公开(公告)号：KR101704863B1

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 성막장치를사용하여, 상기복수의기판상에, 제1 원소및 제2 원소를포함하는도프산화막을성막하는성막방법이며, 상기제1 가스공급부로부터상기제1 원소를포함하는제1 반응가스를공급하고, 상기제2 가스공급부로부터산화가스를공급하여, 상기기판상에상기제1 원소를포함하는산화막을성막하는성막공정과, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 한쪽으로부터상기제2 원소를포함하는제2 반응가스를공급하고, 상기제1 가스공급부또는상기제2 가스공급부중 다른쪽으로부터불활성가스를공급하여, 상기산화막상에상기제2 원소를도프하는도프공정을포함한다.

Abstract translation: 一种沉积形成掺杂氧化物膜的膜的方法，该膜包括含有第一元素的第一氧化物膜，并且在安装在转台上的基板上掺杂有第二元素，所述基板包括通过旋转转盘预定匝而将第一氧化物膜沉积到基板上，同时 从第一气体供给部供给含有第一元素的第一反应气体，从第二气体供给部供给氧化气体，从分离气体供给部供给分离气体，并将第二氧化物膜与第二气体 从第一和第二气体供给部中的一个供给含有第二元素的第二反应气体，从另一个供给惰性气体，从分离气体供给部供给分离气体， 。

公开(公告)号：KR101217980B1

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020117028190

申请日：2004-09-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 마스다츠카사 ,  이케다다로 ,  하타노다츠오 ,  다치바나미츠히로 ,  야마사키히데아키 ,  류신크게르트제이 ,  맥필리팬톤알 ,  말호트라산드라지 ,  시몬앤드류에이치 ,  유르카스존제이

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/16 ,  C23C16/45523 ,  H01L21/28562

Abstract: 본발명은 SFD(sequential flow deposition)를사용하여양호한표면형태를가지는금속층을성막하는방법을제공한다. 이방법은, 처리챔버내의기판을금속카르보닐전구체가스와환원가스에번갈아노출시키는것을포함한다. 금속카르보닐전구체가스에노출되는동안, 열분해에의해상기기판에얇은금속층이성막되고, 후속해서상기금속층을상기환원가스에노출시키는것은, 상기금속층으로부터반응부산물을제거하는것을돕는다. 원하는두께의금속층이얻어질때까지상기금속카르보닐전구체및 환원가스에노출시키는단계는반복될수 있다. 예컨대, 상기금속카르보닐전구체는 W(CO), Ni(CO), Mo(CO), Co(CO), Rh(CO), Re(CO), Cr(CO), Ru(CO)로부터선택될수 있다.

公开(公告)号：KR100479283B1

公开(公告)日：2005-03-28

申请号：KR1020027009180

申请日：2001-11-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  다치바나미츠히로 ,  오쿠보가즈야 ,  스즈키겐지 ,  가와노유미코

IPC: H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 본 발명의 금속 막 형성 방법은 ① 다양한 종류의 원료 가스를 기부 배리어 막(3)에 순차로 공급하는 단계(S13, S15)로서, 상기 가스중 적어도 하나가 금속을 포함하는, 상기 공급 단계(S13, S15)와, ② 상기 단계 ①의 원료 가스를 진공 배기시키거나, 상기 단계 ①의 원료 가스가 각각 공급된 후에 상기 단계 ①의 원료 가스를 다른 종류의 가스로 대체시키는 단계(S14, S16)를 포함하며, 이에 의해 상기 금속의 극히 얇은 막(5)이 상기 기부 배리어 막(3)상에 형성된다.

