公开(公告)号：KR1020140113095A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020130028037

申请日：2013-03-15

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김윤수 ,  강상열 ,  사토히로키 ,  시라토리츠바사 ,  야마다나오키 ,  유차영 ,  조윤정 ,  조진무 ,  최재형

IPC分类号： C07F7/08 ,  C07F7/10 ,  C23C16/18

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/34 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

摘要： The present invention provides a trialkyl silane-based silicon precursor represented by chemical formula 1 below and a method for forming a thin film using the same. In chemical formula 1, each of R^1, R^2, and R^3 is hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms and all of R^1, R^2, and R^3 are not hydrogen; X is hydrogen, a hydroxyl group, an amide group, an alkoxide group, a halide group, or Si(R′)_3; and R′ may be hydrogen or alkyl having 1-5 carbon atoms.

摘要翻译： 本发明提供由下述化学式1表示的三烷基硅烷系硅前驱体及使用其形成薄膜的方法。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3中的每一个是氢或具有1-5个碳原子的烷基，R 1，R 2和R 3中的全部不是氢; X是氢，羟基，酰胺基，醇盐基，卤化物基团或Si（R'）3; 和R'可以是氢或具有1-5个碳原子的烷基。

公开(公告)号：KR1020100061974A

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：KR1020080120358

申请日：2008-12-01

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 최훈상 ,  임기빈 ,  오세훈 ,  강상열 ,  유차영

IPC分类号： H01G4/30 ,  H01G4/005

CPC分类号： H01G4/33 ,  H01G4/01 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： PURPOSE: A capacitor and a manufacturing method thereof are provided to prevent second storage electrodes from being inclined by contacting a support film pattern with the second storage electrodes. CONSTITUTION: A plurality of contact pads is formed on a substrate(100). A plurality of first storage electrodes(130) is electrically connected to the plurality of contact pads respectively. The plurality of first storage electrodes is arranged along a parallel line to a first direction. A plurality of second storage electrodes(162) is stacked on the plurality of first storage electrodes. A first support film pattern(152) supports first and second storage electrodes. A dielectric layer(180) is formed on the first and second storage electrodes. The plate electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 目的：提供电容器及其制造方法，以通过使支撑膜图案与第二存储电极接触来防止第二存储电极倾斜。 构成：在基板（100）上形成多个接触焊盘。 多个第一存储电极（130）分别与多个接触焊盘电连接。 多个第一存储电极沿着与第一方向的平行线布置。 多个第二存储电极（162）堆叠在多个第一存储电极上。 第一支撑膜图案（152）支撑第一和第二存储电极。 介电层（180）形成在第一和第二存储电极上。 在电介质层上形成平板电极。

公开(公告)号：KR1020070069588A

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：KR1020050131890

申请日：2005-12-28

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정숙진 ,  김진용 ,  김완돈 ,  이광희 ,  유차영

IPC分类号： H01L27/04

CPC分类号： H01L21/28556 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/91

摘要： A method for forming a metal layer and a method for fabricating a capacitor using the same are provided to reduce distribution of oxygen atom from an interface of the metal layer by performing a step of processing reducing gas plasma. A metal layer(130) is formed on a semiconductor substrate(100) by reacting a metal source with an oxygen source. The metal layer has a first meal layer(110) serving as a seed layer and a second metal layer(120) serving as a main layer. The first and second metal layers are obtained from the same metal source and the same oxygen source through an atomic layer deposition process. The first metal layer is obtained by performing steps of supplying and purging the metal source, supplying and purging the oxygen source, and processing the result with plasma under a reducing gas atmosphere.

摘要翻译： 提供了一种用于形成金属层的方法以及使用该方法制造电容器的方法，以通过执行减少气体等离子体的处理步骤来减少氧原子从金属层的界面的分布。 通过使金属源与氧源反应，在半导体衬底（100）上形成金属层（130）。 金属层具有用作种子层的第一膳食层（110）和用作主层的第二金属层（120）。 第一和第二金属层通过原子层沉积工艺从相同的金属源和相同的氧源获得。 第一金属层是通过进行供给和净化金属源，供给和净化氧源以及在还原气体气氛下等离子体处理结果的步骤而获得的。

