公开(公告)号：KR20210028306A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020190108757A

申请日：2019-09-03

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김진 ,  김병무 ,  김재환 ,  전준수

IPC分类号： G06F30/00 ,  H01L27/02

CPC分类号： G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  H01L27/0203

摘要： 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 레이아웃 설계 방법은, 복수의 IC(Integrated Circuit) 블록들을 포함하는 반도체 장치에서 레이아웃을 변경할 선택 IC 블록을 결정하는 단계, 상기 선택 IC 블록에 포함되는 핀 구조체들의 제1 방향에서의 간격을, 제1 간격에서 제2 간격으로 변경하는 단계, 상기 선택 IC 블록에서 상기 핀 구조체들에 연결되는 소스/드레인 영역들의 위치를 결정하는 단계, 상기 선택 IC 블록에서 상기 핀 구조체들을 분리하는 컷 영역의 위치를 결정하는 단계, 및 상기 선택 IC 블록에서 상기 소스/드레인 영역들 및 게이트 전극 중 적어도 하나에 연결되는 컨택의 위치를 결정하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：JP5308482B2

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：JP2011132258

申请日：2011-06-14

申请人： エイチアールエル ラボラトリーズ,エルエルシーHrl Laboratories, Llc ,  レイソン カンパニー

发明人： チョウ，ラップ−ワイ ,  クラーク，ウィリアム，エム．，ジェイアール． ,  ハービソン，ガヴィン，ジェイ． ,  バウクス，ジェイムズ，ピー．

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/58 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/573 ,  H01L27/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A technique for and structures for camouflaging an integrated circuit structure. A layer of conductive material having a controlled outline is disposed to provide artifact edges of the conductive material that resemble an operable device when in fact the device is not operable.

公开(公告)号：JP5296313B2

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：JP2006518914

申请日：2004-07-08

申请人： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Machines Corporation

发明人： ベドナー、トーマス、アール ,  グールド、スコット、ダブリュ ,  ラッキー、デイヴィッド、イー ,  スタウト、ダグラス、ダブリュ ,  ズコウスキー、ポール、エス

IPC分类号： H01L21/82 ,  G06F9/45 ,  H01L20060101 ,  H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H03K19/00

CPC分类号： H01L23/5286 ,  G11C5/14 ,  H01L27/0203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit. The integrated circuit includes a parent terrain; and a hierarchical order of nested voltage islands within the parent terrain, each higher-order voltage island nested within a lower-order voltage island, each nested voltage island having the same hierarchical structure.

公开(公告)号：JP5024808B2

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：JP2001225256

申请日：2001-07-26

申请人： アギア システムズ インコーポレーテッド

发明人： クーパー デイヴィス ポール

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H03K5/08

CPC分类号： H01L27/0255

公开(公告)号：JP4909490B2

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：JP2002538484

申请日：2001-05-11

申请人： エイチアールエル ラボラトリーズ,エルエルシーHrl Laboratories, Llc

发明人： クラーク，ウィリアム，エム．，ジェイアール． ,  チョウ、ラップ−ワイ ,  バウクス，ジェイムス，ピー．

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/74 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/743

公开(公告)号：JP4903971B2

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：JP2002291750

申请日：2002-10-04

申请人： アギア システムズ インコーポレーテッド

发明人： チャードリィ サミア ,  トムソン ジェー．ロス ,  アーサー レイマン ポール ,  デー．グリグリオン ミッシェル ,  ララドジ モハメッド

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L21/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/02 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08

CPC分类号： H01L28/10 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5227 ,  H01L27/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP4860808B2

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：JP2000233678

申请日：2000-08-01

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 亨洙 禹 ,  泰榮 鄭

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L27/02 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

公开(公告)号：JP4846106B2

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：JP2001040389

申请日：2001-02-16

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 佳史 友松 ,  徹 岩上

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a field effect semiconductor device in which switching is performed by a gate voltage inputted from outside via a gate resistance circuit for restricting charging and discharge currents flowing between an insulated gate and an emitter, the improvement comprises: an insulated gate electrode portion which is formed by a gate electrode pad and a gate electrode insulated from the gate electrode pad; the gate resistance circuit being inserted between the gate electrode pad and the gate electrode so as to be formed integrally with the insulated gate electrode portion; and the gate resistance circuit comprising a first gate resistance and a first series circuit connected to the first gate resistance in parallel and including a second gate resistance and a first diode such that an anode of the first diode is connected to the gate electrode.

公开(公告)号：JP4829880B2

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：JP2007515128

申请日：2005-05-06

申请人： アルテラ コーポレイションAltera Corporation

发明人： チー−チン シー， ,  ステファニー ティー． トラン， ,  チェン−シュン ファン， ,  アーファン ラヒム， ,  シー−リン エス． リー， ,  グー リン，

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/02 ,  H02H7/20 ,  H02H9/00 ,  H02H9/02

CPC分类号： H01L27/0266 ,  H01L27/0251

公开(公告)号：JP4825999B2

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：JP2000065727

申请日：2000-03-06

申请人： ソニー株式会社

发明人： 実 石田

IPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/11 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/1104 ,  Y10S257/903