公开(公告)号：KR1020170084001A

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：KR1020170088378

申请日：2017-07-12

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 허스태드필립디. ,  트레포나스3세피터 ,  박종근

IPC: C08F220/10 ,  H01L21/027 ,  C08F299/00

CPC classification number: C09D133/08 ,  C08L2203/20 ,  C08L2312/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138 ,  C08F220/10 ,  C08F299/00 ,  H01L21/0274

Abstract: 본발명에서는제1 아크릴레이트유닛과제2 유닛을포함하는랜덤코폴리머를포함하는매트조성물을반도체기판표면에배치하고(여기서코폴리머는폴리스티렌또는폴리에폭사이드를포함하지않는다); 랜덤코폴리머를가교결합하고; 브러쉬백필(backfill) 조성물과매트조성물이서로교대하도록기판에브러쉬백필조성물을배치하고; 자가조립을겪는블록코폴리머를브러쉬백필조성물과매트조성물상에배치하고; 블록코폴리머를에칭하여반도체기판에서균일하게이격된(spaced) 채널을생성하는방법을기술하였다.

公开(公告)号：KR1020150056077A

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：KR1020140159136

申请日：2014-11-14

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 박종근 ,  슈쳉-바이 ,  허스태드필립디. ,  리밍키

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 본발명은갭-충전방법을제공한다. 본발명은: (a) 기판의표면에충전될다수의갭을포함하는릴리프이미지를갖는반도체기판을제공하고; (b) 자기-가교결합성폴리머와용매를포함하는갭-충전조성물을릴리프이미지에적용하고(여기서, 자기-가교결합성폴리머는중합된주쇄와주쇄에펜던트된가교결합성그룹을포함하는제1 단위를포함한다); (c) 폴리머가자기-가교결합할수 있는온도에서갭-충전조성물을가열하는것을포함한다. 본방법은반도체디바이스의제조에서종횡비가높은갭의충전에특히유용하다.

Abstract translation: 在本发明中提供了间隙填充方法。 本发明的间隙填充方法包括以下步骤：（a）提供包括浮雕图像的半导体衬底，所述浮雕图像包括填充衬底表面的多个间隙; （b）在浮雕图像中涂布含有自交联性聚合物和溶剂的间隙填充组合物（这里，自交联性聚合物包括包含主链的聚合主链和交联性基团的第一单元）。 ; 和（c）在聚合物可以自交联的温度下加热间隙填充组合物。 本发明的方法特别适用于在半导体器件的制造中填充具有高纵横比的间隙。

公开(公告)号：KR102155018B1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：KR1020170061568

申请日：2017-05-18

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 허스태드필립디. ,  트레포나스3세피터 ,  박종근

IPC: C08F220/10 ,  H01L21/027 ,  C08F299/00

公开(公告)号：KR101740276B1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：KR1020140193255

申请日：2014-12-30

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 챙시-웨이 ,  박종근 ,  크레이머존더블유. ,  보겔에린비. ,  허스태드필립디. ,  트레포나스3세피터

IPC: C08J7/04 ,  C08L83/10 ,  C08L33/00 ,  C08G77/16 ,  C08G77/442 ,  C08F299/06 ,  C08G77/42 ,  C09D183/10

CPC classification number: C09D183/10 ,  C08G77/16 ,  C08G77/442 ,  Y10T428/31663

Abstract: 본명세서에는이것이배치되는기판에대해반응하는반응성잔기(moiety)를포함하는브러쉬폴리머; 및서로공유결합하는제1 블럭과제2 블럭을포함하는블럭코폴리머 (이때, 상기제1 블럭은제1 폴리머를포함하고제2 블럭은제2 폴리머를포함하며; 상기제1 폴리머는폴리실록산을 10 원자% 이하로포함하고; 상기제2 폴리머는폴리실록산을 15 원자% 이상포함한다)를포함하며; 상기브러쉬폴리머는상기제1 폴리머및 상기제2 폴리머와화학적으로상이하고; 상기제1 폴리머는상기제2 폴리머와화학적으로상이하며; 상기블럭코폴리머가상기브러쉬폴리머위에배치되는조성물이개시되어있다.

Abstract translation: 包含反应性部分的刷状聚合物，所述反应性部分与其所在的基材反应; 和嵌段共聚物（在这种情况下，包括：第一任务块2组的块共价连接至彼此第一块包括第一聚合物和所述第二块包括第二聚合物;所述第一聚合物是聚硅氧烷10 本文以原子百分比掺入;其中所述第一和第二聚合物包括原子％的聚硅氧烷至少15）。 其中刷毛聚合物在化学上不同于第一聚合物和第二聚合物; 其中第一聚合物在化学上不同于第二聚合物; 其中嵌段共聚物设置在刷子聚合物上。

公开(公告)号：KR1020170034879A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：KR1020170036341

申请日：2017-03-22

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 챙시-웨이 ,  박종근 ,  트레포나스3세피터 ,  크레이머존더블유. ,  보겔에린비. ,  허스태드필립디.