公开(公告)号：KR100712521B1

公开(公告)日：2007-04-30

申请号：KR1020050069139

申请日：2005-07-28

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 정정희 ,  이종철 ,  최재형 ,  최정식 ,  오세훈 ,  유차영

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/02181 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/91

摘要： 본 발명은 금속-절연체-금속(Metal-insulator-metal: MIM) 커패시터의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 MIM 커패시터의 제조 방법은 반도체 기판상에 콘택 플러그를 구비하는 층간 절연막을 형성하는 단계, 상기 층간 절연막 상에 식각 정지막을 형성하는 단계, 상기 식각 정지막 상에 상기 콘택 플러그를 노출시키는 개구부를 포함하는 몰드막을 형성하는 단계, 상기 개구부의 측면 및 저면에 하부 전극용 제 1 도전막을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전막 상에 감광막을 형성하는 단계, 상기 제 1 도전막으로부터 노드 분리된 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 몰드막 및 상기 감광막을 제거하는 단계, 상기 하부 전극 상에 복합 유전막을 형성하는 단계, 및 상기 복합 유전막 상에 제 2 도전막을 형성하여 상부 전극을 완성하는 단계를 포함한다. 상기 복합 유전막은 산화하프늄(HfO
2 ) 유전막 및 산화알루미늄(Al
2 O
3 ) 유전막으로 형성되며, 산화하프늄 유전막은 20Å 초과 50Å 미만의 두께를 갖는다. 산화알루미늄 유전막은 소정의 커패시터의 용량을 얻기 위해 설정된 등가 산화 유전막(Toex)의 실두께에서 상기 산화하프늄 유전막의 두께를 뺀 두께로 형성된다.
금속-절연체-금속 커패시터, 하프늄 산화막

公开(公告)号：KR1020060101965A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR1020050023642

申请日：2005-03-22

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박영근 ,  유차영 ,  임기빈 ,  정은애 ,  여재현 ,  김영선 ,  김성태

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L21/02172 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324

摘要： 박막 제조 방법 및 이를 이용한 게이트 구조물, 커패시터의 제조 방법에서, 금속 전구체 및 상기 금속 전구체를 산화시키기 위한 오존가스 85 내지 100 vol%를 포함하는 산화제를 상기 기판 상부로 제공한다. 이어서, 상기 기판의 상부로 제공된 금속 전구체와 상기 산화제의 반응으로 상기 기판 상에 금속 산화물로 이루어진 금속 산화막이 형성된다. 상기 금속 산화막은 게이트 구조물의 게이트 절연막, 커패시터의 유전막 등에 용이하게 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060077816A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020040117785

申请日：2004-12-31

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 윤경렬 ,  최한메 ,  이승환 ,  최대식 ,  박기연 ,  김영선 ,  김성태 ,  유차영

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L21/31 ,  H01L21/28

摘要： 반도체 장치의 커패시터 형성 방법에서, 기판 상에 하부 전극을 형성한 후, 상기 하부 전극 상에 표면 모폴로지를 개선하기 위한 제1 박막과 상기 제1 박막보다 얇은 등가 산화막 두께를 유지하면서 상기 제1 박막보다 높은 유전율을 제공하기 위한 제2 박막으로 이루어지는 유전막을 형성하고, 상기 유전막 상에 상부 전극을 형성한다. 따라서, 표면 모폴로지가 양호하면서도 높은 유전율과 얇은 등가 산화막 두께를 갖는 유전막을 포함하는 반도체 장치의 커패시터를 용이하게 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100589062B1

公开(公告)日：2006-06-12

申请号：KR1020040042551

申请日：2004-06-10

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이종철 ,  임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  최한메 ,  남갑진

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L28/65

摘要： 원자층 적층 방식의 박막 형성 방법에서, 챔버 내부에 기판을 위치시킨 후, 챔버 내부에 반응물질을 도입한다. 상기 반응물질의 일부를 기판 상에 화학 흡착시킨다. 아르곤, 제논, 크립톤과 같은 불활성 가스와 산소, 질소, 아산화질소와 같은 비활성 가스를 사용하여 형성한 플라즈마를 이용하여 상기 화학 흡착된 반응물질에 포함된 원자들의 일부를 제거한다. 공정 단계가 단순화되어 공정 시간과 공정 비용이 감소하게 된다.

