公开(公告)号：KR101861458B1

公开(公告)日：2018-05-28

申请号：KR1020167021623

申请日：2015-03-09

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 나카야마도쿠유키 ,  니시무라에이이치로 ,  이와라마사시

IPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/221 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 본발명은, 스퍼터링법에의해산화물반도체박막으로한 경우에, 낮은캐리어농도, 높은캐리어이동도가얻어지는산화물소결체및 그것을이용한스퍼터링용타겟을제공한다. 이산화물소결체는, 인듐및 갈륨을산화물로서함유하고, 질소를함유하며, 아연을함유하지않는다. 갈륨의함유량이 Ga/(In + Ga) 원자수비로 0.20 이상 0.60 이하이고, GaN상을실질적으로포함하지않는다. 또한, GaO상을갖지않는것이바람직하다. 이산화물소결체를스퍼터링용타겟으로하여형성한비정질의산화물반도체박막은, 캐리어농도 3×10㎝이하, 캐리어이동도 10 ㎝Vsec이상이얻어진다.

公开(公告)号：KR101840062B1

公开(公告)日：2018-03-19

申请号：KR1020127022054

申请日：2011-02-22

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 이토세마사유키 ,  니시무라마미 ,  가사미마사시 ,  야노고키

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： 인듐원소(In), 갈륨원소(Ga) 및주석원소(Sn)를하기수학식 1∼3의원자비로포함하는산화물소결체. [수학식 1] 0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 [수학식 2] 0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 [수학식 3] 0.0001

摘要翻译： 其中铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）包含在下式（1）至（3）中。 Sn /（In + Ga + Sn） Sn）≤0.60

公开(公告)号：KR101789548B1

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：KR1020127018871

申请日：2011-01-07

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 아베요시유키 ,  와케리이치로 ,  쿠와하라마사카즈 ,  소가베켄타로 ,  오시로아즈사 ,  야다히사키

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749 ,  C04B35/626 ,  C04B35/638

CPC分类号： H01L31/022466 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/24 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/21

摘要： 증착용산화물태블릿(산화물증착재)과, 이것을사용하여제조되는증착박막및 태양전지를제공하는것을목적으로하고, 상기태블릿은산화인듐을주성분으로하고세륨을포함하고소결후의표면연삭가공이되어있지않은소결체에의해구성되어있고, 소결체표면으로부터 5㎛의깊이까지의표면층에있어서의세륨함유량을 Ce/In 원자수비(Comp)로하고소결체전체에있어서의세륨함유량의평균값을 Ce/In 원자수비(Comp)로한 경우, Comp/Comp=0.9∼1.1인것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101768833B1

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：KR1020167029171

申请日：2010-07-29

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 나카야마토큐유키 ,  아베요쉬유키

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01J1/00 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/42

摘要： 본발명은, 청색 LED나태양전지에적합한투명도전막의고속성막과무노듈을실현할수 있는스퍼터링용타겟, 그것을얻기위한최적의산화물소결물체와그 제조방법에관한것이다. 인듐과세륨을산화물로서함유하고, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 몰리브덴및 텅스텐으로이루어진금속원소군으로부터선택되는 1종이상의금속원소(M 원소)를산화물로서함유하고, 세륨의함량이 Ce / (In + Ce + M) 원자수비로 0.3 내지 9 원자%, M 원소의함량이 M / (In + Ce + M) 원자수비로 1 원자% 이하, 세륨과 M 원소의총 함량이 (Ce + M) / (In + Ce + M) 원자수비로 9 원자% 이하인산화물소결물체이며, 상기산화물소결물체는, 빅스바이트형(bixbyite-type) 구조의 InO상이주요결정상(main crystal phase)을형성하고, 제 2 상으로서형석형구조(fluorite type structure)의 CeO상이평균입경 3 ㎛이하의결정립(crystal grain)으로서미세하게분산되어있는산화물소결물체; 산화인듐분말과산화세륨분말을포함하는원료분말에 M 원소의산화물분말을첨가하여혼합하고, 상기원료분말의평균입경은 1.5 ㎛이하이며, 혼합분말을성형하고, 성형물을상압소결법에따라소결하거나, 또는혼합분말을핫 프레스법에따라성형하여소결하는산화물소결물체의제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101766852B1

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：KR1020170056457

申请日：2017-05-02

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 아베,요시유키 ,  와케,리이치로 ,  쿠와하라,마사카즈 ,  마에노,야스유키

