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公开(公告)号：KR101092203B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：KR1020090044594
申请日：2009-05-21
Applicant: (주)티피에스 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B21F17/00 , B21F19/00 , C09D133/08 , B26F3/00
Abstract: 본발명은, 반도체재료가공용다이아몬드와이어제조방법및 이를통해제작된다이아몬드와이어에관한것으로서, 와이어의표면에 UV 경화제를도포하고, UV 경화제가도포된와이어의표면에다이아몬드입자를부착한다음, UV 경화제를경화시키는방식으로다이아몬드와이어를제작함으로써, 종래슬러리로인한피절단재와기자재오염을최소화할 수있고, 폐슬러리의처리문제도해소할수 있으며, 특히다이아몬드입자가이탈되지않도록하여부착강도를높일수 있고, 이에따라전체다이아몬드와이어의성능향상에기여할수 있음은물론사용수명도보다길게할 수있는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR101093064B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020100043331
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주)티피에스
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
Abstract: 본 발명은 반도체 재료 절단용 와이어의 텍스처링 장치에 관한 것으로서, 평판면에 착탈가능하게 결합되는 베이스 플레이트와; 상기 베이스 플레이트의 상부에 안착설치되고, 그 상부에는 상부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 하부 플레이트와; 상기 하부 플레이트에 대하여 승강되고, 그 하부에는 상기 상부 보빈틀과 대응되는 하부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 상부 플레이트 및; 상기 상부 보빈틀 또는 하부 보빈틀 사이의 와이어 끼움홈에 설치되어 이 끼움홈을 통과하는 와이어에 텍스처링을 하는 다이아몬드 커터를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 와이어의 표면에 균일한 텍스처링이 이루어짐으로써, 와이어의 표면에 니켈이나 에폭시 등의 부착제와, 다이아몬드 등의 연마입자가 균일하게 코팅되는바, 단선의 우려가 불식되어 와이어의 소모량을 줄이면서도 절단량을 증가시킬 수 있고, 절단시간을 감소시킬 수 있게 되어 대구경의 잉곳도 용이하게 절단시킬 수 있게 되는 매우 유용한 효과가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020110123873A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100043331
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주)티피에스
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: B24B27/0633 , B28D5/045
Abstract: PURPOSE: A texturing apparatus of a wire for semiconductor material cutting is provided to prevent the occurrence of a disconnection by coating grinding particles in a state of forming texture on the wire. CONSTITUTION: The texturing apparatus of a wire comprises a base plate(20). Connection bolts are installed on the four corners of the base plate. A guide bar is installed on the four corners of the base plate in a vertical direction. A bottom plate(30) installed on the top of the base plate. A top bobbin frame(42) is pivotally installed on the top of the bottom plate. A top plate(40) is ascended and descended corresponding to the bottom plate. A bottom bobbin frame(32) is pivotally installed in the lower part of the top plate. A diamond cutter(60) is installed in a wire fitting groove. The diameter of the diamond cutter is 0.1-0.2mm.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体材料切割的导线的纹理装置，以防止在线上形成纹理的状态下通过涂覆研磨颗粒而发生断开。 构成：电线的纹理装置包括基板（20）。 连接螺栓安装在底板的四个角上。 导杆在垂直方向安装在底板的四个角上。 安装在基板顶部的底板（30）。 顶部骨架框架（42）枢转地安装在底板的顶部上。 顶板（40）对应于底板上升和下降。 底架（32）枢转地安装在顶板的下部。 金刚石切割器（60）安装在线材嵌合槽中。 金刚石刀具的直径为0.1-0.2mm。
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公开(公告)号：KR1020100125746A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020090044594
申请日：2009-05-21
Applicant: (주)티피에스 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B21F17/00 , B21F19/00 , C09D133/08 , B26F3/00
CPC classification number: B21F19/00 , B05D3/061 , C09D133/08
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials and a diamond wire manufactured by the same are provided to minimize the contamination of materials due to slurry by employing a diamond wire in which diamond abrasive particles used in multi-wire saw cutting are attached to a wire. CONSTITUTION: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials comprises steps of: feeding a wire(S1), coating a UV hardener on the surface of a wire(S2), attaching diamond particles to the surface of the wire in which the UV hardener is spread(S3), and hardening the UV hardener(S5). The wire feed step includes a cleaning process for removing organic materials or other foreign substances from the surface of a wire, a heat treatment process for heat-treating the wire at 100°C-130°C, and a surface activation process for passing the wire through diluted acid solution of 5%-20%.