IPC: C08G77/442 ,  C08G85/00 ,  C08F299/08 ,  C08F297/00 ,  C08J3/00 ,  B05D3/02 ,  B29C71/02

CPC classification number: C08G77/442 ,  B29C59/14 ,  B29C71/0009 ,  B29C71/02 ,  B29C2059/023 ,  B29C2071/022 ,  B81C1/00 ,  G03F7/0002

Abstract: 방향족고리상에적어도하나의알킬치환을갖는비닐방향족모노머로부터유도된제1 블록; 및실록산모노머로부터유도된제2 블록;을포함하며, 여기서, 상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한카이파라미터가 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18인, 블록코폴리머가개시된다. 비닐방향족모노머를중합하여제1 블록을형성하는단계; 및상기제1 블록상에제2 블록을중합하여블록코폴리머를형성하는단계;를포함하며, 여기서, 상기제2 블록은실록산모노머를중합하는것에의해유도되며; 상기블록코폴리머는 200℃의온도에서 0.03 내지 0.18의카이파라미터를갖고; 상기카이파라미터는코폴리머의상기제1 블록과제2 블록사이의상호작용을측정한것인, 방법이개시된다.

Abstract translation: 衍生自在芳环上具有至少一个烷基取代基的乙烯基芳族单体的第一嵌段; 和衍生自硅氧烷单体的第二嵌段，其中在200℃的温度下测量第一嵌段任务2嵌段之间的相互作用的Kai参数为0.03至0.18。 结合乙烯基芳族单体形成第一嵌段; 并且通过组合第一嵌段上的第二嵌段形成嵌段共聚物，其中第二嵌段通过聚合硅氧烷单体得到; 嵌段共聚物在200℃的温度下具有0.03至0.18的K ai参数; 其中，Kai参数测量第一块任务和共聚物的两个嵌段之间的相互作用。

公开(公告)号：KR1020160025464A

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020150118103

申请日：2015-08-21

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 ,  롬엔드하스전자재료코리아유한회사

Inventor： 홍창영 ,  슈쳉-바이 ,  김정우 ,  류콩 ,  야마다신타로 ,  조에스텐로리앤 ,  이충봉 ,  허스태드필립디. ,  테일러제임스씨.

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337

Abstract: 다중패턴의형성방법이제공된다. 이방법은 (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 산불안정성그룹을포함하는매트릭스폴리머; 광산발생제; 및용매를포함하는조성물로부터형성된포토레지스트층을패턴화될하나이상의층 위에형성하는단계; (c) 포토레지스트층을활성화조사선에패턴식으로노광하는단계; (d) 노광된포토레지스트층을베이킹하는단계; (e) 베이킹된포토레지스트층을제1 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴을형성하는단계; (f) 제1 레지스트패턴의측벽영역의용해도를제1 현상제와상이한제2 현상제에대해용해성에서불용성으로변경하기위한수단을포함하는코팅조성물로제1 레지스트패턴을처리하는단계; 및 (g) 처리된제1 레지스트패턴을제2 현상제와접촉하여제1 레지스트패턴의일부를제거함으로써용해도-변경된측벽영역을남겨다중-패턴을형성하는단계를포함한다. 상기방법은미세리소그래피패턴의형성을위한반도체제조산업에서특정응용성을가진다.

Abstract translation: 提供了形成多个图案的方法。 用于形成多个图案的方法包括以下步骤：（a）提供包括一个或多个待图案化层的半导体衬底; （b）在要图案化的一个或多个层上形成光致抗蚀剂层，光致抗蚀剂层由包含含酸不稳定基团的基质聚合物的组合物形成; 光酸发生剂; 和溶剂; （c）以图案化方式将光致抗蚀剂层暴露于光化辐射; （d）烘烤曝光的光致抗蚀剂层; （e）通过使经烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触来形成第一抗蚀剂图案; （f）通过使用涂料组合物处理第一抗蚀剂图案，所述涂料组合物包括用于相对于不同于第一显影剂的第二显影剂将第一抗蚀剂图案的侧壁区域的溶解度从溶解度改变为不溶性的装置; 并且（g）通过使经处理的第一抗蚀剂图案与第二显影剂接触以除去溶解度改变的侧壁区域，从而形成多个图案，从而去除第一抗蚀剂图案的一部分。 用于形成多个图案的方法在用于形成精细光刻图案的半导体制造工业中具有特定的适用性。

公开(公告)号：KR101568157B1

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：KR1020140076023

申请日：2014-06-20

Applicant: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 ,  롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

Inventor： 트레포나스3세피터 ,  왕데얀 ,  리밍키 ,  샤르마라훌 ,  허스태드필립디.