公开(公告)号：KR101898329B1

公开(公告)日：2018-09-12

申请号：KR1020160093555

申请日：2016-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린준 ,  다케야고지 ,  다치바나미츠히로 ,  야오아키후미 ,  야마우치구니히로 ,  미야자키다츠오

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

Abstract: 코발트막을산화하는산화가스와β-디케톤으로이루어지는에칭가스를이용하여피처리체표면의코발트막을에칭할때, 피처리체에카본막이형성되는것을방지할수 있는기술을제공한다. 피처리체를 250℃이하의온도로가열하면서β-디케톤으로이루어지는에칭가스와, 상기코발트막을산화하기위한산화가스를, 상기에칭가스의유량에대한상기산화가스의유량의비율이 0.5% 내지 50%가되도록상기피처리체에공급한다. 이에의해, 카본막의형성을억제하면서, 상기코발트막을에칭할수 있다.

公开(公告)号：KR101794380B1

公开(公告)日：2017-11-06

申请号：KR1020130068486

申请日：2013-06-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마와쿠준 ,  고시미즈치시오 ,  다치바나미츠히로 ,  가토히토시 ,  고바야시다케시 ,  미우라시게히로 ,  기무라다카후미

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02104 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 본발명은각 처리가스노즐에대해회전테이블의회전방향으로이격시켜플라즈마처리부를설치하는동시에, 회전테이블을통해플라즈마처리부를면하는위치에, 당해회전테이블에접촉하지않도록바이어스전극부를설치하는것이다. 그리고, 이바이어스전극부에대해, 바이어스전압인가부로부터바이어스전압을인가함으로써, 회전테이블상의웨이퍼(W)에대해비접촉으로바이어스전압을인가한다.

公开(公告)号：KR1020080110903A

公开(公告)日：2008-12-19

申请号：KR1020087027767

申请日：2007-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  니시모리다카시

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C23C16/14 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/28556

Abstract: A film forming method is provided with a step of placing a subject to be processed in a processing container which can be vacuumized by exhaustion, and a film forming step wherein a tungsten film is formed on the surface of the subject by supplying a tungsten containing gas and a reducing gas into the processing container and activating the reducing gas by a heated catalytic body. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 提供一种成膜方法，其具有将待处理对象放置在可通过排气被抽真空的处理容器中的步骤;以及成膜步骤，其中通过提供含钨气体在被检体的表面上形成钨膜 以及还原气体进入处理容器并通过加热的催化剂体活化还原气体。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020040030965A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047002213

申请日：2002-08-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오쿠보가즈야 ,  다치바나미츠히로 ,  팡청 ,  스즈키겐지 ,  사토고이치 ,  이시즈카호타카

IPC: C23C16/08

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 매립 구멍의 직경이 작아도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있어, 매립 특성이 양호한 텅스텐막의 형성 방법을 제공한다.
진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(22)내에서 피 처리체(W)의 표면에 텅스텐막을 형성함에 있어서, 환원 가스를 공급하는 환원 가스 공급 공정(70)과 텅스텐 함유 가스를 공급하는 텅스텐 가스 공급 공정(72)을, 상기 양 공정 사이에 불활성 가스를 공급하면서 진공 배기하는 퍼지공정(74)을 개재시키고, 교대로 반복하여 실행하도록 하여 초기 텅스텐막(76)을 형성한다. 이것에 의해서, 막두께 균일성이 높은 핵 부착 층으로서의 초기 텅스텐막을 형성하는 것이 가능해지고, 따라서 이 다음에 주된 텅스텐막을 퇴적시켰을 때에, 예컨대 매립 구멍의 직경이 작더라도, 특성에 악영향을 줄 정도의 크기의 공극의 발생과 볼케이노의 발생을 억제할 수 있다.