IPC分类号： C23C14/08 ,  H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/626 ,  C23C14/00

CPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/0015 ,  C23C14/08

摘要： 본발명의산화물증착재는산화인듐을주성분으로하고, Ce/In 원자수비로 0.110을초과하고 0.538 이하의세륨을포함하는소결체에의해구성되고, CIE 1976 표색계에서의 L값이 62∼95인것을특징으로한다. L값이 62∼95인상기산화물증착재는최적의산소량을갖기때문에, 성막진공조로의산소가스도입량이적어도파장 550nm에서의굴절률이 2.15∼2.51의저저항이고가시역부터근적외역에서의고투과성의고굴절률투명막을진공증착법으로제조할수 있고, 산소가스의도입량이적기때문에막과증착재와의조성차를작게할 수있다.

公开(公告)号：KR101699968B1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：KR1020097012157

申请日：2007-11-30

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 이노우에,가즈요시 ,  야노,고끼 ,  우쯔노,후또시

IPC分类号： C04B35/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： 인듐(In), 갈륨(Ga) 및아연(Zn)의산화물을함유하는스퍼터링타겟으로서, ZnGaO로표시되는화합물및 InGaZn로표시되는화합물을포함하는스퍼터링타겟.

摘要翻译： 包含铟（In），镓（Ga）和锌（Zn）的氧化物的溅射靶，其包含由ZnGa 2 O 4表示的化合物和InGaZnO 4所示的化合物。

公开(公告)号：KR1020160127732A

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：KR1020167022418

申请日：2015-02-12

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 나카야마도쿠유키 ,  니시무라에이이치로 ,  마츠무라후미히코 ,  이와라마사시

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

摘要： 본발명은스퍼터링법에의해산화물반도체박막으로한 경우에, 낮은캐리어농도, 높은캐리어이동도를얻을수 있는산화물소결체, 및그것을이용한스퍼터링용타겟을제공한다. 그산화물소결체는, 인듐, 갈륨및 아연을산화물로서함유한다. 갈륨의함유량이 Ga/(In+Ga) 원자수비로 0.20 이상 0.49 이하이고아연의함유량이 Zn/(In+Ga+Zn) 원자수비로 0.0001 이상 0.08 미만이다. 이산화물소결체를스퍼터링용타겟으로서형성한비정질의산화물반도체박막은, 캐리어농도 4.0×10㎝이하로, 캐리어이동도 10 ㎠/V·s 이상을얻을수 있다.

摘要翻译： 一种氧化物烧结体，其通过溅射制成氧化物半导体薄膜时，可以实现低载流子密度和高载流子迁移率，并且提供使用所述氧化物烧结体的溅射靶。 该氧化物烧结体含有铟，镓和锌作为氧化物。 镓含量按Ga /（In + Ga）原子比计为0.20以上且0.49以下，Zn /（In + Ga + Zn）原子比为0.0001以上且小于0.08 。 该非晶氧化物半导体薄膜由氧化物烧结体形成为溅射靶，可以实现4.0×10 18 cm -3以下的载流子密度和10cm 2 / V * s以​​上的载流子迁移率。

公开(公告)号：KR1020160124259A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：KR1020167029171

申请日：2010-07-29

申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤

发明人： 나카야마토큐유키 ,  아베요쉬유키

IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/668 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01B1/08 ,  H01J1/00 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/42 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261

摘要： 본발명은, 청색 LED나태양전지에적합한투명도전막의고속성막과무노듈을실현할수 있는스퍼터링용타겟, 그것을얻기위한최적의산화물소결물체와그 제조방법에관한것이다. 인듐과세륨을산화물로서함유하고, 티타늄, 지르코늄, 하프늄, 몰리브덴및 텅스텐으로이루어진금속원소군으로부터선택되는 1종이상의금속원소(M 원소)를산화물로서함유하고, 세륨의함량이 Ce / (In + Ce + M) 원자수비로 0.3 내지 9 원자%, M 원소의함량이 M / (In + Ce + M) 원자수비로 1 원자% 이하, 세륨과 M 원소의총 함량이 (Ce + M) / (In + Ce + M) 원자수비로 9 원자% 이하인산화물소결물체이며, 상기산화물소결물체는, 빅스바이트형(bixbyite-type) 구조의 InO상이주요결정상(main crystal phase)을형성하고, 제 2 상으로서형석형구조(fluorite type structure)의 CeO상이평균입경 3 ㎛이하의결정립(crystal grain)으로서미세하게분산되어있는산화물소결물체; 산화인듐분말과산화세륨분말을포함하는원료분말에 M 원소의산화물분말을첨가하여혼합하고, 상기원료분말의평균입경은 1.5 ㎛이하이며, 혼합분말을성형하고, 성형물을상압소결법에따라소결하거나, 또는혼합분말을핫 프레스법에따라성형하여소결하는산화물소결물체의제조방법에관한것이다.