公开(公告)号：KR100578824B1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020050020358

申请日：2005-03-11

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박영근 ,  여재현 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  윤경렬 ,  이승환 ,  정은애 ,  최대식 ,  박기연 ,  임기빈 ,  최한메 ,  권종완

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/108

摘要： 박막 제조 방법 및 이를 이용한 게이트 구조물, 커패시터의 제조 방법에서, 1개의 알콕시기(alkoxy group)와 3개의 아미노기(amino group)를 포함하는 하프늄 전구체 및 상기 하프늄 전구체를 산화시키기 위한 산화제를 상기 기판 상부로 제공한다. 이어서, 상기 기판의 상부로 제공된 하프늄 전구체와 산화제를 이용하여 상기 기판 상에 하프늄 산화물을 포함하는 고체물질을 형성한다. 그 결과, 상기 기판 상에는 하프늄 산화물을 포함하는 고체 물질로 이루어지는 박막이 형성된다. 그리고, 상기 박막을 게이트 구조물의 게이트 절연막, 커패시터의 유전막 등에 용이하게 적용한다.

摘要翻译： 在薄膜制造方法和使用其的栅极结构和电容器制造方法中，将含有一个烷氧基和三个氨基的铪前驱体和用于氧化铪前驱体的氧化剂沉积在基板上 提供。 然后使用在衬底顶部提供的铪前体和氧化剂在衬底上形成包含氧化铪的固体材料。 结果，在基板上形成由含有氧化铪的固体材料制成的薄膜。 该薄膜易于应用于栅极结构的栅极绝缘膜，电容器的电介质膜等。

公开(公告)号：KR100578786B1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：KR1020040038058

申请日：2004-05-28

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 이종철 ,  임기빈 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영 ,  최한메 ,  남갑진 ,  이승환

IPC分类号： H01L21/20

摘要： 원자층 증착 공정을 이용한 향상된 누설 전류 제어 특성과 우수한 절연 특성을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 이용한 캐패시터의 제조 방법에서, 챔버 내부에 기판을 위치시킨 후, 챔버 내부에 제1 반응물질을 도입한다. 상기 제1 반응물질의 일부를 기판 상에 화학 흡착시킨다. 챔버 내부에 제2 반응물질을 도입하여 상기 기판 상에 박막을 형성한다. 아르곤, 제논, 크립톤과 같은 불활성 가스와 산소, 질소, 아산화질소와 같은 비활성 가스를 사용하여 형성한 불순물 제거용 플라즈마를 이용하여 챔버 내에 잔류하는 반응물질과 상기 박막내의 불순물을 동시에 제거한다. 박막 내의 불순물을 효과적으로 제거할 수 있어 누설 전류를 현저히 감소시킬 수 있다.

摘要翻译： 在用于形成薄膜使用原子层沉积工艺和使用该制造电容器，然后将衬底放置在腔室中，并引入第一反应物腔室的方法，改进的泄漏控制性能和优异的绝缘性能的方法。 一部分第一反应物被化学吸附到基底上。 将第二反应材料引入腔室中以在基底上形成薄膜。 使用诸如氩气，氙气或氪气之类的惰性气体以及诸如氧气，氮气或氧化亚氮之类的惰性气体同时除去腔室中残留的反应物质和薄膜中的杂质。 薄膜中的杂质可以被有效地去除，并且泄漏电流可以显着降低。

公开(公告)号：KR1020060037970A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020040087079

申请日：2004-10-29

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 윤경렬 ,  최한메 ,  이승환 ,  최대식 ,  박기연 ,  김성태 ,  김영선 ,  유차영

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L28/91

摘要： 반도체 장치의 커패시터 형성 방법에 있어서, 기판 상에 하부 전극을 형성한 후, 유전막의 표면 모폴로지를 개선하기 위한 시드막을 상기 하부 전극 상에 형성한다. 그리고, 상기 시드막 상에 지르코늄 산화물을 포함하는 유전막을 형성한 후, 상기 유전막 상에 상부 전극을 형성한다. 따라서, 높은 유전율을 가지고, 등가 산화막 두께가 충분하게 낮으면서도 양호한 표면 모폴로지를 갖는 유전막의 형성이 가능하다. 그러므로, 상기 반도체 장치의 안정성과 신뢰성을 동시에 확보할 수 있다.