-
公开(公告)号：KR101920112B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020150155219
申请日：2015-11-05
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC分类号： C07C211/64 , C07C211/63 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C25/00 , C07C25/02 , C07C69/76 , C07C69/78 , C07C381/12 , C07D203/14 , C07D205/04 , C07D207/04 , C07D211/06 , C07D213/79 , C07D223/04 , C07D225/02 , C07D233/02 , C07D241/04 , C07D263/04 , C07D265/30 , C07D277/04 , C07D279/12 , C07D295/112 , C07D295/155 , C07D295/26 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： [해결수단] 일반식(1)로표시되는오늄염화합물.(R, R, R, R, R및 R은수소원자또는 1가탄화수소기를나타내고, j는 0 또는 1이다. Z는일반식(a)로표시되는술포늄양이온또는일반식(b)로표시되는요오도늄양이온을나타낸다.)(R, R및 R은 1가탄화수소기를나타낸다. R및 R은 1가탄화수소기를나타낸다.) [효과] 본발명의레지스트조성물에포함되는오늄염화합물은, 산확산제어제로서양호하게기능하고, 결과적으로 MEF 및 LWR이작으며, 초점심도가우수하여고해상인패턴프로파일을구축할수 있다.
-
公开(公告)号：KR101919226B1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：KR1020170027207
申请日：2017-03-02
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
CPC分类号： G03F7/039 , C07C39/21 , C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/52 , C08L83/14 , C09D183/14 , G03F7/0045 , G03F7/0757 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0271 , H01L21/311
摘要： 본발명은, Cu나 Al과같은금속배선, 전극, 기판상, 특히 SiN과같은기판상에서발생하는박리의문제를개선할수 있고, 범용적으로이용되는 2.38% TMAH 수용액을현상액에이용하여, 패턴바닥부, 기판상에스컴이나푸팅을발생시키지않고순테이퍼의형상으로미세한패턴을형성할수 있는포지티브형감광성수지조성물을제공하는것을목적으로한다. 상기목적은, (A) 하기일반식 (1)로표시되는반복단위를갖고, 중량평균분자량이 3,000∼500,000인실록산사슬을갖는고분자화합물, (B) 광에의해산을발생시키고알칼리수용액에대한용해속도가증대되는감광재, (C) 가교제, 및 (D) 용제를함유하는포지티브형감광성수지조성물로달성된다.
-
公开(公告)号：KR101911094B1
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：KR1020120101696
申请日：2012-09-13
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/38
摘要： 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해성이증대되는기재성분과광 염기발생제성분과산 공급성분을함유하는레지스트조성물을지지체상에도포하여레지스트막을형성하는공정 (1) 과, 상기레지스트막에프리베이크를실시하지않고, 그레지스트막을노광하는공정 (2) 와, 상기공정 (2) 후에베이크를실시하여, 상기레지스트막의노광부에있어서, 상기노광에의해상기광 염기발생제성분으로부터발생한염기와상기산 공급성분에서유래하는산을중화시키고, 상기레지스트막의미노광부에있어서, 상기산 공급성분에서유래하는산의작용에의해상기기재성분의알칼리현상액에대한용해성을증대시키는공정 (3) 과, 상기레지스트막을알칼리현상하여, 상기레지스트막의미노광부가용해제거된네거티브형레지스트패턴을형성하는공정 (4) 를포함하는레지스트패턴형성방법.
-
公开(公告)号：KR101899598B1
公开(公告)日：2018-09-17
申请号：KR1020120078186
申请日：2012-07-18
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C303/32 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07D333/46 , C07D335/02 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： 화학식 (I)로표시되는구조단위를갖는수지, 알칼리수용액에불용성또는난용성이지만산의작용에의해알칼리수용액에가용성이되며, 화학식 (I)로표시되는구조단위를포함하지않는수지, 및화학식 (II)로표시되는산발생제를포함하는레지스트조성물을제공한다.(식중, R, A, R, R, R, L, Y, R, R, R, R, R, n, s 및 R은본 명세서에정의되어있음)
-
公开(公告)号：KR101885957B1
公开(公告)日：2018-08-06
申请号：KR1020160064811
申请日：2016-05-26
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
IPC分类号： C07C307/02 , C07C311/09 , G03F7/20 , G03F1/48
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C323/20 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/68 , C07C2603/74 , C07D295/26 , C07D305/06 , C07D307/77 , C07D327/06 , C07D327/08 , C07D333/46 , C07D333/76 , C07D335/02 , C07D335/16 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/30 , C08F220/38 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/2053 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38 , H01L21/0274
摘要： [과제] 고에너지선을광원으로한 포토리소그래피에있어서, 고도로산 확산을억제하여, 감도, MEF, 초점심도가우수하고, 또한노광기오염의원인이될 수있는아웃가스가적고, 나아가상용성이우수하여, 디펙트가발현되기어려운화학증폭레지스트조성물에사용되는광산발생제, 및상기광산발생제를포함하는화학증폭레지스트조성물, 및상기레지스트조성물을이용한패턴형성방법을제공한다. [해결수단] 하기식(1)으로표시되는술포늄염.
