公开(公告)号：KR102117127B1

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

公开(公告)号：KR1020140043879A

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：KR1020130117950

申请日：2013-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸

Inventor： 아즈모슈지 ,  가시와기유사쿠 ,  모로즈미유이치로 ,  와무라유 ,  하라다가츠시게 ,  다카하시고스케 ,  와타나베헤이지 ,  시무라다카요시 ,  호소이다쿠지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/401 ,  C23C16/303 ,  C23C16/308 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/044 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813

Abstract: [OBJETIVE] a film forming method capable of generating an AlON layer which is uniformly dispersed in the thickness direction of nitrogen even though the thickness of a layer is thick. [SOLUTION] after forming an AlN layer (23) on the SiC substrate (17) of a wafer (W), an AlON layer (25) which has a stack structure where an AlO layer (24) and an AlN layer (23) are alternately stacked by repeatedly forming the AlN layer (23) on the film-formed AlO layer (24) and the film forming layer of the AlO layer (24) is formed and then the AlON layer (25) having the stack structure is heat-treated.

Abstract translation: 即使层的厚度较厚，也能够产生均匀分散在氮的厚度方向上的AlON层的成膜方法。 在晶片（W）的SiC衬底（17）上形成AlN层（23）之后，具有AlO层（24）和AlN层（23）的堆叠结构的AlON层（25） 通过在膜形成的AlO层（24）上重复形成AlN层（23）而交替层叠，形成AlO层（24）的成膜层，然后具有堆叠结构的AlON层（25）为热 治疗过的。

公开(公告)号：KR101753736B1

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020110058946

申请日：2011-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  모로즈미유이치로 ,  사토이즈미 ,  아사리신지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67303

Abstract: 복수매의피(被)처리체에소정의처리를행하기위한처리장치는, 처리공간의일측에노즐수용에어리어가형성됨과함께타측에노즐수용에어리어로부터수평방향으로방출된가스를배기시키기위한배기구가형성된처리용기를갖는처리용기구조와, 처리용기구조의하단의개구부측을막는덮개부와, 피처리체를지지함과함께, 처리용기구조내로삽입및 이탈가능하게이루어진지지체구조와, 노즐수용에어리어내에수용되어가스를도입하는가스노즐을갖는가스도입수단과, 처리용기구조내의분위기를배기하기위한복수의배기계를갖는배기수단과, 피처리체를가열하기위한가열수단과, 장치전체를제어하는제어수단을구비한다.

Abstract translation: 处理装置中，在形成于在从喷嘴接收区域到另一个用于在多个的血液（被）处理体进行规定的处理的水平方向发出的废气处理空间的一侧的排气口用于与喷嘴容纳区域 本发明提供一种支撑被加工物的支撑构造体，该支撑构造体能够插拔于处理容器的结构体和支撑被加工体的支撑构造体， 排气装置，其具有用于排出处理容器的结构中的气氛的多个排气系统，用于加热待处理物体的加热装置，用于控制整个装置的控制 和手段。

公开(公告)号：KR101609182B1

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：KR1020130010761

申请日：2013-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  아키야마코지 ,  히시야신고 ,  하라다카츠시게

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02356 ,  H01L28/75 ,  H01L28/92

Abstract: (과제) 고유전율화및 저(低)리크전류화를양립시킬수 있는커패시터의제조방법및, 커패시터, 그리고, 그러한커패시터에이용되는유전체막의형성방법을제공하는것이다. (해결수단) 기판상의하부전극층을형성하는공정과, 하부전극층위에계면컨트롤기능을갖는제1 TiO막을형성하는공정과, 제1 TiO막위에 ZrO계막을형성하는공정과, ZrO계막을형성한후, ZrO계막의 ZrO를결정화하기위한어닐을행하는공정과, ZrO계막 위에, 용량막으로서기능하는제2 TiO막을형성하는공정과, 제2 TiO막위에상부전극층을형성하는공정에의해커패시터를제조한다.

公开(公告)号：KR101691255B1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：KR1020140034555

申请日：2014-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  구와모토도모노리

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45572

Abstract: 원료가스인 Hf계가스를제1 처리가스노즐로부터웨이퍼 W측으로토출하는데 있어서, 당해제1 처리가스노즐의좌우양측에, 냉매통류로가각각둘러쳐진정류부재를각각배치한다. 그리고, 원료가스의액화온도보다도높고, 또한원료가스의열분해온도보다도낮은온도의냉매를냉매통류로에통류시킨다. 그리고, 정류부재를통해, 제1 처리가스노즐을냉각한다.

Abstract translation: 在从第一处理气体喷嘴排出源气体的过程中，在第一处理气体喷嘴的两侧布置有包括以其它方式设置的冷却剂流路的整流构件。 然后，在高于源气体的液化温度且低于源气体的热分解温度的温度下的冷却剂流过冷却剂流动通道，通过该冷却剂流动通道，第一处理气体喷嘴通过整流部件被冷却。

公开(公告)号：KR1020140081702A

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：KR1020130158156

申请日：2013-12-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다치바나미츠히로 ,  이케가와히로아키 ,  와무라유 ,  오타니무네유키 ,  오가와준 ,  다카하시고스케

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: The present invention relates to a method for forming a layer using a layer forming apparatus to form a doped oxide layer including a first element and a second element on a plurality of substrates. The method includes a layer forming process of supplying a first reaction gas including the first element from a first gas supply unit, supplying an oxide gas from a second gas supply unit, and forming an oxide layer including the first element on a substrate; and a doping process of supplying a second reaction gas including the second element from one of the first gas supply unit and the second gas supply unit and supplying an inert gas from the other one of the first gas supply unit and the second gas supply unit to dope the second element on the oxide layer.

