公开(公告)号：JP2021144995A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：JP2020041265

申请日：2020-03-10

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 星 保幸

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/167 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

摘要： 【課題】宇宙線に対する信頼性を向上させることができる半導体装置を提供すること。 【解決手段】メイン半導体素子11と同一の半導体基板10に中性子センス部15が設けられている。中性子センス部15は、 10 B膜98を有するオフ状態の横型のpチャネル型MOSFETであり、 10 B膜98を有することで同一の半導体基板10に作製される他の半導体素子よりも中性子に対する反応感度が高くなっている。 10 B膜98に含まれる 10 Bは、中性子吸収捕獲断面積が大きく、中性子と核反応を起こす。このため、 10 B膜98においてα線が生成されやすい。中性子センス部15は、α線に起因して発生する電荷によってアバランシェ降伏が起きたり、リーク電流が増加したり、オン状態となるように設定されている。中性子センス部15の電流値や電圧値の基準値からの変化量に基づいて、半導体基板10に中性子の入射の有無を判断することができる。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP6634646B2

公开(公告)日：2020-01-22

申请号：JP2015180891

申请日：2015-09-14

申请人： 学校法人早稲田大学 ,  トヨタ自動車株式会社

发明人： 稲葉 優文 ,  川原田 洋 ,  関 章憲 ,  櫛田 知義

IPC分类号： C30B31/22 ,  C30B33/04 ,  C30B33/02 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  C30B29/04

公开(公告)号：JP2017204535A

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：JP2016094691

申请日：2016-05-10

申请人： 学校法人 工学院大学

发明人： 相川 慎也 ,  橋本 英樹 ,  阿相 英孝 ,  小野 幸子

IPC分类号： H01L21/388 ,  H01L21/22 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L29/06 ,  H01L29/167 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/227 ,  H01L29/207 ,  H01L29/24 ,  H01L29/16 ,  H01L21/208 ,  H01L21/228

摘要： 【課題】本発明は、ドーピング対象物(例えば、各種化合物半導体、単元素半導体、金属酸化物)に対し、容易に陽イオンをドーピングすることができるドーピング方法を提供する。 【解決手段】金属を含むドーピング対象物を陰極として電解液中に浸漬し、前記陰極と陽極との間に電界を印加することにより、前記ドーピング対象物に対して電気化学的に陽イオンをドーピングするドーピング工程を有する、ドーピング方法。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2015046511A

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：JP2013177225

申请日：2013-08-28

申请人： 株式会社東芝 ,  Toshiba Corp

发明人： KOIKE MASAHIRO ,  KAMIMUTA YUICHI ,  KAMATA YOSHIKI ,  USUDA KOJI ,  TEZUKA TSUTOMU

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684

摘要： 【課題】高電子濃度のn型poly−Geを形成することができ、poly−Ge等の多結晶半導体層を用いた素子の特性向上に寄与する。【解決手段】Geを主成分とする多結晶半導体層を用いた半導体装置であって、Geを主成分とする多結晶半導体層と、前記半導体層上の一部にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟んで前記半導体層に形成された、一対のn型不純物拡散領域からなるソース/ドレイン領域と、を備え、前記n型不純物拡散領域は二種類以上の不純物を有しており、前記二種類以上の不純物の一種がカルコゲンの群から選択された元素であり、別の一種がn型不純物である。【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够形成具有高电子浓度的n型聚Ge的半导体器件的制造方法，并且有助于提高使用多晶半导体布置的器件的特性 包括多晶硅的层。解决方案：使用包括Ge作为主要组分的多晶半导体层布置的半导体器件包括：包括Ge作为主要成分的多晶半导体层; 在半导体层的一部分上形成有栅极绝缘膜的栅电极; 以及源极和漏极区，由一对n型杂质扩散区组成并形成在半导体层上，使得栅电极夹在其间。 一对n型杂质扩散区具有两种以上的杂质; 两种以上的杂质中的一种是选自硫属元素的元素，另一种是n型杂质。

公开(公告)号：JP5405856B2

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：JP2009046375

申请日：2009-02-27

申请人： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

发明人： ロバート・ジェイ・ファルスター

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L29/744 ,  H01L21/22 ,  H01L21/322 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/221 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32

公开(公告)号：JP4312385B2

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：JP2000564229

申请日：1999-08-05

申请人： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

发明人： ロバート・ジェイ・ファルスター

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L29/744 ,  H01L21/22 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L21/221 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32

公开(公告)号：JP4170004B2

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：JP2002091313

申请日：2002-03-28

申请人： 日本板硝子株式会社

发明人： 靖智 有馬 ,  久雄 永田 ,  信幸 駒場

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L31/10 ,  H01L21/20 ,  H01L27/14 ,  H01L29/167 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

公开(公告)号：JP4014676B2

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：JP23255096

申请日：1996-08-13

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 久 大谷 ,  舜平 山崎 ,  健司 福永

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/15 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/158 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167

公开(公告)号：JP2007524982A

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：JP2005512854

申请日：2003-12-08

申请人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

发明人： チダンバラオ、デュレセティ ,  ドリス、ブルース、ビー ,  ビューラー、フレデリック、ウィリアム ,  ファン、シャンジェン ,  ヤン、へイニング

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/01 ,  H01L27/092 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/22 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7843

摘要： 半導体材料の構造物または本体（例えば基板または層）によって定められる境界を横切って加えられる応力を受ける膜は、境界の近傍の半導体材料中に引張り応力から圧縮応力への変化を提供し、アニーリングの間のホウ素拡散速度を変化させ、ひいては最終ホウ素濃度またはプロフィル／勾配あるいはその両方を変化させるために用いられる。 電界効果トランジスターの場合、側壁の有無にかかわらず、ソース／ドレイン、拡張注入部またはハロ注入部、あるいはその両方に対する境界の位置を調節するために、ゲート構造物を形成させることができる。 水平方向と垂直方向とで異なるホウ素拡散速度を作り出すことができ、ヒ素と同程度の拡散速度を実現することができる。 同じプロセス工程で、ｎＦＥＴとｐＦＥＴとの両方の接合キャパシタンスの減少を同時に実現することができる。

公开(公告)号：JP2006523018A

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：JP2006504845

申请日：2004-03-24

申请人： インフィネオン テヒノロギーズ アーゲーInfineon TechnologiesAG

发明人： シェーファー、ヘルベルト ,  シュテングル、ラインハルト ,  べック、ヨゼフ ,  マイスター、トーマス

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/167 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7378

摘要： 本発明は、バイポーラ・トランジスタであって、第１の導電型（ｎ）のコレクタ領域（２５，２５ａ）と、コレクタ領域（２５，２５ａ）に、コレクタ領域（２５，２５ａ）の第１の面上で電気的に接続される第１の導電型（ｎ
＋ ）のサブコレクタ領域（１０；１０ａ，１０ｂ）と、コレクタ領域（２５，２５ａ）の第２の面上に設けられる第２の導電型（ｐ）のベース領域（３０）と、ベース領域（３０）の上方に、コレクタ領域（２５，２５ａ）とは反対側の面上に設けられる第１の導電型（ｎ
＋ ）のエミッタ領域（５０）と、第１の面でコレクタ領域（２５，２５ａ）の隣に設けられるカーボンがドープされた半導体領域（１０；１０ａ；２４，２４ａ）と、を備えるバイポーラ・トランジスタに関する。