公开(公告)号：KR101693879B1

公开(公告)日：2017-01-06

申请号：KR1020110019790

申请日：2011-03-07

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 나까무라히로유끼 ,  후지끼아쯔시 ,  세끼다쯔히로 ,  고이께노부야 ,  사또유끼히로 ,  아시다기쇼

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L29/66 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L27/07 ,  H01L24/06 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/66 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 반도체장치의성능과신뢰성을향상시킨다. 반도체칩(CP1)에는, 스위치용의파워 MOSFET(Q1, Q2)와, 파워 MOSFET(Q1)의발열을검지하기위한다이오드(DD1)와, 파워 MOSFET(Q2)의발열을검지하기위한다이오드(DD2)와, 복수의패드전극(PD)이형성되어있다. 파워 MOSFET(Q1) 및다이오드(DD1)는, 변(SD1)측의제1 MOSFET 영역(RG1)에배치되고, 파워 MOSFET(Q2) 및다이오드(DD2)는, 변(SD2)측의제2 MOSFET 영역(RG2)에배치되어있다. 다이오드(DD1)는변(SD1)을따라서배치되고, 다이오드(DD2)는변(SD2)을따라서배치되고, 다이오드(DD1, DD2)간에소스용의패드전극(PDS1, PDS2) 이외의모든패드전극(PD)을변(SD3)을따라서배치하고있다.

摘要翻译： 提高半导体器件的性能和可靠性。 对于半导体芯片CP1，用于开关的功率MOSFET Q1和Q2，用于检测功率MOSFET Q1的发热的二极管DD1，用于检测功率MOSFET Q2的发热的二极管DD2和多个焊盘电极PD 。 功率MOSFET Q1和二极管DD1布置在侧面SD1侧的第一MOSFET区域RG1中，功率MOSFET Q2和二极管DD2布置在侧面SD2侧的第二MOSFET区RG2中。 二极管DD1沿着侧面SD1配置，二极管DD2沿着侧面SD2配置，除了用于源极的焊盘电极PDS1和PDS2以外的所有焊盘电极PD沿着二极管DD1和DD2之间的侧面SD3排列。

公开(公告)号：KR1020110102188A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：KR1020110019790

申请日：2011-03-07

申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤

发明人： 나까무라히로유끼 ,  후지끼아쯔시 ,  세끼다쯔히로 ,  고이께노부야 ,  사또유끼히로 ,  아시다기쇼

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L29/66 ,  H01L27/07

CPC分类号： H01L27/07 ,  H01L24/06 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/66 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 반도체 장치의 성능과 신뢰성을 향상시킨다. 반도체 칩(CP1)에는, 스위치용의 파워 MOSFET(Q1, Q2)와, 파워 MOSFET(Q1)의 발열을 검지하기 위한 다이오드(DD1)와, 파워 MOSFET(Q2)의 발열을 검지하기 위한 다이오드(DD2)와, 복수의 패드 전극(PD)이 형성되어 있다. 파워 MOSFET(Q1) 및 다이오드(DD1)는, 변(SD1)측의 제1 MOSFET 영역(RG1)에 배치되고, 파워 MOSFET(Q2) 및 다이오드(DD2)는, 변(SD2)측의 제2 MOSFET 영역(RG2)에 배치되어 있다. 다이오드(DD1)는 변(SD1)을 따라서 배치되고, 다이오드(DD2)는 변(SD2)을 따라서 배치되고, 다이오드(DD1, DD2)간에 소스용의 패드 전극(PDS1, PDS2) 이외의 모든 패드 전극(PD)을 변(SD3)을 따라서 배치하고 있다.

摘要翻译： 提高半导体器件的性能和可靠性。 对于半导体芯片CP1，用于开关的功率MOSFET Q1和Q2，用于检测功率MOSFET Q1的发热的二极管DD1，用于检测功率MOSFET Q2的发热的二极管DD2和多个焊盘电极PD 。 功率MOSFET Q1和二极管DD1布置在侧面SD1侧的第一MOSFET区域RG1中，功率MOSFET Q2和二极管DD2布置在侧面SD2侧的第二MOSFET区RG2中。 二极管DD1沿着侧面SD1配置，二极管DD2沿着侧面SD2配置，除了用于源极的焊盘电极PDS1和PDS2以外的所有焊盘电极PD沿着二极管DD1和DD2之间的侧面SD3排列。