公开(公告)号：KR101528289B1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：KR1020120017367

申请日：2012-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  히시야싱고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562

Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.

公开(公告)号：KR101577964B1

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：KR1020150034195

申请日：2015-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  히시야싱고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562

Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.

公开(公告)号：KR101520885B1

公开(公告)日：2015-05-15

申请号：KR1020120082062

申请日：2012-07-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키케이스케 ,  가도나가켄타로 ,  모로즈미유이치로

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: (과제) 기둥 형상을 갖고 조밀하게 배열되는 전극의 도괴를 막는 것이 가능한 반도체 장치를 제공한다.
(해결 수단) 전계 효과 트랜지스터와, 기둥 형상을 갖는 커패시터를 갖는 반도체 장치로서, 상기 전계 트랜지스터의 불순물 확산 영역과 전기적으로 접속하고, 기둥 형상을 갖는 제1 전극과, 상기 제1 전극의 적어도 측면에 형성되는 유전체막과, 상기 유전체막 상에 형성되는 제2 전극과, 상기 기둥 형상을 갖는 상기 제1 전극의 길이 방향과 교차하는 방향으로 연장되고, 상기 제2 전극의 적어도 일부를 관통하여 상기 제1 전극을 연결하는 붕소 첨가 질화 실리콘막에 의해 형성되는 지지막을 구비하는 반도체 장치에 의해, 상기의 과제가 달성된다.

公开(公告)号：KR1020120092022A

公开(公告)日：2012-08-20

申请号：KR1020120011750

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546

Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to improve a coating property by preventing processing gases from reacting each other. CONSTITUTION: A first gas injector(51a) includes a gas outlet(52) to supply a first processing gas to a substrate. A second gas injector(51b) supplies a second processing gas which reacts with the first processing gas. A third gas injector(51c) includes a slit(50) which supplies purge gas. An exhaust pipe exhausts an atmosphere in a reaction tube. A control unit outputs a control signal to replace the atmosphere of the reaction tube.

Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，通过防止处理气体彼此反应来改善涂布性能。 构成：第一气体注入器（51a）包括用于将第一处理气体提供给基板的气体出口（52）。 第二气体喷射器（51b）提供与第一处理气体反应的第二处理气体。 第三气体喷射器（51c）包括供给吹扫气体的狭缝（50）。 排气管排出反应管中的气氛。 控制单元输出控制信号来代替反应管的气氛。

公开(公告)号：KR100737056B1

公开(公告)日：2007-07-09

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 용기 내에 산화제로서 수증기를 공급하여 각 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 수분을 흡착시키는 단계(P2-P3), 처리 용기(20) 내에 원료 가스인 PET 가스를 공급하여 200℃의 공정 온도에서 웨이퍼 위의 수분과 반응시켜 탄탈 산화물로 이루어진 계면층(50)을 형성하는 단계(P4-P5), 처리 용기 내에 PET 가스와 산소 가스를 동시에 공급하여 410℃의 공정 온도에서 두 가스를 반응시켜 계면층 상에 탄탈 산화물로 이루어진 본층(51)을 형성하는 단계(P6-P7)를 포함하는 탄탈 산화막을 형성하기 위한 금속 유기 화학적 증착(MOCVD) 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020150035941A

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：KR1020150034195

申请日：2015-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  히시야싱고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/28

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/318 ,  H01L2924/04941

Abstract: (과제) 하지(base)막의에칭을방지할수 있는질화티탄막의형성방법, 질화티탄막의형성장치및 프로그램을기록한기록매체를제공한다. (해결수단) 질화티탄막의형성방법으로서는, 우선, 반도체웨이퍼(W)를수용한반응관(2) 내를, 승온용(昇溫用) 히터(7)에의해 200℃∼350℃로가열한다. 이어서, 반응관(2) 내에티탄원료를포함하는성막용가스를공급하여반도체웨이퍼(W)에질화티탄막을형성한다. 이티탄원료에는, 염소원자를포함하지않고티탄을포함하는메틸사이클로펜타디에닐트리스(디메틸아미노)티타늄을이용한다.