Abstract translation: 本发明涉及使用层形成装置形成层的方法，以在多个基板上形成包括第一元件和第二元件的掺杂氧化物层。 该方法包括：从第一气体供给单元供给包括第一元件的第一反应气体，从第二气体供给单元供给氧化物气体，在基板上形成包含第一元素的氧化物层的层形成工序; 以及从第一气体供给单元和第二气体供给单元之一供给包括第二元件的第二反应气体并从第一气体供给单元和第二气体供给单元中的另一个供给惰性气体的掺杂过程， 掺杂氧化层上的第二个元素。

公开(公告)号：KR101228728B1

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：KR1020100032180

申请日：2010-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가또오히또시 ,  혼마마나부 ,  기꾸찌히로유끼 ,  와무라유 ,  오가와준

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67207 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 기판 처리 장치에 있어서, 성막 장치와, 어닐 처리를 행하는 열처리 장치를 진공 반송실에 기밀하게 접속하는 동시에, 진공 반송실 내에 자전 기구인 회전 스테이지를 설치한다. 웨이퍼에 대해 BTBAS 가스를 공급하여 이 가스를 흡착시키고, 계속해서 BTBAS 가스와 반응하여 유동성을 갖는 실록산 중합체를 생성하는 에탄올 가스 및 실록산 중합체를 산화하는 O
3 가스를 이 순서로 웨이퍼에 공급하여 성막 처리를 행하는 동시에, 이 성막 처리의 도중에 성막 장치로부터 웨이퍼를 취출하고, 기판을 회전시켜 그 방향을 변경하고, 또한 어닐 처리를 행하여 반응 생성물을 치밀화한다.

公开(公告)号：KR1020160059968A

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：KR1020150160348

申请日：2015-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  하야세후미아키 ,  가미니시마사히코 ,  다카하시고스케 ,  사사키히로코 ,  사사키유

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/45591 ,  C23C16/45578

Abstract: 유체를공급하기위한노즐이며, 내부에관로가형성되고, 상기관로의길이방향을따라복수의유체토출구멍이형성된유체토출면을갖는관상부와, 상기관로내에상기길이방향을따라연장되어설치되고, 상기관로를, 상기유체토출면을포함하는제1 영역과상기유체토출면을포함하지않는제2 영역으로구획하고, 상기길이방향에있어서상기복수의유체토출구멍보다도적은수의분산구멍이형성된구획판과, 상기제2 영역에연통하는유체도입로를갖는다.

Abstract translation: 设有用于供给流体的喷嘴。 喷嘴具有管状部分，其形成在管中，并且具有沿着管的长度方向形成的流体喷射孔的流体喷射表面，沿管道的长度方向延伸的分隔板，将管 进入包括流体喷射表面的第一区域和除了流体喷射表面之外的第二区域，并且具有分散孔。 分散孔的数量小于流体注入孔的数量。 因此，喷嘴可以防止原料气体的自分解并供应。

公开(公告)号：KR1020150012202A

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：KR1020140091765

申请日：2014-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키히로코 ,  와무라유 ,  고아쿠츠마사토

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/0228

Abstract: 기판을 처리실 내에 반입하여 상기 기판 상에 질화막을 성막하는 성막 처리를 행하여, 상기 성막 처리가 종료된 후 상기 기판을 상기 처리실 내로부터 반출할 때까지를 1운전으로 하고, 상기 1운전을 복수회 반복하여 복수매의 상기 기판을 계속적으로 성막 처리하는 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는 상기 1운전이 소정 횟수 연속적으로 행해지고, 상기 처리실 내에 산화 가스를 공급하여 상기 처리실 내가 산화된다.

Abstract translation: 提供了一种形成层的方法，其中一个操作被定义为将衬底运送到处理室中以在衬底上形成氮化物层，并且在衬底上形成氮化物层之后将衬底输送出处理室 完成了。 一次操作重复多次以在多个基板上连续地形成氮化物层。 在形成层的方法中，一次操作连续重复预定次数，并且通过向处理室中供应氧化气体来氧化处理室的内部。

公开(公告)号：KR1020140118829A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：KR1020140034555

申请日：2014-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와무라유 ,  구와모토도모노리

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/67011

Abstract: In discharging Hf based gas, which is raw material gas, to a wafer W from a first processing gas nozzle, each rectification member surrounded by a refrigerant through-flow pathway is respectively arranged in both sides of the first processing gas nozzle. The refrigerant of which the temperature is higher than that of liquefaction of the raw material gas and lower than that of pyrolysis of the raw material gas is flowed through the refrigerant through-flow pathway. The first processing gas nozzle is cooled through the rectification member.

Abstract translation: 在从第一处理气体喷嘴向晶片W排出作为原料气体的Hf基气体的同时，在第一处理气体喷嘴的两侧分别设置有由制冷剂贯流路径包围的各精馏部件。 其温度高于原料气体液化并低于原料气体热分解的制冷剂流过制冷剂通流通路。 第一处理气体喷嘴通过整流部件被冷却。