公开(公告)号：KR101480738B1

公开(公告)日：2015-01-09

申请号：KR1020097024312

申请日：2008-04-24

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 호프만,다니엘제이. ,  베라,카를롤

IPC分类号： C23F1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： F15D1/0005 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

摘要： 에칭 장치를 위한 배플 조립체가 개시된다. 배플 조립체는 링과, 플랜지부와 하부 프레임부 사이에서 연장되는 굽은 벽을 가진 하부 배플부를 포함한다. 가열 조립체는 배플의 온도를 제어하기 위해 하부 프레임부 내에 제공될 수 있다. 배플 조립체는 챔버에서 프로세싱 공간 내에서 플라즈마를 국한하는 것을 도울 수 있다. 링은 실리콘 카바이드를 포함할 수 있고, 하부 배플부는 알루미늄을 포함할 수 있다.

摘要翻译： 公开了一种用于蚀刻装置的挡板组件。 挡板组件包括环和下挡板部分，其具有在凸缘部分和下框架部分之间延伸的弯曲壁。 加热组件可能存在于下框架部分内以控制挡板的温度。 挡板组件可以帮助将等离子体限制在腔室中的处理空间内。 环可以包括碳化硅，并且下挡板部分可以包括铝。

公开(公告)号：KR101475424B1

公开(公告)日：2014-12-22

申请号：KR1020127032543

申请日：2011-06-03

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 마하데스와라스와미,체탄 ,  베라,칼롤 ,  엘리자카,래리,디.

IPC分类号： H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/02 ,  F28D2021/0028 ,  F28F7/02 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32908 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

摘要： 플라즈마프로세스가플라즈마프로세싱장치에의해서실행될때 프로세스또는챔버컴포넌트온도를제어하기위한컴포넌트들및 시스템들이제공된다. 제 1 열전달유체채널은플라즈마프로세싱챔버내에배치된작업표면의아래에있는컴포넌트내에배치되며, 그에따라작업표면의제 1 온도구역의아래에있는제 1 채널의제 1 길이는작업표면의제 2 온도구역의아래에있는제 1 채널의제 2 길이와상이한열 전달계수(h) 또는열 전달면적(A)을포함한다. 실시예들에서, 제 1 및제 2 온도구역들의온도제어를보다독립적으로만들기위해서, 상이한열 전달계수들또는열 전달면적들이온도구역의함수로서제공된다.

公开(公告)号：KR101468221B1

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：KR1020080010888

申请日：2008-02-01

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 베일리3세앤드류디 ,  첸잭 ,  김윤상 ,  섹스턴그레고리에스

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/68721

摘要： 위치관계는프로세스챔버에서성립된다. 상부전극이웨이퍼를지지하는제 1 표면으로구성되며, 전극은제 2 표면을가진다. 선형드라이브가상기드라이브와상기상부전극사이에연결된링키지및 베이스상에탑재된다. 링키지조정은상기표면들사이에바람직한배향을규정한다. 상기드라이브및 링키지는어셈블리가서로에대해서움직이는상기표면들을가진상기상부전극을움직이는동안바람직한배향을유지한다. 상기전극들사이에규정된환형에칭영역은웨이퍼의최상부및 저부를따라서연장되는웨이퍼에지제외영역의에칭을가능하게한다. 제거가능에칭규정링들은에칭될웨이퍼의최상부및 저부의각각을따라서고유한구간 (length) 들을규정하도록구성된다. 표면들의위치관계들은제외영역의이들고유한구간들에대한에칭을제한하는것을가능하게한다.

公开(公告)号：KR1020140136064A

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：KR1020147030949

申请日：2007-05-02

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 찬드라추드,마드하비,알. ,  레윙턴,리차드 ,  비벤스,다린 ,  쿠말,아제이 ,  이브라힘,이브라힘,엠. ,  그림베르겐,마이클,엔. ,  코치,레니 ,  파나일,쉬바,제이.

