公开(公告)号：JP6982089B2

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：JP2019543840

申请日：2017-08-30

申请人： マイクロン テクノロジー,インク.

发明人： ローラン,クリストフ ヴァンサン アントワーヌ

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C5/02 ,  G11C13/00 ,  G11C8/14 ,  G11C7/18 ,  H01L45/00 ,  H01L21/8239

公开(公告)号：JP2021508950A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：JP2020536240

申请日：2018-12-19

申请人： マイクロン テクノロジー,インク.

发明人： ロブス トビー ディー. ,  インガルス チャールズ エル.

IPC分类号： H01L27/108 ,  G11C11/4097 ,  G11C7/18 ,  H01L21/8242

摘要： 半導体メモリに対するセンス線アーキテクチャのための装置及び方法が開示される。例示的な装置は、複数のセンス線の第1の部分と、複数のセンス線の第1の部分に結合されたメモリセルとを含む第1の領域を含み、複数のセンス線の第2の部分と、複数のセンス線の第2の部分に結合されたメモリセルとを含む第2のアレイ領域を更に含む。アレイ間隙部は、第1及び第2のアレイ領域の間に配置され、複数のセンス線の第3の部分を含み、何れのメモリセルも含まない。複数のセンス線の各第3の部分は、第1及び第2のアレイ領域並びにアレイ間隙部を通じて電気的に連続するセンス線を提供するために、複数のセンス線の第1の部分と第2の部分とを結合するように構成された垂直方向コンポーネントを有する導電構造体を含む。

公开(公告)号：JP6836122B2

公开(公告)日：2021-02-24

申请号：JP2016163349

申请日：2016-08-24

申请人： セイコーエプソン株式会社

发明人： 長谷川 崇 ,  徳田 泰信 ,  正田 真樹 ,  宮▲崎▼ 竹志

IPC分类号： G11C7/18 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G11C16/24

公开(公告)号：JP6738711B2

公开(公告)日：2020-08-12

申请号：JP2016212082

申请日：2016-10-28

申请人： ラピスセミコンダクタ株式会社

发明人： 山田 和志

IPC分类号： G11C7/18 ,  G11C11/22

公开(公告)号：JP2020057707A

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：JP2018188003

申请日：2018-10-03

申请人： ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション

发明人： 林 紀舜 ,  冨田 泰弘

IPC分类号： H01L27/105 ,  G11C7/18 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

摘要： 【課題】 信頼性を低下させることなく面積効率の良い抵抗変化型のランダムアクセスメモリを提供する。 【解決手段】 本発明の抵抗変化型メモリは、可変抵抗素子と当該可変抵抗素子に接続されたアクセス用のトランジスタとを含むメモリセルが行列状に複数配置されたアレイ領域と、記アレイ領域の行方向に延在し、行方向のメモリセルに接続された複数のワード線WL1、WL2、…WLnと、アレイ領域の列方向に延在するローカルビット線BL1と、アレイ領域の列方向に延在し、列方向のメモリセルの一方の電極に接続された複数のローカルソース線SL1、SL2、…SLqと、ローカルビット線BL1に接続され、かつアレイ領域の行方向に延在し、行方向のメモリセルの他方の電極に接続されたシェアードビット線SBLとを有する。 【選択図】 図3

公开(公告)号：JP2019075559A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：JP2018189795

申请日：2018-10-05

申请人： 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 朴 安洙 ,  金 成勳 ,  郭 判碩

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/82 ,  G11C7/18 ,  H01L45/00 ,  G11C16/04 ,  G11C13/00 ,  H01L27/11582

摘要： 【課題】 ビットラインの電気的特性を均一化した垂直型メモリ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 垂直型メモリ装置は、セルアレイ、複数のビットライン、及び複数のビットラインコンタクトを含む。セルアレイは、第2方向に沿って離隔し、各々が規則的に配列された複数の垂直チャンネルを含む複数のセル領域を備える。前記複数のビットラインは第2方向に沿って延在され、第2方向と交差する第1方向に離隔する。前記複数のビットラインコンタクトは垂直チャンネルとビットラインを電気的に連結する。セル領域の各々は、第1方向に沿って延在されてセル領域を第2方向に沿って電気的に分離するサブ分離領域を含む。垂直チャンネルは、各セル領域でサブ分離領域からの第2方向への距離によって区分される複数のタイプを有する。ビットラインコンタクトは前記複数のビットラインの各々に少なくとも2つの異なるタイプを有する垂直チャンネルを電気的に連結させる。 【選択図】 図5

公开(公告)号：JP5025073B2

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：JP2004024675

申请日：2004-01-30

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 泰 政 李 ,  準 ▲ぎょう▼ 李 ,  炳 善 金

IPC分类号： G11C11/41 ,  H01L27/11 ,  G09G3/36 ,  G11C5/02 ,  G11C7/02 ,  G11C7/18 ,  G11C8/16 ,  G11C11/412 ,  G11C11/413 ,  H01L21/8244

CPC分类号： H01L27/1104 ,  G09G3/3611 ,  G11C7/02 ,  G11C8/16 ,  G11C11/4125 ,  H01L27/11

公开(公告)号：JP4750809B2

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：JP2008031258

申请日：2008-02-13

申请人： サンディスク コーポレイションSanDisk Corporation

发明人： シー． グッターマン，ダニエル ,  サマチサ，ジョージ ,  ハラリ，エリヤホウ ,  エイチ． ユアン，ジャック

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0458 ,  G11C16/0491

公开(公告)号：JP4728562B2

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：JP2003008792

申请日：2003-01-16

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 種 学 元 ,  載 雄 李

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  G11C7/10 ,  G11C7/18 ,  G11C11/401 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4097 ,  H01L27/02

CPC分类号： G11C11/4097 ,  G11C7/18 ,  H01L27/0207

公开(公告)号：JP4717173B2

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：JP35385399

申请日：1999-12-14

申请人： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

发明人： ディミトリス・シー・パンテラキス ,  ワイ・ティー・ラウ

IPC分类号： G11C11/417 ,  G11C7/10 ,  G11C7/18 ,  G11C11/40 ,  G11C11/407 ,  G11C11/409 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/419 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/18