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公开(公告)号：JP2018154874A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017052836
申请日：2017-03-17
Applicant: 株式会社日本製鋼所
Abstract: 【課題】マスクと基板との隙間に膜が形成されてしまうことを抑制するために、マスクと基板との密着性を向上する技術を提供する。 【解決手段】成膜方法は、吊り部HUを支持部SUで支持した状態で、吊り部HUによってマスクMKを吊る工程と、吊り部HUを支持部SUで支持した状態で、吊り部HUによって吊られたマスクMKをガラス基板GS上に接触させる工程とを有する。 【選択図】図21
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公开(公告)号：JP6317232B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2014220157
申请日：2014-10-29
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/42 , H01L21/316
CPC classification number: C30B25/18 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C16/402 , C23C16/52 , C23C16/56 , C30B25/165 , H01L21/02115 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28568
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公开(公告)号：JP2018022716A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2016150985
申请日：2016-08-01
Applicant: 東京エレクトロン株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/42 , C23C16/02 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/0236 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/34 , C23C16/345 , C23C16/4412 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/285 , H01L21/31116 , H01L21/32 , H01L29/4983 , H01L29/66553 , H01L29/6656
Abstract: 【課題】下地膜によって選択的な膜形成が可能な窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。 【解決手段】窒化膜に対し相対的にインキュベーションタイムが長い材料からなる第1の下地膜と、相対的にインキュベーションタイムが短い材料からなる第2の下地膜とを有する被処理基板に対し、原料ガスおよび窒化ガスを用いて、ALDまたはCVDにより窒化膜を成膜する工程と、エッチングガスを供給して、第1の下地膜上の窒化物をエッチング除去し、前記第1の下地膜の膜面を露出させる工程とを繰り返す。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP6266349B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2014001168
申请日：2014-01-07
Applicant: 三星ディスプレイ株式會社 , Samsung Display Co.,Ltd.
Inventor： 韓 政 ▲えん▼
CPC classification number: C23C14/042 , C23C8/04 , C23C10/04 , C23C14/04 , C23C16/04 , C23C16/042 , C23C18/06 , C30B25/04 , H01L51/0011
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公开(公告)号：JP6251937B2
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：JP2013525778
申请日：2012-07-27
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: C23C16/455 , B32B9/00 , C23C16/02
CPC classification number: C23C16/403 , B05D3/007 , B05D3/107 , B05D3/141 , B05D3/145 , B05D3/148 , B32B7/04 , C08K3/0008 , C08K3/0033 , C08K3/01 , C08K3/013 , C09J201/02 , C09J201/025 , C09J201/06 , C09J201/08 , C09J2400/10 , C09J2400/22 , C23C16/02 , C23C16/0227 , C23C16/0245 , C23C16/0272 , C23C16/04 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/45555 , C23C28/00 , C23C28/042 , Y10T428/25 , Y10T428/251 , Y10T428/258 , Y10T428/259 , Y10T428/31562 , Y10T428/31721 , Y10T428/31757
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2016225325A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015106856
申请日：2015-05-26
Applicant: 株式会社日本製鋼所
IPC: C23C16/44 , C23C16/04 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/04 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 【課題】マスク、サセプタを用いた原子層成長装置において、マスクやサセプタに対する粒子の付着を防止する。 【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層成長装置であって、成膜容器と、成膜容器内に設置されたステージと、ステージ上で基板を保持するサセプタと、基板上に配置され、基板を囲む大きさのマスクと、マスクを支持して上下に可動可能なマスクピンと、ステージおよびサセプタを上下に貫通して、マスクピンが上下動可能に挿通されるマスクピン穴を備え、サセプタは、基板の保持面を有するサセプタ本体と、サセプタ本体の周囲に位置して保持面よりも低い高さのサセプタ周縁部とを有し、マスクピン穴は、サセプタ周縁部に開口し、サセプタ周縁部には、マスクの囲み領域内で、保持面の周囲にガスを上方側に排出する不活性ガス供給口が設けられ、不活性ガス供給口に不活性ガスを供給する不活性ガス供給路が接続されている。 【選択図】図3
