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公开(公告)号：KR1020160036505A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：KR1020150134460
申请日：2015-09-23
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/28 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49575 , B60L3/003 , B60L11/1803 , B60L15/007 , B60L2220/12 , B60L2240/525 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49555 , H01L23/49562 , H01L23/49565 , H01L23/544 , H01L23/564 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2223/54406 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/29116 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/37013 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40139 , H01L2224/40245 , H01L2224/40998 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/77704 , H01L2224/78704 , H01L2224/83192 , H01L2224/83447 , H01L2224/838 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/84136 , H01L2224/84138 , H01L2224/84801 , H01L2224/84815 , H01L2224/8485 , H01L2224/84862 , H01L2224/8585 , H01L2224/92147 , H01L2224/92246 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/05559 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要： 본발명은, 반도체장치의신뢰성을향상시키는것을과제로한다. 리드프레임 LF에한 쌍의현수부 HL이설치되며, 또한클립 CLP가본체부 BDU와한 쌍의연장부 EXU로구성되어있는것을전제로하여, 한쌍의연장부 EXU가한 쌍의현수부 HL 위에탑재되고지지되어있는점에있다. 이에의해, 클립 CLP는, 리드 LD1 위(1점)와한 쌍의현수부 HL 위(2점)에탑재됨으로써, 클립 CLP는, 이 3점에의해지지되어있게된다.
摘要翻译： 本发明的目的是提高半导体器件的可靠性。 一对悬挂部件（HL）安装在引线框架（LF）上。 考虑到夹子（CLP）由主体单元（BDU）和一对延伸单元（EXU）组成，一对延伸单元（EXU）布置在一对悬挂部件（HL）上并且位于支撑点处 ）。 因此，当夹子（CLP）布置在引线（LD1）（一点）的顶部和一对悬挂部件（HL）的顶部（两点）上时，夹子（CLP）由三个点支撑。
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公开(公告)号：KR1020160038771A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020150134468
申请日：2015-09-23
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/495 , H01L23/15 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4846 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0603 , H01L2224/0905 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/16151 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H02M7/219 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 본발명은, 반도체장치의신뢰성저하를억제하는것을과제로한다. 반도체장치는, 세라믹기판 CS1 위에형성된복수의금속패턴 MP와, 복수의금속패턴 MP에탑재된복수의반도체칩을갖는다. 또한, 복수의금속패턴 MP는, 서로대향하는금속패턴 MPH 및금속패턴 MPU를갖는다. 또한금속패턴 MPH와금속패턴 MPU의사이에설치되고, 또한복수의금속패턴 MP로부터노출된영역 EX1은, 금속패턴 MPH의연장방향을따라서, 지그재그로연장된다.
摘要翻译： 本发明的目的在于抑制半导体器件的可靠性降低。 半导体器件包括形成在陶瓷衬底（CS1）上的多个金属图案（MP）和形成在金属图案（MP）上的多个半导体芯片。 此外，多个金属图案（MP）包括彼此面对的金属图案（MPH）和金属图案（MPU）。 此外，在多个金属图案（MPH）和金属图案（MPU）之间布置曝光区域（EX1），由金属图案（MP）露出，并且在金属图案（MPH）的纵向方向上延伸 曲折的方式。
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公开(公告)号：KR1020100112535A
公开(公告)日：2010-10-19
申请号：KR1020100032277
申请日：2010-04-08
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/484 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85439 , H01L2224/85455 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/078 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to make the top side of a die pad, having the contact with an insulating resin, rough and to allow the back side of the die pad and an outer lead to be smooth. CONSTITUTION: A die pad is comprised of a conductive material. A plurality of lead portions(LD1) have an inner lead and an outer lead. A suspending lead unit(SL1) is formed at the end of a die pad. A semiconductor chip(CP1) mounts a die bounding member(DB1) on the die pad. A plurality of lead portions and semiconductor chips are connected to each other through a plurality of bonding wirings. An insulating resin(IR1) hermetically seals the semiconductor chip.
摘要翻译： 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，以使具有与绝缘树脂接触的芯片焊盘的顶侧粗糙并且允许芯片焊盘的背面和外部引线平滑。 构成：芯片焊盘由导电材料构成。 多个引线部分（LD1）具有内部引线和外部引线。 在芯片焊盘的端部形成有悬挂引线单元（SL1）。 半导体芯片（CP1）将芯片封装件（DB1）安装在芯片焊盘上。 多个引线部分和半导体芯片通过多个接合布线彼此连接。 绝缘树脂（IR1）密封半导体芯片。
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公开(公告)号：KR101693879B1
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020110019790
申请日：2011-03-07
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L27/07 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/66 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12036 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 반도체장치의성능과신뢰성을향상시킨다. 반도체칩(CP1)에는, 스위치용의파워 MOSFET(Q1, Q2)와, 파워 MOSFET(Q1)의발열을검지하기위한다이오드(DD1)와, 파워 MOSFET(Q2)의발열을검지하기위한다이오드(DD2)와, 복수의패드전극(PD)이형성되어있다. 파워 MOSFET(Q1) 및다이오드(DD1)는, 변(SD1)측의제1 MOSFET 영역(RG1)에배치되고, 파워 MOSFET(Q2) 및다이오드(DD2)는, 변(SD2)측의제2 MOSFET 영역(RG2)에배치되어있다. 다이오드(DD1)는변(SD1)을따라서배치되고, 다이오드(DD2)는변(SD2)을따라서배치되고, 다이오드(DD1, DD2)간에소스용의패드전극(PDS1, PDS2) 이외의모든패드전극(PD)을변(SD3)을따라서배치하고있다.