Abstract translation: 一种在能够抽真空的容器中在待处理物体的表面上形成钨膜的方法包括以下步骤：通过交替地重复用于供应还原气体的还原气体供应处理和供应钨气体的供应处理来形成钨膜 用于供应含钨气体的中间清洗过程用于在抽真空容器的同时供应惰性气体。 重复还原气体供给工序中的还原气体供给工序的还原气体供给期间被设定为比其余的还原气体供给工序长。

公开(公告)号：KR1020170013169A

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020160093555

申请日：2016-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드

Inventor： 린준 ,  다케야고지 ,  다치바나미츠히로 ,  야오아키후미 ,  야마우치구니히로 ,  미야자키다츠오

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L23/53209 ,  H01L2924/01027 ,  H05K3/02 ,  H05K2203/0315

Abstract: 코발트막을산화하는산화가스와β-디케톤으로이루어지는에칭가스를이용하여피처리체표면의코발트막을에칭할때, 피처리체에카본막이형성되는것을방지할수 있는기술을제공한다. 피처리체를 250℃이하의온도로가열하면서β-디케톤으로이루어지는에칭가스와, 상기코발트막을산화하기위한산화가스를, 상기에칭가스의유량에대한상기산화가스의유량의비율이 0.5% 내지 50%가되도록상기피처리체에공급한다. 이에의해, 카본막의형성을억제하면서, 상기코발트막을에칭할수 있다.

Abstract translation: 蚀刻方法包括通过向目标物体供给含有β-二酮的蚀刻气体和氧化钴膜的氧化气体来蚀刻在目标物体的表面上形成的钴膜的工序。 执行蚀刻气体和氧化气体的供给，使得氧化气体与蚀刻气体的流量比在0.5％至50％的范围内，同时将目标物体加热到低于或等于250°的温度 C。

公开(公告)号：KR1020150090851A

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：KR1020150013383

申请日：2015-01-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노유지 ,  다치바나미츠히로 ,  혼마마나부

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/205

Abstract: 성막장치는, 진공용기와, 상기진공용기내에배치되고, 그일면측에형성되는적재영역에기판을적재하여공전시키기위한회전테이블과, 열분해온도가 1기압아래에서 520℃이상인처리가스를기판에공급하는처리가스공급부와, 상기기판을 600℃이상으로가열하여성막처리하기위해, 상기회전테이블을가열하는가열부를구비한다. 상기처리가스공급부는, 상기기판의통과영역에대향하여형성된복수의처리가스의토출구멍을갖는가스샤워헤드와, 성막처리시에서상기가스샤워헤드에있어서의상기통과영역에대향하는대향부를상기처리가스의열분해온도보다낮은온도로냉각하는냉각기구를구비한다.

Abstract translation: 一种成膜装置，包括真空室，设置在真空室中的旋转台，并将基板安装并安装在安装区域;处理气体供应部件，其供应520℃的热分解温度的处理气体; 在1个以下的气氛下，加热部件加热旋转台，通过在600℃加热基板进行成膜处理。 工艺气体供给部件包括：气体喷头，其具有面向基板的通过区域的工艺气体的喷射孔;以及冷却单元，其在膜沉积工艺中冷却与喷淋头中的通过区域相对的面对部分 在低于处理气体的热沉积温度的温度下。

公开(公告)号：KR1020140081702A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer using a layer forming apparatus to form a doped oxide layer including a first element and a second element on a plurality of substrates. The method includes a layer forming process of supplying a first reaction gas including the first element from a first gas supply unit, supplying an oxide gas from a second gas supply unit, and forming an oxide layer including the first element on a substrate; and a doping process of supplying a second reaction gas including the second element from one of the first gas supply unit and the second gas supply unit and supplying an inert gas from the other one of the first gas supply unit and the second gas supply unit to dope the second element on the oxide layer.

Abstract translation: 本发明涉及使用层形成装置形成层的方法，以在多个基板上形成包括第一元件和第二元件的掺杂氧化物层。 该方法包括：从第一气体供给单元供给包括第一元件的第一反应气体，从第二气体供给单元供给氧化物气体，在基板上形成包含第一元素的氧化物层的层形成工序; 以及从第一气体供给单元和第二气体供给单元之一供给包括第二元件的第二反应气体并从第一气体供给单元和第二气体供给单元中的另一个供给惰性气体的掺杂过程， 掺杂氧化层上的第二个元素。