IPC: C08J7/04 ,  C08F285/00 ,  C08J5/00 ,  G03F7/004 ,  B82B3/00

CPC classification number: B32B43/00 ,  B05D1/185 ,  B05D7/52 ,  B32B27/08 ,  B32B2457/14 ,  C08F2438/03 ,  C08L53/00 ,  G03F7/0002 ,  Y10T428/24942

Abstract: 본발명에는제1 블럭코폴리머를포함하는제1 조성물을기판위에배치하는단계 (여기서, 상기제1 블럭코폴리머는서로공유결합에의해결합되어있으며서로화학적으로상이한, 제1 절편과제2 절편을포함하며; 상기제1 절편은제1 표면자유에너지를가지며제2 절편은제2 표면자유에너지를갖는다); 및제2 코폴리머를포함하는제2 조성물을제1 블럭코폴리머의자유표면위에배치하는단계 (여기서, 상기제2 코폴리머는표면자유에너지감소잔기를포함하며; 상기표면자유에너지감소잔기는제1 표면자유에너지및 제2 표면자유에너지보다낮은표면자유에너지를가지며; 상기제2 코폴리머는제1 블럭코폴리머에대한친화성을갖는잔기 1종이상을추가로포함하고; 상기표면자유에너지감소잔기는상기제1 절편및 제2 절편과화학적으로상이하다)를포함하는방법이개시되어있다.

公开(公告)号：KR102163900B1

公开(公告)日：2020-10-12

申请号：KR1020170088378

申请日：2017-07-12

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 허스태드필립디. ,  트레포나스3세피터 ,  박종근

IPC: C08F220/10 ,  H01L21/027 ,  C08F299/00

公开(公告)号：KR101742575B1

公开(公告)日：2017-06-05

申请号：KR1020150107579

申请日：2015-07-29

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 허스태드필립디. ,  박종근 ,  성진욱 ,  박제임스히준

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/56

CPC classification number: G03F7/325 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0276

Abstract: (a) 패턴화될하나이상의층을포함하는반도체기판을제공하는단계; (b) 패턴화될하나이상의층 위에레지스트패턴을제공하는단계; (c) 가교제를포함하지않으며, 폴리머및 유기용매를포함하고, 여기서폴리머는레지스트패턴의표면에서산 그룹및/또는알콜그룹과결합을형성하기에효과적인수소수용체를함유하는그룹을포함하는축소조성물을패턴위에코팅하는단계; (d) 기판으로부터잔류축소조성물을세정하여레지스트패턴에결합된폴리머의일부를남기는단계를포함하는패턴축소방법이제공된다. 패턴축소조성물, 및상기방법에의해형성된코팅된기판및 전자디바이스가또한제공된다. 본발명은반도체디바이스의제조에있어서고해상패턴을제공하는데특별히적용된다.

公开(公告)号：KR1020170058897A

公开(公告)日：2017-05-29

申请号：KR1020170061568

申请日：2017-05-18

Applicant: 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 ,  다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨

Inventor： 허스태드필립디. ,  트레포나스3세피터 ,  박종근

IPC: C08F220/10 ,  H01L21/027 ,  C08F299/00

CPC classification number: C09D133/08 ,  C08L2203/20 ,  C08L2312/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31138

Abstract: 본발명에서는제1 아크릴레이트유닛과제2 유닛을포함하는랜덤코폴리머를포함하는매트조성물을반도체기판표면에배치하고(여기서코폴리머는폴리스티렌또는폴리에폭사이드를포함하지않는다); 랜덤코폴리머를가교결합하고; 브러쉬백필(backfill) 조성물과매트조성물이서로교대하도록기판에브러쉬백필조성물을배치하고; 자가조립을겪는블록코폴리머를브러쉬백필조성물과매트조성물상에배치하고; 블록코폴리머를에칭하여반도체기판에서균일하게이격된(spaced) 채널을생성하는방법을기술하였다.

Abstract translation: 在本发明中，将包含含有两个单元的第一丙烯酸酯单元任务的无规共聚物的无光泽组合物置于半导体基材的表面上，其中该共聚物不包含聚苯乙烯或聚环氧化物; 交联无规共聚物; 将刷子回填组合物置于基底上，使得刷子回填组合物和消光组合物彼此交替; 将经历自组装的嵌段共聚物置于刷子回填组合物和哑光组合物上; 蚀刻嵌段共聚物以在半导体衬底中产生均匀间隔的沟道。