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公开(公告)号：KR101093064B1
公开(公告)日：2011-12-13
申请号：KR1020100043331
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주)티피에스
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
Abstract: 본 발명은 반도체 재료 절단용 와이어의 텍스처링 장치에 관한 것으로서, 평판면에 착탈가능하게 결합되는 베이스 플레이트와; 상기 베이스 플레이트의 상부에 안착설치되고, 그 상부에는 상부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 하부 플레이트와; 상기 하부 플레이트에 대하여 승강되고, 그 하부에는 상기 상부 보빈틀과 대응되는 하부 보빈틀이 회전가능하게 설치된 상부 플레이트 및; 상기 상부 보빈틀 또는 하부 보빈틀 사이의 와이어 끼움홈에 설치되어 이 끼움홈을 통과하는 와이어에 텍스처링을 하는 다이아몬드 커터를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 와이어의 표면에 균일한 텍스처링이 이루어짐으로써, 와이어의 표면에 니켈이나 에폭시 등의 부착제와, 다이아몬드 등의 연마입자가 균일하게 코팅되는바, 단선의 우려가 불식되어 와이어의 소모량을 줄이면서도 절단량을 증가시킬 수 있고, 절단시간을 감소시킬 수 있게 되어 대구경의 잉곳도 용이하게 절단시킬 수 있게 되는 매우 유용한 효과가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101092203B1
公开(公告)日：2011-12-09
申请号：KR1020090044594
申请日：2009-05-21
Applicant: (주)티피에스 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B21F17/00 , B21F19/00 , C09D133/08 , B26F3/00
Abstract: 본발명은, 반도체재료가공용다이아몬드와이어제조방법및 이를통해제작된다이아몬드와이어에관한것으로서, 와이어의표면에 UV 경화제를도포하고, UV 경화제가도포된와이어의표면에다이아몬드입자를부착한다음, UV 경화제를경화시키는방식으로다이아몬드와이어를제작함으로써, 종래슬러리로인한피절단재와기자재오염을최소화할 수있고, 폐슬러리의처리문제도해소할수 있으며, 특히다이아몬드입자가이탈되지않도록하여부착강도를높일수 있고, 이에따라전체다이아몬드와이어의성능향상에기여할수 있음은물론사용수명도보다길게할 수있는효과를갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110123873A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：KR1020100043331
申请日：2010-05-10
Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단 , (주)티피에스
IPC: H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: B24B27/0633 , B28D5/045
Abstract: PURPOSE: A texturing apparatus of a wire for semiconductor material cutting is provided to prevent the occurrence of a disconnection by coating grinding particles in a state of forming texture on the wire. CONSTITUTION: The texturing apparatus of a wire comprises a base plate(20). Connection bolts are installed on the four corners of the base plate. A guide bar is installed on the four corners of the base plate in a vertical direction. A bottom plate(30) installed on the top of the base plate. A top bobbin frame(42) is pivotally installed on the top of the bottom plate. A top plate(40) is ascended and descended corresponding to the bottom plate. A bottom bobbin frame(32) is pivotally installed in the lower part of the top plate. A diamond cutter(60) is installed in a wire fitting groove. The diameter of the diamond cutter is 0.1-0.2mm.
Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体材料切割的导线的纹理装置，以防止在线上形成纹理的状态下通过涂覆研磨颗粒而发生断开。 构成：电线的纹理装置包括基板（20）。 连接螺栓安装在底板的四个角上。 导杆在垂直方向安装在底板的四个角上。 安装在基板顶部的底板（30）。 顶部骨架框架（42）枢转地安装在底板的顶部上。 顶板（40）对应于底板上升和下降。 底架（32）枢转地安装在顶板的下部。 金刚石切割器（60）安装在线材嵌合槽中。 金刚石刀具的直径为0.1-0.2mm。
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公开(公告)号：KR1020100125746A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：KR1020090044594
申请日：2009-05-21
Applicant: (주)티피에스 , 한국산업기술대학교산학협력단
IPC: B21F17/00 , B21F19/00 , C09D133/08 , B26F3/00
CPC classification number: B21F19/00 , B05D3/061 , C09D133/08
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials and a diamond wire manufactured by the same are provided to minimize the contamination of materials due to slurry by employing a diamond wire in which diamond abrasive particles used in multi-wire saw cutting are attached to a wire. CONSTITUTION: A method of manufacturing a diamond wire for processing semiconductor materials comprises steps of: feeding a wire(S1), coating a UV hardener on the surface of a wire(S2), attaching diamond particles to the surface of the wire in which the UV hardener is spread(S3), and hardening the UV hardener(S5). The wire feed step includes a cleaning process for removing organic materials or other foreign substances from the surface of a wire, a heat treatment process for heat-treating the wire at 100°C-130°C, and a surface activation process for passing the wire through diluted acid solution of 5%-20%.