Abstract translation: 的掩模，在使用该基座的原子层沉积设备，以防止粒子附着相对于所述掩模和基座。 解决方案：用于在基板上形成薄膜的原子层沉积装置，所述膜沉积室，并且安装的阶段沉积容器中，用于保持在台上的基板的基座，布置在所述基板上 围绕基底，通过可移动的可能Masukupin掩模尺寸垂直地支撑在掩模台和基座上下，具有Masukupin孔Masukupin插入可上下移动，基座， 基座主体，其具有在基板的保持面，且比位于周围的基座体的高度保持面低，Masukupin孔在基座周边，基座周边部分开了一个基座周边 ，在掩模的封闭区域，围绕保持面的惰性气体供给口用于排出的上侧的气体被用于供给惰性气体设置有惰性气体供应路径被连接至惰性气体供给口 是 点域
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公开(公告)号：JP2016538162A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016541827
申请日：2014-07-23
Inventor： シュトッフェル ボルフガング , シュトッフェル ボルフガング , マルクセン マルティン , マルクセン マルティン
IPC: B29C33/38 , B29C67/00 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00 , C23C26/00 , C25D5/02 , C25D5/34 , C25D5/48 , C25D5/52 , C25D7/00
CPC classification number: B44C3/025 , B29C59/005 , B29C59/022 , B29C59/04 , B30B3/005 , B30B5/04 , B30B15/062 , B44B5/026 , B44F9/02 , C23C16/04
Abstract: 本発明は、特にプレスプレート(1)、エンドレスベルト又はエンボスローラのプレス型上に表面構造を作製するための方法に関する。時間のかかるエッチングプロセスを回避するために、本発明に従い上下に重なる金属皮膜によって表面構造を作製することを提案する。この目的のために、部分領域を覆うためにマスクを少なくとも1回塗布し、覆われていない領域(5、6)に金属皮膜を少なくとも1回塗布して隆起部からなる表面構造を形成する。この場合、これら2つの方法ステップは、所望の構造深さに達するまで任意の回数繰り返される。仕上げ処理方法により表面に、例えば丸味を付け、又は硬質クロム皮膜(7)を施すことができる。
Abstract translation: 本发明特别压板（1），用于制备在压型环形带或压花辊的表面结构的方法。 为了避免这样的蚀刻处理时间，提出了以产生金属膜的表面结构垂直按照本发明重叠。 为此目的，掩模覆盖的部分区域中不被涂层覆盖至少一次以形成由脊的表面结构的区域（5,6）被施加至少一次，金属涂层。 在这种情况下，这两个方法步骤被重复任意次数，直到所期望的结构的深度。 通过修整处理的方法，例如，具有圆形，或硬铬表面（7）的表面可以被应用。
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公开(公告)号：JP2016527395A
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2016522681
申请日：2014-06-26
Applicant: ベネク・オサケユキテュアBeneq Oy , ベネク・オサケユキテュアBeneq Oy
Inventor： タパニ・アラサーレラ , ペッカ・ソイニネン
IPC: C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45563 , C23C16/04 , C23C16/45551 , C23C16/545
Abstract: 本発明は、少なくとも第1および第2前駆体の連続的な表面反応によって、基板(1、48)の表面(3)に1つ以上のコーティング層を提供するための方法および装置に関する。この方法は、第1前駆体を第1前駆体ノズル(2)から、および第2前駆体を第2前駆体ノズル(4)から、基板(1、48)の表面(3)に供給することと、第1および第2前駆体ノズル(2、4)の少なくとも1つに対して基板(1、48)を移動させることとを含む。この方法は、さらに、第1および第2前駆体の供給と、第1および第2前駆体ノズル(2、4)の少なくとも1つに対する基板(3)の同時移動との連係により、基板(1、48)の表面(3)の1つ以上の第1制限サブ領域(20、21、22)のみを第1および第2前駆体に供することを含む。
Abstract translation: 本发明中，由至少第一和第二前体的连续表面反应，涉及一种方法和装置，用于在基板（1,48）的表面（3）上提供一个或多个涂料层。 该方法中，从第一前体喷嘴（2）的第一前体，并从所述第二前体喷嘴（4）的第二前体，将被供应到所述表面（3）的底物（1,48） 时，和用于第一和第二前体的喷嘴中的至少一个（2,4）移动基板（1,48）。 该方法还包括在第一和第二前体的供应，与基板（3）的第一和第二前体的喷嘴中的至少一个（2,4）的同时移动的整合，所述衬底（1 包括使48的表面（3）的）的仅一个或多个第一限制子区域）（20，21，22与第一和第二前体。
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公开(公告)号：JPWO2013176029A1
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014516772
申请日：2013-05-16
Applicant: 株式会社シンク・ラボラトリー
CPC classification number: C23C16/01 , C23C16/04 , C23C16/26 , C23C28/046 , G03F7/40
Abstract: サイドエッチングの問題を解消し、耐薬品性・離型性に優れたパターン付ロール及びその製造方法を提供する。基材の表面に感光材を塗布し、露光・現像せしめてレジストパターンを形成し、該基材及びレジストパターンの表面に第一DLC被覆膜を形成し、該レジストパターン上に形成された第一DLC被覆膜を該レジストパターンごと剥離せしめ、基材の表面にDLCパターンを形成し、前記基材及びDLCパターンの表面に第二DLC被覆膜を形成してなるようにした。
Abstract translation: 消除了侧面蚀刻的问题，提供优良的压花辊和耐化学性及其制造方法，脱模性。 在基板的表面上涂敷的感光材料，以形成抗蚀剂图案而引起曝光和显影，形成在基板的表面和抗蚀剂图案上形成第一DLC涂膜形成在抗蚀剂图案 的DLC覆盖膜剥离允许每个抗蚀剂图案，在基材的表面上形成的DLC图案，被设置以形成第二DLC涂层薄膜为基材和DLC图案的表面。
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