Abstract translation: （主题）提供了形成氮化钛膜的方法，形成氮化钛膜的装置和用于记录程序的存储器。 （溶液）作为形成氮化钛膜的方法，首先，将通过加热器（7）容纳半导体晶片（W）的反应管的内部进行加热（2）加热到200℃〜350℃ 。 然后，在反应管中提供含有钛原料的薄膜沉积气体，以在半导体晶片（W）上产生氮化钛。 作为钛原料，使用除了氯原子以外的含有钛的甲基环戊二烯基（二甲基氨基）钛。

公开(公告)号：KR101504910B1

公开(公告)日：2015-03-23

申请号：KR1020120011750

申请日：2012-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546

Abstract: (과제) 기판 보유지지(保持)구에 선반 형상으로 적재된 복수매의 기판에 대하여, 서로 반응하는 복수 종류의 처리 가스를 순서대로 공급하여 성막 처리를 행할 때에, 처리 가스를 전환할 때의 분위기를 용이하게 치환하는 것.
(해결 수단) Zr계 가스나 O
3 가스 등의 처리 가스를 반응관(12) 내에 공급하기 위한 가스 토출구(52)가 각각 형성된 제1 및 제2 가스 인젝터(51a, 51b)와는 별도로, 반응관(12)의 길이 방향을 따르도록 슬릿(50)이 형성된 제3 가스 인젝터(51c)를 설치하고, 처리 가스를 전환할 때에는, 이 슬릿(50)으로부터 반응관(12) 내에 퍼지 가스를 공급하여 당해 반응관(12) 내의 분위기를 치환한다.

Abstract translation: （要解决的问题）当相互反应的多种处理气体被顺序地供应到在基板上保持（保持）的基板上以层状堆叠的多个基板时， 轻松。

公开(公告)号：KR1020140043879A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/044 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: [OBJETIVE] a film forming method capable of generating an AlON layer which is uniformly dispersed in the thickness direction of nitrogen even though the thickness of a layer is thick. [SOLUTION] after forming an AlN layer (23) on the SiC substrate (17) of a wafer (W), an AlON layer (25) which has a stack structure where an AlO layer (24) and an AlN layer (23) are alternately stacked by repeatedly forming the AlN layer (23) on the film-formed AlO layer (24) and the film forming layer of the AlO layer (24) is formed and then the AlON layer (25) having the stack structure is heat-treated.

Abstract translation: 即使层的厚度较厚，也能够产生均匀分散在氮的厚度方向上的AlON层的成膜方法。 在晶片（W）的SiC衬底（17）上形成AlN层（23）之后，具有AlO层（24）和AlN层（23）的堆叠结构的AlON层（25） 通过在膜形成的AlO层（24）上重复形成AlN层（23）而交替层叠，形成AlO层（24）的成膜层，然后具有堆叠结构的AlON层（25）为热 治疗过的。

公开(公告)号：KR1020110138190A

公开(公告)日：2011-12-26

申请号：KR1020110058946

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/683 ,  H01L2021/60187

Abstract: PURPOSE: A processing device and a film forming method are provided to install an exhaust unit with exhaust systems, thereby quickly maintaining reduced pressure in a processing container. CONSTITUTION: A cover part(36) blocks an opening in a lower part of a processing container structure. A support object structure(38) supports a plurality of processed objects. A gas taking unit(40) includes a gas nozzle in a nozzle receiving area. An exhaust unit(41) includes a plurality of exhaust systems(41A,41B). A heating unit(42) heats the processed objects.

Abstract translation: 目的：提供一种处理装置和成膜方法来安装具有排气系统的排气单元，从而在处理容器中快速保持减压。 构成：盖部分（36）阻挡处理容器结构的下部的开口。 支撑对象结构（38）支撑多个处理对象。 采气单元（40）包括在喷嘴接收区域中的气体喷嘴。 排气单元（41）包括多个排气系统（41A，41B）。 加热单元（42）加热被处理物体。

公开(公告)号：KR1020010092714A

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: PURPOSE: An MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method of tantalum oxide film is provided to allow a thin tantalum oxide film to be formed with high controllability in the film thickness, and to have excellent electric properties. CONSTITUTION: First(P2-P3), water vapor used as an oxidizing agent is supplied into a process container to cause moisture to be adsorbed on a surface of each semiconductor wafer(W). Then(P4-P5), PET gas used as a raw material gas is supplied into the process container and is caused to react with the moisture on the wafer at a process temperature of 200 DEG C, thereby forming an interface layer of tantalum oxide. Then(P6-P7), PET gas and oxygen gas are supplied into the process container at the same time, and are caused to react with each other at a process temperature of 410 DEG C, thereby forming a main layer of tantalum oxide on the interface layer.

Abstract translation: 目的：提供一种氧化钽膜的MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法，可以形成具有高的膜厚可控性的薄氧化钽膜，并且具有优异的电性能。 构成：首先（P2-P3）将作为氧化剂使用的水蒸汽供给到处理容器中，使得水分吸附在各半导体晶片（W）的表面上。 然后，将（P4-P5）作为原料气体使用的PET气体在200℃的加工温度下供给到处理容器中，与晶片上的水分反应，形成氧化钽的界面层。 然后，将（P6-P7），PET气体和氧气同时供给到处理容器中，在410℃的处理温度下进行反应，形成氧化钽主层 界面层