Abstract translation: 目的：提供一种制造用于处理半导体材料的金刚丝线和由其制造的金刚石线的方法，以通过使用金刚石线来最小化由于浆料而导致的材料的污染，其中用于多线锯切割的金刚石磨粒是 附在电线上。 构成：制造用于处理半导体材料的金刚丝线的方法包括以下步骤：馈送线（S1），在线表面上涂覆UV固化剂（S2），将金刚石颗粒附着到线的表面，其中 紫外线固化剂扩散（S3），硬化紫外线硬化剂（S5）。 送丝步骤包括从线材表面除去有机材料或其它异物的清洁工艺，用于在100℃-130℃下对线材进行热处理的热处理工艺和用于使线 电线通过稀酸溶液5％-20％。
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公开(公告)号：KR101727891B1
公开(公告)日：2017-04-18
申请号：KR1020160061939
申请日：2016-05-20
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본발명은정유탈황폐촉매로부터몰리브덴회수를위한친환경습식공정에관한것으로, 양극전해조와음극전해조사이에양이온교환막이설치된전기투석시스템을이용하여정유탈황폐촉매로부터몰리브덴회수방법에있어서, 폐촉매슬러리속의황화몰리브덴(MoS)을질산(HNO)을이용하여전환반응을수행하면, 몰리브덴(Mo) 성분은산화몰리브덴(MoO) 형태의고형분으로존재하고, 금속성분인니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 알루미나(AlO)는질산(HNO)에용해되어다성분계금속용액을형성하는제1 단계; 상기산화몰리브덴(MoO) 형태의고형분을알카리용액에용해시킨몰리브덴염(NaMoO)을양극전해조에투입하고전기를공급하면, 양극전해조에는알카리이온이양이온교환막을통해음극전해조로이동하여몰리브덴산(HMoO)이생성되고, 음극전해조에는알카리용액이생성되는제2 단계; 상기몰리브덴산(HMoO)을여과하여생성된고형물은건조하여최종제품인산화몰리브덴(MoO)으로회수하는제3 단계로이루어지는것을특징으로한다. 본발명의정유탈황폐촉매로부터몰리브덴회수를위한친환경습식공정은로타리킬른이나다단배소로를사용한건식배소방식을사용하지않고무기산(HNO)을이용하여황화합물(MoS) 형태로있는존재하는몰리브덴(Mo)을산화몰리브덴(MoO)으로전환함에따라폐촉매와공기를고온에서배소하기위한에너지는물론배소공정에서발생하는배기가스처리를위한환경설비비용이절감되며, 또한본 발명은황화몰리브덴(MoS) 전환반응에서발생하는황산(HSO)에소석회(Ca(OH))를투입하여황산석고(CaSO)로침전수거함으로써환경에유해한황(S) 함량을엄격하게관리할수 있고, 이때발생되는 NO기체는공기또는산소를투입하고산화시켜질산(HNO)으로전환시킨후, 황화몰리브덴(MoS) 전환반응에재사용함으로써배출기체를최소화할수 있는효과가있다. 이에따라, 본발명은고순도의몰리브덴(Mo) 성분을선택적으로회수하는것이가능하고회수율이높을뿐만아니라니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe)과같은금속성분들도복합적으로분리회수할수 있으며, 또한양이온교환막이설치된전기투석시스템을이용함으로써몰리브덴(Mo) 성분뿐만아니라이에사용된알카리용액을회수하여재사용할수 있어환경에매우친화적인장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种从精油中去枯涉及钼的环境友好的湿法处理从催化剂中回收钼恢复过程中，阳极电解槽及阴极电解调查使用电渗析系统去离子此精油安装膜阳离子交换枯催化剂，用过的催化剂浆料 在执行硫化钼（MOS）硝酸盐使用（HNO）反应转化率，钼（Mo）成分为镍（Ni），钴（Co）存在于钼的固体含量（的MoO）形式的氧化物，金属的 ，铁（Fe），溶解在氧化铝（ALO）neunjil酸（HNO）形成金属组分溶液的第一步骤; 当添加到该钼盐（NaMoO）钼的氧化物的固体成分溶解（的MoO）形式在碱溶液到阳极电解槽和供电，阳极电解槽具有穿过阳离子交换膜钼酸到碱离子移动到阴极电解池（HMoO 第二步，其中在阴极电解槽中产生碱性溶液; 过滤以钼酸盐（HMoO）将所得固体的特征在于，干燥，并制成回收终产物磷酸化钼（的MoO）的第三步骤的。 