Abstract translation: 目的：提供一种制造用于处理半导体材料的金刚丝线和由其制造的金刚石线的方法，以通过使用金刚石线来最小化由于浆料而导致的材料的污染，其中用于多线锯切割的金刚石磨粒是 附在电线上。 构成：制造用于处理半导体材料的金刚丝线的方法包括以下步骤：馈送线（S1），在线表面上涂覆UV固化剂（S2），将金刚石颗粒附着到线的表面，其中 紫外线固化剂扩散（S3），硬化紫外线硬化剂（S5）。 送丝步骤包括从线材表面除去有机材料或其它异物的清洁工艺，用于在100℃-130℃下对线材进行热处理的热处理工艺和用于使线 电线通过稀酸溶液5％-20％。
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公开(公告)号：KR101652965B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020140144820
申请日：2014-10-24
Applicant: (주)티피에스
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은초음파를이용하여반응시간을획기적으로단축시키는것을특징으로하는그래핀옥사이드의제조방법및 그제조장치에관한것으로서, 더욱구체적으로는반응기에그래파이트(Graphite) 및산을투입하고 1차반응시킨후, 초음파진동을가함으로써단시간내에그래핀옥사이드를생산하는방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀옥사이드의제조방법은초음파진동막대가구비된장치를이용하여반응시간을획기적으로단축시킴으로써그래핀옥사이드의생산당생산량이증가하여대량생산이가능한장점이있다. 또한, 필터를이용하여간단하게반응물의정제가가능함으로써종래기술에비해비용이저렴한경제적특징이있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101524748B1
公开(公告)日：2015-06-02
申请号：KR1020130166721
申请日：2013-12-30
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본발명은단결정성장로히터용전극냉각용냉각수관로구조에관한것으로서, 구체적으로는일반적인단결정성장로에서공정조건으로중요한위치를차지하는관로내 온도분포를단결정공정에맞게개선하기위한것으로단결정성장로의도가니온도분포개선을위해히터용전극내 냉각수관로구조를새로이구성한단결정성장로히터용전극냉각용냉각수관로구조에관한것이다. 본발명은단결정성장로의히터용전극내 냉각수관로구조의개선을통해전극의온도분포개선을통해히터의온도분포를일정하게유지하도록함으로써단결정성장에필요한도가니의온도분포를고르게형성시키도록할 수있다는장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于冷却单晶生长炉加热器的电极的冷却剂管结构，更具体地说，涉及一种用于冷却用于单晶生长炉加热器的电极的冷却剂管结构，其电极中的冷却剂管结构用作加热器 改进以改善单晶生长炉的坩埚中的温度分布，并且根据单晶工艺改善管中的温度分布，因为冷却剂管是单晶生长炉的工艺条件中的重要位置。 用于单晶生长炉的加热器的电极中的冷却剂管的结构改进被允许改善电极的温度分布并保持加热器中的温度分布，从而均匀地形成加热器的温度分布，这是需要增长的 单晶生长。
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公开(公告)号：KR1020160051076A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020140150494
申请日：2014-10-31
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: B01D71/024 , B01D69/087 , B01D71/34 , B01D2323/39 , B01D2325/36
Abstract: 본발명은산화그래핀이포함된중공사막의제조방법에관한것으로, 본발명의제조방법에따라제조된중공사막은산화그래핀을포함함으로써, 균일한기공크기를가지고, 친수성및 우수한물성을가지고있는장점을가진다.