摘要翻译： 能够实现适合于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜的高速成膜，无节点成膜，最适合于获得该氧化物烧结体的溅射靶和制造方法 它们。 包含氧化铟和氧化铈的氧化物烧结体，并且还包含作为氧化物的一种或多种选自钛，锆，铪，钼和钨的金属元素组中的一种或多种金属元素（M元素） 其中铈含量为0.3〜9原子％，作为Ce /（In + Ce + M）的原子数比，M元素含量为1原子％以下，原子比为M / （In + Ce + M），并且铈和M元素的总含量等于或低于9原子％，作为（Ce + M）/（In + Ce + M）的原子数比，其特征在于 所述氧化物烧结体具有作为主晶相的二氧化物结构的In 2 O 3相，具有以平均粒径为3以下的晶粒微细分散的萤石型结构的CeO 2相 μm，作为第二相; 通过混合氧化铟粉末和氧化铈粉末得到的氧化物烧结体的制造方法以及含有M元素的氧化物粉末的平均粒径等于或小于1.5μm的原料粉末，然后将该混合粉末 ，并通过常压烧结法烧结成型体，或者通过热压法成型和烧结混合粉末等。

公开(公告)号：KR1020150119271A

公开(公告)日：2015-10-23

申请号：KR1020157025102

申请日：2014-02-14

申请人： 더 유니버시티 오브 맨체스터

发明人： 프리어로버트 ,  노르만콜린 ,  린웨 ,  스리바스타바디판슈 ,  킨록이안

IPC分类号： H01L35/14 ,  H01L35/22 ,  H01L35/18 ,  C01B31/04 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  H01L35/34

CPC分类号： H01L35/22 ,  C01B32/19 ,  C01B32/194 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B35/453 ,  C04B35/47 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3237 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/80 ,  C25D9/02 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34 ,  Y02P20/129

摘要： 열전성질을갖는복합재료및 이러한재료로부터제조되는장치가기재된다. 열전복합재료는금속산화물재료및 그래핀또는개질된그래핀을포함할수 있다. 그래핀또는개질된그래핀을열전금속산화물재료에첨가하는것은 ZT를증가시키는것으로밝혀졌다. 또한, 금속산화물의 ZT가더 넓은온도범위에걸쳐서그리고더 낮은온도에서효과적이게되는것으로밝혀졌다.

公开(公告)号：KR1020150038539A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157005411

申请日：2013-08-08

申请人： 도소 가부시키가이샤

发明人： 구라모치히데토 ,  다마노기미아키 ,  아키이케료 ,  이이구사히토시

IPC分类号： C04B35/01

CPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01J2237/332

摘要： 넓은파장역에걸쳐보다낮은광 흡수특성을나타내면서, 또한저저항의산화물투명도전막을얻을수 있는복합산화물소결체및 산화물투명도전막을제공한다. 인듐, 지르코늄, 하프늄및 산소를갖는복합산화물소결체로서, 당해소결체를구성하는원소의원자비가인듐, 지르코늄및 하프늄의함유량을각각 In, Zr, Hf 로했을때에, Zr/(In+Zr+Hf) = 0.05 ∼ 4.5 at% Hf/(In+Zr+Hf) = 0.0002 ∼ 0.15 at% 인것을특징으로하는복합산화물소결체를제공한다.

摘要翻译： 提供一种复合氧化物烧结体，可以得到在宽波长范围内具有较低的光吸收特性并具有低电阻的氧化物透明导电膜和氧化物透明导电膜。 包含铟，锆，铪和氧的复合氧化物烧结体，其中构成烧结体的元素的原子比满足下式：其中In，Zr和Hf分别是铟，锆和铪的含量：Zr / ln + Zr + Hf = 0.05〜4.5at％Hf / In + Zr + Hf = 0.0002〜0.15at％