本发明，钼，其一个协议yutal疫病友好的湿法通过使用无机酸（HNO），而不使用使用钼多级焙烧炉或回转窑（MOS）干焙烧法的硫化合物从催化剂形式回收（Mo）的 一个是在能量以及煅烧过程发生在高温下，用过的催化剂和空气作为钼（的MoO）乙烷的转化焙烧废气处理环境的设备成本，并且本发明被转化的硫化钼（MOS） 被放入一个氢氧化钙（Ca（OH））的反应中生成的硫酸（HSO）严格管理有害硫在通过沉淀收集硫酸盐石膏（硫酸钙）的环境（S）含量，并且其中，NO气体是在空气中生成的 或注入氧和氧化转化成硝酸（HNO），可以通过重新使用硫化钼（MOS）转换最小化废气的效果。 Yiettara，本发明可以能够选择性地回收以及在镍（Ni），钴（Co），铁（Fe）的高回收率和也与金属的分离组合那些回收钼的高纯度（Mo）的成分，和 ，也能做到这一点再利用以及通过使用电渗析系统被安装用于它的碱溶液的膜阳离子交换回收的钼（Mo）组件对环境的优势非常友好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101524748B1
公开(公告)日：2015-06-02
申请号：KR1020130166721
申请日：2013-12-30
Applicant: (주)티피에스
Abstract: 본발명은단결정성장로히터용전극냉각용냉각수관로구조에관한것으로서, 구체적으로는일반적인단결정성장로에서공정조건으로중요한위치를차지하는관로내 온도분포를단결정공정에맞게개선하기위한것으로단결정성장로의도가니온도분포개선을위해히터용전극내 냉각수관로구조를새로이구성한단결정성장로히터용전극냉각용냉각수관로구조에관한것이다. 본발명은단결정성장로의히터용전극내 냉각수관로구조의개선을통해전극의온도분포개선을통해히터의온도분포를일정하게유지하도록함으로써단결정성장에필요한도가니의온도분포를고르게형성시키도록할 수있다는장점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于冷却单晶生长炉加热器的电极的冷却剂管结构，更具体地说，涉及一种用于冷却用于单晶生长炉加热器的电极的冷却剂管结构，其电极中的冷却剂管结构用作加热器 改进以改善单晶生长炉的坩埚中的温度分布，并且根据单晶工艺改善管中的温度分布，因为冷却剂管是单晶生长炉的工艺条件中的重要位置。 用于单晶生长炉的加热器的电极中的冷却剂管的结构改进被允许改善电极的温度分布并保持加热器中的温度分布，从而均匀地形成加热器的温度分布，这是需要增长的 单晶生长。
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公开(公告)号：KR101652965B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020140144820
申请日：2014-10-24
Applicant: (주)티피에스
IPC: C01B31/04
Abstract: 본발명은초음파를이용하여반응시간을획기적으로단축시키는것을특징으로하는그래핀옥사이드의제조방법및 그제조장치에관한것으로서, 더욱구체적으로는반응기에그래파이트(Graphite) 및산을투입하고 1차반응시킨후, 초음파진동을가함으로써단시간내에그래핀옥사이드를생산하는방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀옥사이드의제조방법은초음파진동막대가구비된장치를이용하여반응시간을획기적으로단축시킴으로써그래핀옥사이드의생산당생산량이증가하여대량생산이가능한장점이있다. 또한, 필터를이용하여간단하게반응물의정제가가능함으로써종래기술에비해비용이저렴한경제적특징이있다.