Abstract translation: 本发明涉及包含氧化石墨烯的中空纤维膜的制造方法。 根据本发明的制造方法，制造的中空纤维膜由氧化石墨烯构成，具有均匀的孔径，亲水性和物性优异。 中空纤维膜的制造方法包括以下步骤：制造氧化石墨烯溶液; 制造纺丝溶液; 并制造中空纤维膜。
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公开(公告)号：KR1020150127927A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020140054335
申请日：2014-05-07
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: B01D63/04 , B01D63/046 , B01D69/08
Abstract: 본발명은하이브리드형수처리분리막모듈로서, 구체적으로는상하가개구되어있는통 형태의다공성세라믹분리막모듈과다공성세라믹분리막모듈의내부에안착되어결합되는중공사막모듈또는나노섬유분리막모듈과상기수처리모듈들이패키징되어내장되어있고수처리를할 수있도록하는수처리모듈케이스로구성되어다공성세라믹분리막의장점과중공사막또는나노섬유분리막의장점이복합적으로융복합되어있는하이브리드형수처리분리막모듈에관한것이다. 본발명은세라믹분리막과중공사막또는나노섬유분리막의장점을결합하여제공하는것으로서기체분리막, 의료형분리막또는고도수처리용분리막분야에사용될수 있는고도수처리용분리막모듈을제공한다는장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种混合水处理分离膜组件。 更具体地，混合水处理分离膜组件包括：多孔陶瓷分离膜组件，其顶部和底部打开时是桶形的; 中空纤维膜组件或纳米纤维分离模块，其安装并耦合在多孔陶瓷分离膜组件内; 以及水处理模块的壳体，其中水处理模块被包装和嵌入，并且能够进行水处理。 本发明的混合水处理分离膜组件具有中空纤维膜和中空纤维膜或纳米纤维分离膜组合的优点。 本发明提供了中空纤维膜和中空纤维膜或纳米纤维分离膜的组合优点，并且能够提供可用于空气分离膜应用的高级水处理分离膜组件， 医用分离膜或高级水处理分离膜。
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公开(公告)号：KR1020110088953A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020100008710
申请日：2010-01-29
Applicant: (주)티피에스 , 재단법인 대구테크노파크
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A wafer surface inspection is provided to improve the accuracy of a surface analysis in wafer by emitting the right which is emitted from a light source of an optical microscope as an angle of incidence of a prescribed range which is not perpendicularity. CONSTITUTION: A supporting plate(10) is located at the lower part of a projection lens of an optical microscope. A search point controlling part(20) is connected to the upper part of the supporting plate. A wafer which inspects a surface is horizontally arranged on the search point controlling part. The search point controlling part controls a search point about a wafer surface of the right which is emitted from the optical microscope through the projection lens. A search angle controlling part(30) is connected to between the search spot controlling part and the supporting plate and controls a search angle about a search spot of the right.
Abstract translation: 目的：提供晶片表面检查，通过发射从光学显微镜的光源发射的权利作为不是垂直度的规定范围的入射角来提高晶片中的表面分析的精度。 构成：支撑板（10）位于光学显微镜的投影透镜的下部。 搜索点控制部分（20）连接到支撑板的上部。 检查表面的晶片水平地布置在搜索点控制部分上。 搜索点控制部分控制通过投影透镜从光学显微镜发射的关于右侧的晶片表面的搜索点。 搜索角度控制部分（30）连接到搜索点控制部分和支撑板之间，并控制关于右侧搜索点的搜索角度。
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公开(公告)号：KR1020160048378A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：KR1020140144820
申请日：2014-10-24
Applicant: (주)티피에스
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B32/184 , C01B2204/00
Abstract: 본발명은초음파를이용하여반응시간을획기적으로단축시키는것을특징으로하는그래핀옥사이드의제조방법및 그제조장치에관한것으로서, 더욱구체적으로는반응기에그래파이트(Graphite) 및산을투입하고 1차반응시킨후, 초음파진동을가함으로써단시간내에그래핀옥사이드를생산하는방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀옥사이드의제조방법은초음파진동막대가구비된장치를이용하여반응시간을획기적으로단축시킴으로써그래핀옥사이드의생산당생산량이증가하여대량생산이가능한장점이있다. 또한, 필터를이용하여간단하게반응물의정제가가능함으로써종래기술에비해비용이저렴한경제적특징이있다.
Abstract translation: 本发明涉及用于制造氧化石墨烯的方法和装置，其能够通过使用超声波来显着地减少反应时间。 更具体地，该方法包括：将石墨和酸进料到反应器中以进行第一反应; 并施加超声波振动以在短时间内制造氧化石墨烯。 根据本发明的方法可以通过使用设置有超声波振动棒的装置来显着地减少反应时间，以增加每次生产中的氧化石墨烯的输出，从而可以实现批量生产。 此外，由于通过使用过滤器简单地改进反应物，所以与常规技术相比，该方法可以以低成本经济地进行。
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