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01L21/67069

摘要： 피가공재를 프로세싱하기 위한 플라즈마 반응기는 천정을 포함하는 인클로저를 갖고 상기 천정에 일반적으로 직각을 이루는 수직 대칭 축을 갖는 프로세스 챔버, 일반적으로 상기 천정과 대향하고 상기 챔버 내에 놓이는 피가공재 지지 받침대, 상기 챔버에 연결되는 프로세스 가스 분사 장치, 및 상기 챔버에 연결되는 진공 펌프를 포함한다. 상기 반응기는 상기 천정의 위에 놓이고 반경방향 내측 공급기부와 반경방향 외측 공급기부를 갖는 플라즈마 소스 전력 공급기들, 상기 내측 및 외측 공급기부들에 연결되는 RF 전력 장치, 및 적어도 상기 외측 공급기부를 지지하며 대칭 축에 대해 직각을 이루는 반경방향 축 주위에서 적어도 상기 외측 공급기부를 기울일 수 있고 상기 대칭 축 주위에서 적어도 상기 외측 공급기부를 회전시킬 수 있는 기울임 장치를 더 포함한다. 상기 반응기는 수직 대칭 축을 따라 서로에 대한 상기 내측 및 외측 공급기부들의 위치를 변경시키기 위한 상승(elevation) 장치를 더 포함할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 상기 상승 장치는 수직 대칭 축을 따라 상기 내측 공급기부를 상승 및 하강시키기 위한 리프트 액츄에이터를 포함한다.

摘要翻译： 用于处理工件的等离子体反应器包括：处理室，其具有包含天花板和大致垂直于天花板的垂直对称轴的外壳;大体上与天花板相对且位于室内的工件支撑基座; 连接到其上的工艺气体注射器，以及连接到腔室的真空泵。 该反应器包括覆盖在天花板上的等离子体源电源，并具有径向内馈电器和径向外馈电器，耦合到内馈电器和外馈电器的RF功率器件以及至少外馈电器 以及倾斜装置，其能够围绕垂直于对称轴线的径向轴线使至少外部供应底座倾斜并且使至少外部供应底座围绕对称轴线旋转。 反应器还可以包括升降装置，用于沿着对称的竖直轴线改变内部和外部供给基座相对于彼此的位置。 在优选实施例中，升降装置包括升降致动器，用于沿垂直对称轴升降内供应底座。

公开(公告)号：KR101461139B1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：KR1020130084398

申请日：2013-07-17

申请人： 주식회사 코디

发明人： 박찬중 ,  남창길 ,  김종학 ,  조길영 ,  김문기

IPC分类号： H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

摘要： 플라즈마 소스 및 플라즈마 에칭 장치가 개시된다. 여기서, 플라즈마 소스는 일측이 접지된 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하도록 배치되고, 일측이 전원공급부와 연결되는 제2 전극, 그리고 일측이 접지되고 상기 제2 전극과 대향하도록 배치된 제3 전극을 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이 그리고 상기 제2 전극과 상기 제3 전극 사이에 내부공간을 형성하며 플라즈마 방전을 발생시킨다.

摘要翻译： 公开了等离子体源和等离子体蚀刻装置。 等离子体源：包括在一侧放置于地的第一电极，布置成面向第一电极并且连接到一侧的电源单元的第二电极和放置在地面处的第三电极 一侧并且被布置为面对第二电极; 在第一电极和第二电极之间以及第二电极和第三电极之间形成内部空间; 并产生等离子体放电。

公开(公告)号：KR101460375B1

公开(公告)日：2014-11-10

申请号：KR1020090069933

申请日：2009-07-30

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 사이토스스무 ,  시미즈아키타카

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01L21/67242 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 본 발명은 기판이 2종류의 미소 구조를 갖는 경우에도, 미소 구조에 있어서의 형상의 치수를 엄밀하게 제어할 수 있는 기판 처리 제어 방법을 제공한다.
본 발명의 기판 처리 제어 방법은 메모리 셀(83)의 CD값마다 RCWA를 이용하여 메모리 셀(83)로부터의 반사율의 스펙트럼을 계산해서 취득하고, 또한 스칼라 해석을 이용하여 논리부(82)로부터의 반사율의 스펙트럼을 계산해서 취득하고, 이들 2개의 반사율의 스펙트럼을 중첩해서 메모리 셀(83)의 CD값마다 레퍼런스 스펙트럼 데이터를 취득하고, 에칭 중에 있어서, 메모리 셀(83) 및 논리부(82)로부터의 반사광에 의거하여 실측 스펙트럼 데이터를 산출하고, 실측 스펙트럼 데이터와 대략 일치하는 레퍼런스 스펙트럼 데이터의 CD값을 메모리 셀(83)의 측정된 CD값으로서 취득하고, 해당 측정된 CD값이 소망 값에 도달한 경우에, 에칭을 종료하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020140124335A

公开(公告)日：2014-10-24

申请号：KR1020140044932

申请日：2014-04-15

申请人： 파나소닉 주식회사

发明人： 야마구치나오시 ,  다나베히로시 ,  다니구치야스시

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  Y02E10/50

摘要： 본 발명은 복수의 기판을, 동시에 처리하여 텍스쳐를 형성하는 장치로서, 처리시에, 모든 기판과 각각의 기판면 내의 텍스쳐를 균일하게 형성하고, 모든 기판과 각각의 기판면 내의 반사율을 균일화하는 것을 실현함과 아울러, 설비의 소형화도 실현하는 넌플라즈마 드라이 에칭 장치를 제공한다.
반응실 내에서, 프로세스 가스의 흐름과 평행하게 되도록 기판을 다단으로 탑재한다. 흐름의 상류측에 난류 발생 블레이드를 설치함으로써 균일한 에칭을 실현한다.

