/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 ,  H01L21/20

摘要： 【課題】フレキシブル基板上の所望の箇所に、容易に結晶ゲルマニウム層を形成する。 【解決手段】ゲルマニウム層付き基板100の製造方法において、基板10上に非晶質のゲルマニウム層30を形成する工程と、前記形成したゲルマニウム層30上に、非晶質ゲルマニウムの結晶化を促す結晶化誘起金属層40を形成する工程と、結晶化誘起金属層40上に、結晶化誘起金属層40に応力を印加する応力印加層50を、雰囲気温度80℃〜280℃にてプラズマ蒸着法により形成する工程とを含む。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：容易地在柔性基底上的期望位置形成晶体锗层。解决方案：用于制造具有锗层的衬底100的方法包括以下步骤：在衬底10上形成无定形锗层30; 在形成的锗层30上形成结晶诱导金属层40，用于诱导无定形锗结晶; 并且通过在80-280℃的气氛温度下通过等离子体气相沉积形成用于在结晶诱导金属层40上的结晶诱导金属层40施加应力的应力层50.选择的图：图1

公开(公告)号：JP4486753B2

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：JP2000570400

申请日：1999-09-10

申请人： フランス・テレコム

发明人： カロリーヌ エルナンデス ,  イヴ カンピデリ ,  ダニエル バンサエル

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/08 ,  C30B29/52

摘要： The invention concerns a method which consists in: (a) stabilization of the monocrystalline silicon substrate temperature at a first predetermined temperature T1 of 400 to 500° C.; (b) chemical vapour deposition (CVD) of germanium at said first predetermined temperature T1 until a base germanium layer is formed on the substrate, with a predetermined thickness less than the desired final thickness; (c) increasing the CVD temperature from said first predetermined temperature T1 up to a second predetermined temperature T2 of 750 to 850° C.; and (d) carrying on with CVD of germanium at said second predetermined temperature T2 until the desired final thickness for the monocrystalline germanium final layer is obtained. The invention is useful for making semiconductor devices.

公开(公告)号：JP2005220013A

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：JP2005023905

申请日：2005-01-31

申请人： Siltronic Ag ,  ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG

发明人： KRAUTBAUER RUPERT ,  GMEILBAUER ERICH ,  VORBUCHNER ROBERT ,  WEBER MARTIN DR

IPC分类号： H01L21/24 ,  C30B15/04 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02 ,  H01L29/167

CPC分类号： C30B29/52 ,  C30B15/04 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/167 ,  Y10S438/914 ,  Y10T428/21

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a highly doped semiconductor wafer whereby the dislocation-free semiconductor wafer with a small specific resistance is manufactured by using smaller amounts of doping agents compared to the amount used when using a single doping agent. SOLUTION: At least two electrically active doping agents belonging to the same group in the periodic table of chemical elements are used for doping. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于制造高掺杂半导体晶片的方法，由此通过使用较少量的掺杂剂与使用单一掺杂时所使用的量相比制造具有小电阻率的无位错半导体晶片 剂。 在化学元素周期表中属于同一基团的至少两种电活性掺杂剂用于掺杂。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP2004531889A

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：JP2002587677

申请日：2002-04-30

申请人： ビーティージー・インターナショナル・リミテッド

发明人： セイフェルト、ウェルナー

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B23/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： シリコン基板上にきわめて広いゲルマニウム層を形成する方法であって、シリコン基板上にゲルマニウムの初期層を形成し、その際に格子の不整合によって丸いＳ−Ｋ隆起が形成される。 酸化によって諸隆起間に二酸化シリコンを形成し、それに続く還元ステップによって隆起の頂上を露出させる。 頂上部はほとんど完全に解放されて歪みが存在しないので、これらの頂上部は続いて行われるゲルマニウムの最終層の成長の核形成サイトとなり、ゲルマニウムの最終層は核形成サイトからそれぞれ延在する単結晶として形成される。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP2002525255A

公开(公告)日：2002-08-13

申请号：JP2000570400

申请日：1999-09-10

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

公开(公告)号：JP2002203799A

公开(公告)日：2002-07-19

申请号：JP2000402289

申请日：2000-12-28

申请人： CANON KK

发明人： IWANE MASAAKI ,  MIZUTANI MASAKI ,  YOSHINO TOSHIHITO ,  SHOJI TATSUMI ,  SAITO TETSUO ,  NISHIDA AKIYUKI ,  UKIYO NORITAKA ,  NAKAGAWA KATSUMI

IPC分类号： C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/06 ,  C30B19/08 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/42 ,  H01L21/208

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To make uniform the film thickness of a deposition film formed on a wafer due to liquid phase growth over the entire wafer. SOLUTION: The wafer supported by a wafer-supporting pin is dipped into a solution containing a growth material, and the deposition film is grown on the wafer. In that case, an atmospheric gas is fed into the central section of the solution that fills a crucible using a breather, thus positively cooling the central section of the solution.

公开(公告)号：JP2000040664A

公开(公告)日：2000-02-08

申请号：JP20660598

申请日：1998-07-22

申请人： KANEGAFUCHI CHEMICAL IND

发明人： YOSHIMI MASASHI ,  FUJIWARA TAKASHI

IPC分类号： C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04 ,  H01L31/06 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high quality hydrogen semiconductor thin film having the controlled coupling state between IV group atoms and in-film hydrogen atoms, and also having little structural turbulance to obtain excellent characteristic of the semiconductor thin film manufactured by performing a low temperature process, and to obtain a thin film device showing excellent characteristic using the above-mentioned semiconductor thin film. SOLUTION: This is a semiconductor thin film which is mainly composed of IV group atoms and hydrogen atoms which are deposited at the base layer temperature of 40 deg.C or lower as the main constituent element using a chemical vapor phase reaction growth method, and in the heating temperature dependency of the quantity of discharge of hydrogen atoms in film when it is heated up from room temperature, the semiconductor thin film shows a profile having the peak of the quantity of emission of hydrogen at 300 to 410 deg.C. An electrode part consists of a semiconductor thin film which is characterized that half power width of the above-mentioned peak is 30 deg.C or lower, a semiconductor unit part containing the above-mentioned semiconductor thin film, and an electrode comprising a conductive thin film, and they are formed on the same substrate in the thin film device.

公开(公告)号：JPH11329973A

公开(公告)日：1999-11-30

申请号：JP13299998

申请日：1998-05-15

申请人： MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD

发明人： SUGAWARA TAKESHI ,  SAITO TORU ,  KUBO MINORU

IPC分类号： C30B29/08 ,  H01L21/203

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a satisfactorily crystalline GeC mixed crystal thin film without fetching any carbon as amorphous carbon. SOLUTION: At the time of forming a mixed crystal thin film containing carbon 13 and germanium 12 on a substrate 11, the carbon 13, germanium 12, and atomic hydrogen 14 are supplied to the surface of the substrate 11. The atomic hydrogen 14 can remove the amorphous carbon 15 existing on the substrate 11 by converting it into the form of a reaction product 16. Thus, a satisfactorily crystalline mixed crystal thin film containing germanium and carbon can be obtained.