公开(公告)号：JP6413104B2

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：JP2017238234

申请日：2017-12-13

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 森田 竜夫

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP2018159952A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JP2018119039

申请日：2018-06-22

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 黒川 義元 ,  池田 隆之

IPC: G02F1/1345 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78696 ,  G02F1/136204 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765

Abstract: 【課題】サイズが小さく、耐圧の高い薄膜トランジスタにより構成された保護回路を有す る表示装置を提供する。 【解決手段】表示装置の保護回路において、非晶質半導体層と、微結晶半導体層と、該微 結晶半導体層に接するゲート絶縁層と、ゲート電極層と、が重畳する薄膜トランジスタを 用いる。微結晶半導体層の電流駆動能力が高いため、トランジスタのサイズを小さくする ことができる。また、非晶質半導体層を有することで耐圧を向上させることができる。こ こで表示装置とは、液晶表示装置又は発光装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JPWO2017141560A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2017000053

申请日：2017-01-04

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 佐藤 茂樹

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0647 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/866 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828 ,  H03K2017/0806

Abstract: 【課題】主電流を制御するゲート電極を備えた主絶縁ゲート・トランジスタと、主絶縁ゲート・トランジスタに対して並列的に設けられて主絶縁ゲート・トランジスタに流れる主電流に比例した電流を出力する電流検出用絶縁ゲート・トランジスタと、これらの絶縁ゲート・トランジスタと共に同一の半導体基板上に形成された温度検出用ダイオードとを備えた絶縁ゲート半導体装置において静電気放電耐量の向上を図る。 【解決手段】電流検出用絶縁ゲート・トランジスタのエミッタ電極と、温度検出用ダイオードのアノード電極との間に静電気耐量用ツェナーダイオードを介装することで、温度検出用ダイオードを利用して電流検出用絶縁ゲート・トランジスタの静電気放電耐量を確保する。

公开(公告)号：JP6343122B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2013080152

申请日：2013-04-08

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 山崎 舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1244 ,  H01L23/52 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6307704B2

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：JP2014554081

申请日：2013-10-31

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 森田 竜夫

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP6262856B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2016533034

申请日：2014-11-07

Applicant: オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ,  Osram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： ライラー クリスティアン ,  ハーン ベルトールド ,  エンゲル カール ,  バウアー ヨハネス ,  ヘルマン ジークフリート ,  プルーセル アンドレアス ,  カッツ シメオン ,  メーヤー トビアス ,  ジニ ロレンツォ ,  マウテ マルクス

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP6251387B2

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：JP2016519128

申请日：2015-02-12

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 磯部 雅哉

IPC: H03K17/16 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H03K17/08

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H03K17/063 ,  H03K17/165 ,  H03K17/687 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H01L29/41758

公开(公告)号：JP2017208593A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：JP2016097620

申请日：2016-05-16

Applicant: 住友電装株式会社

Inventor： 長濱 崇裕

IPC: H03K17/687

CPC classification number: G06F1/28 ,  G06F1/30 ,  H01H9/541 ,  H01L27/0248 ,  H02J9/061 ,  H03K17/162 ,  H03K17/302

Abstract: 【課題】スイッチ部のオン動作による負荷通電によって基準電位が変動した場合でもスイッチ部において誤った遮断動作が生じにくい負荷駆動装置を実現する。 【解決手段】負荷駆動装置1は、駆動信号と非駆動信号とを出力する制御部3と、電源部91と負荷93との間に配置された電力路50を通電状態と非通電状態とに切り替える構成をなし、第1入力線31の電位と負荷側の導電路52(P−GND)の電位との差が所定値を超える場合に電力路50を通電状態に切り替える第1スイッチ部10と、制御部3が駆動信号を出力した場合に電源路51と第1入力線31との間を導通させ、制御部3が非駆動信号を出力した場合に電源路51と第1入力線31との間の導通を遮断する第2スイッチ部20とを備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6190204B2

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：JP2013164397

申请日：2013-08-07

Applicant: エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社

Inventor： 北島 裕一郎

IPC: H02J7/00 ,  H02J1/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H02H11/00

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L27/088 ,  H02H11/00 ,  H02H11/002 ,  H02J1/00 ,  H02J7/00 ,  H02J7/0034 ,  H03K17/08 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265

公开(公告)号：JP2017143127A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016022499

申请日：2016-02-09

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 前原 宏昭 ,  宮下 美代 ,  山本 和也

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/872 ,  H01L27/0251

Abstract: 【課題】本発明は、マイクロ波帯・ミリ波帯で用いる電界効果トランジスタ(FET)の静電放電耐性の改善に関する。 【解決手段】本発明に係る静電保護ダイオード付き電界効果トランジスタは,第1のFETと、第1のFETの第1のゲートと第1のソースとの間に接続された2端子静電気保護回路とを備え、2端子静電気保護回路は、第1のゲートに第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに逆方向にバイアスされる側に位置し、第1のFETの第1のゲートと第1のソース間の逆方向耐圧よりも低い逆方向耐圧を有する第1のダイオードと、第1のゲートに前記第1のソースの電位よりも低い電圧を印加したときに順方向にバイアスされる側に位置し、第1のダイオードと逆直列に接続された第2のダイオードと、第1のダイオードと第2のダイオードで構成されるダイオード対と直列に接続され、第1のFETと同じチャネル層を用いて形成された抵抗とを含む。 【選択図】図1