摘要翻译： 提高半导体器件的性能和可靠性。 对于半导体芯片CP1，用于开关的功率MOSFET Q1和Q2，用于检测功率MOSFET Q1的发热的二极管DD1，用于检测功率MOSFET Q2的发热的二极管DD2和多个焊盘电极PD 。 功率MOSFET Q1和二极管DD1布置在侧面SD1侧的第一MOSFET区域RG1中，功率MOSFET Q2和二极管DD2布置在侧面SD2侧的第二MOSFET区RG2中。 二极管DD1沿着侧面SD1配置，二极管DD2沿着侧面SD2配置，除了用于源极的焊盘电极PDS1和PDS2以外的所有焊盘电极PD沿着二极管DD1和DD2之间的侧面SD3排列。
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公开(公告)号：KR1020160038770A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020150134463
申请日：2015-09-23
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/15 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L25/07
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/52 , H01L21/54 , H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/16 , H01L23/3735 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L29/41708 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/1304 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02S40/32 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/014 , H01L2224/85399
摘要： 반도체장치의성능저하를억제한다. 반도체장치는세라믹기판(CS1) 위에형성된복수의금속패턴(MP)과복수의금속패턴(MP)의일부에탑재된반도체칩(CP)을가진다. 또한, 복수의금속패턴(MP)의가장자리부에는복수의오목부(DP)가형성되어있다. 또한, 복수의금속패턴(MP) 중반도체칩(CP)과겹치는영역에는복수의오목부(DP)가형성되어있지않다. 또한, 복수의금속패턴(MP) 중세라믹기판(CS1) 상면(CSt)의가장자리부에가장가까운위치에배치되는복수의금속패턴(MPT)에는복수의오목부(DP)가형성되어있다.
摘要翻译： 本发明涉及能够防止半导体器件的性能劣化的半导体器件。 半导体器件包括形成在陶瓷衬底（CS1）上的多个金属图案（MP）和部分地安装在金属图案（MP）上的半导体芯片（CP）。 在金属图案（MP）的边缘处形成的多个凹陷部分（DP）。 多个凹陷部（DP）不形成在金属图案（MP）与半导体芯片（CP）重叠的区域中。 此外，多个凹陷部（DP）形成在最接近金属图案（MP）的陶瓷基板（CS1）的上表面（CSt）的边缘的金属图案（MP）中。
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公开(公告)号：KR1020110102188A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020110019790
申请日：2011-03-07
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L27/07 , H01L24/06 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/66 , H01L2224/02166 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40247 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12036 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 반도체 장치의 성능과 신뢰성을 향상시킨다. 반도체 칩(CP1)에는, 스위치용의 파워 MOSFET(Q1, Q2)와, 파워 MOSFET(Q1)의 발열을 검지하기 위한 다이오드(DD1)와, 파워 MOSFET(Q2)의 발열을 검지하기 위한 다이오드(DD2)와, 복수의 패드 전극(PD)이 형성되어 있다. 파워 MOSFET(Q1) 및 다이오드(DD1)는, 변(SD1)측의 제1 MOSFET 영역(RG1)에 배치되고, 파워 MOSFET(Q2) 및 다이오드(DD2)는, 변(SD2)측의 제2 MOSFET 영역(RG2)에 배치되어 있다. 다이오드(DD1)는 변(SD1)을 따라서 배치되고, 다이오드(DD2)는 변(SD2)을 따라서 배치되고, 다이오드(DD1, DD2)간에 소스용의 패드 전극(PDS1, PDS2) 이외의 모든 패드 전극(PD)을 변(SD3)을 따라서 배치하고 있다.
摘要翻译： 提高半导体器件的性能和可靠性。 对于半导体芯片CP1，用于开关的功率MOSFET Q1和Q2，用于检测功率MOSFET Q1的发热的二极管DD1，用于检测功率MOSFET Q2的发热的二极管DD2和多个焊盘电极PD 。 功率MOSFET Q1和二极管DD1布置在侧面SD1侧的第一MOSFET区域RG1中，功率MOSFET Q2和二极管DD2布置在侧面SD2侧的第二MOSFET区RG2中。 二极管DD1沿着侧面SD1配置，二极管DD2沿着侧面SD2配置，除了用于源极的焊盘电极PDS1和PDS2以外的所有焊盘电极PD沿着二极管DD1和DD2之间的侧面SD3排列。
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