摘要翻译： 本发明涉及通过同时处理多个基板来形成纹理的装置。 非等离子体干蚀刻装置在所有基板和各个基板的表面均匀地形成纹理，并且在所有基板和各个基板的表面以及设备的小型化中实现均匀的反射率。 基板以多个阶段加载，以便平行于反应室中的工艺气体的流动。 通过在流动的上游侧安装用于产生湍流的叶片来实现均匀蚀刻。

公开(公告)号：KR1020140123930A

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：KR1020147017775

申请日：2012-02-08

申请人： 이와타니 산교 가부시키가이샤

发明人： 요시노유 ,  코이케쿠니히코 ,  사에다마나부 ,  마나베토시키

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45561 ,  H01L21/67069

摘要： 처리 작업시에 반응실에서의 ClF
3 의 농도 저하를 확실히 억제할 수 있는 삼불화 염소 공급로의 내면 처리 방법을 제공한다. 삼불화 염소를 에칭 가스로서 사용하는 처리 장치의 처리 챔버(1)에 가스 공급로(2) 및 가스 배출로(3)를 일체로 연결하고, 이 일체로 형성된 처리 챔버(1), 가스 공급로(2) 및 가스 배출로(3) 중, 적어도 처리 챔버(1)와 가스 공급로(2)의 내면에 에칭 처리 조작시에 공급하는 삼불화 염소 가스의 농도와 같거나 그것보다 고농도의 삼불화 염소 가스를 작용시켜, 적어도 처리 챔버(1)와 가스 공급로(2)의 내면을 불화막으로 피막 한다.

公开(公告)号：KR101450757B1

公开(公告)日：2014-10-17

申请号：KR1020130095359

申请日：2013-08-12

申请人： 주식회사 테라텍

发明人： 홍진 ,  임연호 ,  김광석

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357

摘要： A plasma process apparatus using heterogeneous plasma multiple connection and a method thereof are disclosed. A plasma process using heterogeneous plasma multiple connection according to present invention comprises: a step (a) for forming plasma A in a reaction chamber; a step (b) for forming plasma B having a degree of dissociation different from that of plasma A in a reactor connected by the reaction chamber and a plasma connecting pathway; and a step (c) for progressing an etching process to plasma A+B which is a combination of different plasmas in the reaction chamber. Accordingly, properties needed for different gas following characteristics of the process can be independently controlled in each reactor, and process effect can be maximized by connecting heterogeneous plasmas in the final reaction chamber.

摘要翻译： 公开了一种使用异质等离子体多重连接的等离子体处理装置及其方法。 根据本发明的使用异质等离子体多重连接的等离子体工艺包括：用于在反应室中形成等离子体A的步骤（a）; 在由反应室连接的反应器中形成具有与等离子体A的解离度不同的等离子体B的等离子体B的工序（b）和等离子体连接路径; 以及用于对作为反应室中的不同等离子体的组合的等离子体A + B进行蚀刻处理的步骤（c）。 因此，可以在每个反应器中独立地控制该方法的不同气体跟踪特性所需的性质，并且可以通过在最终反应室中连接异质等离子体来最大化加工效果。

公开(公告)号：KR1020140114817A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020147017920

申请日：2013-01-09

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 오오하시카오루

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L22/26 ,  H02N13/00

摘要： 고주파 전력에 의해 가스를 플라즈마화하고, 이 플라즈마의 작용에 의해 피처리체를 플라즈마 처리하는 플라즈마 처리 장치로서, 감압 가능한 챔버와, 챔버 내에 설치되고, 피처리체를 재치하는 재치대와, 재치대에 설치되고, 척 전극에 전압을 인가함으로써 피처리체를 정전 흡착하는 정전 척과, 정전 척 내 또는 근방에 설치되고, 원형의 센터 존과 그 외주측에 동심원 형상으로 설치된 2 개 이상의 미들 존과, 최외주에 동심원 형상으로 설치된 엣지 존으로 분할된 히터와, 히터의 제어 온도를 상기 분할된 존마다 조정하는 온도 제어부를 구비하는 플라즈마 처리 장치가 제공된다.