-
公开(公告)号：KR101884473B1
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：KR1020120049078
申请日：2012-05-09
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/203 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/38
摘要： 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해성이증대되는기재성분과, 광염기발생제성분을함유하는레지스트조성물을사용하여, 지지체상에레지스트막을형성하는공정 (1) 과, 상기레지스트막을노광하는공정 (2) 와, 상기공정 (2) 후에베이크를실시하여, 상기레지스트막의노광부에있어서, 상기노광에의해상기광 염기발생제성분으로부터발생한염기와상기레지스트막에미리공급된산을중화시키고, 상기레지스트막의미노광부에있어서, 상기레지스트막에미리공급된산의작용에의해상기기재성분의알칼리현상액에대한용해성을증대시키는공정 (3) 과, 상기레지스트막을알칼리현상하여, 상기레지스트막의미노광부가용해제거된네거티브형레지스트패턴을형성하는공정 (4) 를포함하는레지스트패턴형성방법.
-
公开(公告)号：KR101875955B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020120018897
申请日：2012-02-24
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要： 본발명은레지스트패턴제조시의포커스마진이양호하고, 결함의발생이적은레지스트패턴을얻을수 있는레지스트조성물을제공하는것을목적으로한다. 본발명의레지스트조성물은화학식 (I)로표시되는구조단위를갖는수지, 화학식 (II)로표시되는구조단위를갖고, 알칼리수용액에불용또는난용이고, 산의작용에의해알칼리수용액에용해될수 있는수지및 산발생제를함유한다.[식중, R은수소원자또는메틸기; A은알칸디일기; R는불소원자를갖는탄화수소기; R은할로겐원자를가질수도있는알킬기, 수소원자또는할로겐원자; 환 X은복소환을나타내고, 상기복소환은할로겐원자, 히드록시기, 탄화수소기, 알콕시기, 아실기또는아실옥시기로치환될수도있음]
-
公开(公告)号：KR20180058217A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：KR20180058240
申请日：2018-05-23
发明人： LIU CHEN YU , CHANG CHING YU
CPC分类号： G03F7/322 , C08F220/26 , C11D11/0047 , G03F7/004 , G03F7/0392 , G03F7/20 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , H01L21/0275
摘要： 리소그래피패터닝방법은, 기판상부에재료층을형성하는단계; 복사선에재료층의일부분을노광시키는단계; 및현상제에서재료층의노광된부분을제거하여, 패터닝된재료층을생성하는단계를포함한다. 현상제는유기용매및 염기성용질을포함하고, 유기용매는중량기준으로현상제의 50% 초과이다. 일실시예에있어서, 현상제는중량기준으로현상제는 50% 미만의물을더 포함한다.
-
公开(公告)号：KR20180039671A
公开(公告)日：2018-04-18
申请号：KR20187006615
申请日：2016-08-31
申请人： FUJIFILM CORP
摘要： 특히극미세의잔류패턴의형성에있어서, 막감소가적어, 높은해상력을얻을수 있는패턴형성방법, 상기패턴형성방법을포함하는전자디바이스의제조방법, 및상기패턴을형성하기위한적층체를제공한다. 패턴형성방법으로서, (a) 감활성광선성또는감방사선성조성물에의하여감활성광선성또는감방사선성막을형성하는공정, (b) 감활성광선성또는감방사선성막상에상층막형성용조성물에의하여상층막을형성하는공정, (c) 상층막이형성된감활성광선성또는감방사선성막을노광하는공정, 및 (d) 노광된감활성광선성또는감방사선성막을, 현상액으로현상하는공정을포함하고, 상층막형성용조성물이, 가교제를포함한다. 전자디바이스의제조방법은, 상기패턴형성방법을포함한다. 적층체는, 감활성광선성또는감방사선성막과, 가교제를포함하는상층막을갖는다.
-
公开(公告)号：KR20180034283A
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR20170124329
申请日：2017-09-26
IPC分类号： C07C381/12 , G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C323/37 , C07D333/20 , C07D409/10 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： [과제] ArF 엑시머레이저, EB, EUV 등의고에너지선을광원으로한 포토리소그래피에있어서, 산확산이작고, EL, MEF, LWR 등의리소그래피성능이우수한레지스트조성물에사용되는광산발생제및 이광산발생제를포함하는레지스트조성물, 그리고그 레지스트조성물을이용한패턴형성방법을제공한다. [해결수단] 하기식(1)로표시되는술포늄염.
摘要翻译： 当使用特定结构的锍盐作为PAG时，酸扩散受到抑制。 包含锍盐的抗蚀剂组合物在通过光刻处理时形成具有改进的光刻性质的图案，包括EL，MEF和LWR。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
794 条记录 (耗时 0.049 秒)