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公开(公告)号：KR101358971B1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120098749
申请日：2012-09-06
Applicant: (주)티피에스
IPC: C30B29/20 , C30B23/02 , H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: C30B15/14 , C30B11/002 , C30B13/14 , H01L33/00
Abstract: The present invention relates to a single crystal growth furnace including a heat-shielding wall composed of zirconia powder and more particularly, to a single crystal growth furnace including a heat-shielding wall composed of zirconia powder, wherein the heat-shielding wall composed of zirconia powder envelops a crucible so as to obtain high-purity sapphire single crystal by preventing foreign materials such as calcium and barium, which are leaked from fireproof bricks, from affecting growing sapphire when growing sapphire single crystal at a high temperature after inputting aluminum hydroxide crystal into the growth furnace. The present invention can prevent the deterioration of a product by volatile foreign materials during the growth of sapphire single crystal and can grow high-purity sapphire single crystal by completely preventing the inflow of foreign materials because the present invention does not include calcium ions or barium ions which can be used as foreign materials during the growth of sapphire single crystal as the calcium ions or barium ions are volatilized in a high-temperature environment at a temperature of 2000°C or higher for growing sapphire single crystal.
Abstract translation: 本发明涉及一种单晶生长炉，其包括由氧化锆粉末组成的隔热壁，更具体地说，涉及包括由氧化锆粉末构成的隔热壁的单晶生长炉，其中由氧化锆构成的隔热壁 粉末包裹坩埚，以便在将氢氧化铝晶体输入到高温后，在高温下生长蓝宝石单晶时，通过防止从防火砖泄漏出来的异常钙和钡等异物来获得高纯度蓝宝石单晶 生长炉。 本发明可以防止蓝宝石单晶生长过程中的挥发性异物产物的劣化，并能通过完全防止异物的流入而生长高纯蓝宝石单晶，因为本发明不包括钙离子或钡离子 其可以在蓝宝石单晶的生长期间用作异物，因为钙离子或钡离子在用于生长蓝宝石单晶的2000℃或更高的温度的高温环境中挥发。
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9.发明公开
公开(公告)号：KR1020090014438A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070078386
申请日：2007-08-06
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: C01G9/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16
Abstract: An epitaxial zinc oxide nanowires using atmospheric pressure thermal evaporation method is provided to have excellent culturability of the zinc oxide nanowire and to supply zinc oxide nanowire product of high quality by controlling a crystal length and a diameter of the nanowire. A zinc oxide method for manufacturing nano wire comprises a step of forming an oxidation zinc thin film as a buffer layer on a material. An epitaxial zinc oxide nanowires comprises a precursor containing the zinc and a carbon compound. The precursor containing the zinc includes zinc nitrate, zinc acetate, zinc acrylate, zinc borate, zinc chloride, zinc methacrylate, zinc Phosphate and zinc sulfate.
Abstract translation: 提供使用大气压热蒸发法的外延氧化锌纳米线，其具有优异的氧化锌纳米线的可培养性，并且通过控制纳米线的晶体长度和直径来提供高品质的氧化锌纳米线产品。 用于制造纳米线的氧化锌方法包括在材料上形成氧化锌薄膜作为缓冲层的步骤。 外延氧化锌纳米线包括含有锌和碳化合物的前体。 含锌的前体包括硝酸锌，乙酸锌，丙烯酸锌，硼酸锌，氯化锌，甲基丙烯酸锌，磷酸锌和硫酸锌。
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公开(公告)号：KR1020070035662A
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020050090302
申请日：2005-09-28
Applicant: (주)티피에스
CPC classification number: C09K3/1463 , C03C19/00 , C09G1/02
Abstract: 광학 및 전기 부품으로 사용되는 웨이퍼 등의 기판이나 벌크를 연마하는 방법 및 이에 사용되는 연마제가 개시된다. 본 발명은 금속 정반 상에 탄화 텅스텐 분말을 포함하는 연마제와 윤활제를 제공하는 단계 및 상기 금속 정반을 회전시키면서 상기 탄화 텅스텐 연마제로 피삭체를 연마하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피삭체 연마 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 빠른 연마 시간을 확보하는 동시에 평탄도 및 조도 특성이 우수한 피삭체를 제공할 수 있다. 구체적으로, 결함을 최소화한 사파이어 웨이퍼, 고평탄 글래스 및 합성 석영 플레이트를 제공할 수 있으며, 실리콘 웨이퍼와 리튬탄탈레이트 웨이퍼등 단결정 웨이퍼의 연마에도 적용 가능하다.
나노 탄화 텅스텐, 정반, 사파이어 웨이퍼, 글래스 웨이퍼, 합성석영 웨이퍼, 연마, 표면 조도, 평탄도, 탄화 실리콘, 질화 실리콘, 질화 알루미늄, 질화 갈륨, 리튬탄탈레이트, 리튬 니오베이트, 리튬 보레이트
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