公开(公告)号：KR101573205B1

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：KR1020107024107

申请日：2009-03-26

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 케르,시레아스에스. ,  나르원카르,프라빈케이. ,  아흐메드,할레드제트. ,  마,이

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31645 ,  C23C14/083 ,  C23C16/56 ,  H01L21/3141

Abstract: 초-고순도하프늄함유유기금속성화합물을이용하여하이 K(유전상수) 막을제조하기위한프로세스들이개시된다. 고순도하프늄함유유기금속성화합물들을이용하여제조된하이 K 막들을통합하는소자들이또한제시된다.

公开(公告)号：KR101561018B1

公开(公告)日：2015-10-19

申请号：KR1020117006499

申请日：2009-08-20

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 샌감,케달나트 ,  엔구옌,안,엔.

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/31645 ,  Y10T117/10 ,  Y10T137/87249

Abstract: 가스분배조립체를위한방법및 장치가제공된다. 몇몇실시예에서, 가스분배조립체는제 1 체적을갖는가스입구구멍, 및가스를수용하는입구및 가스도관으로부터그리고상기제 1 체적내측으로가스의유동을촉진시키는출구를갖춘가스도관을포함하며, 상기가스도관은상기제 1 체적보다작은제 2 체적, 및상기입구에근접한제 1 횡단면으로부터상기출구에근접한제 2 횡단면으로증가하는횡단면을가지며, 상기제 2 횡단면은비원형이다. 몇몇실시예에서, 각각의가스도관은가스입구구멍의중심축선과교차하는길이방향축선을가진다.

公开(公告)号：KR101240031B1

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：KR1020107022047

申请日：2009-06-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  후타무라무네히사

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31645 ,  C23C16/4481 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31641

Abstract: 본 발명의 기화기는, 액체 원료의 토출구가 부착물에 의해 폐색되는 것을 방지한다. 이 기화기는, 노즐(320)의 토출구(322)로부터 토출된 액체 원료를 가열된 기화실(360) 내에서 기화시켜 원료 가스를 생성하는 기화기(300)로서, 노즐의 선단부(323)와 기화실 사이에 토출구의 주위를 덮도록 마련된 통형의 피가열 부재(340)와, 토출구의 근방으로부터 캐리어 가스를 분출하는 캐리어 가스 분출구(326)와, 토출구로부터 토출된 액체 원료를 캐리어 가스와 혼합시켜 기화실에 분출시키는 혼합실(344)과, 기화실을 그 외측으로부터 가열하는 제1 가열부[히터(392, 394)]와, 피가열 부재를 그 외측으로부터 가열하는 제2 가열부[히터(342)]를 구비한 것이다.

公开(公告)号：KR101170261B1

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：KR1020107021370

申请日：2009-06-10

Applicant: 인텔 코포레이션

Inventor： 메츠매튜 ,  드웨이길버트

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31645 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

Abstract: 본 명세서에는 디바이스 내의 상안정 비정질 하이-k 유전체층의 실시예 및 디바이스 내에 상안정 비정질 하이-k 유전체층을 형성하는 방법을 개시하고 있다. 다른 실시예들이 개시되고 청구되어 있을 수도 있다.

公开(公告)号：KR101159070B1

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020030015197

申请日：2003-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  서범석 ,  민요셉 ,  조영진

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645

Abstract: 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법으로 형성된 유전막이 구비된 커패시터 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 ALD 장치에 반도체 기판을 로딩하는 제1 단계와, 반도체 기판 상에 제1 및 제2 반응요소가 소정의 조성비로 포함된 반응물을 증착시키는 제2 단계와, 상기 제1 및 제2 반응요소가 동시에 산화되도록 상기 반응물을 산화시켜 상기 반도체 기판 상에 상기 두 반응요소가 포함된 제1 고유전율 산화막을 형성하는 제3 단계를 포함하고 상기 제1 및 제2 반응요소는 각각 Hf 및 Al인 고유전율 산화막 형성방법, 이 방법이 적용된 커패시터 및 그 제조방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 산화막 형성에 사용되는 장치의 부피를 줄일 수 있고, 그 생산성은 증가시키면서 생산단가는 낮출 수 있다. 또한, 유전율이 높고, 누설전류 및 트랩 밀도가 낮은 고유전율 산화막을 얻을 수 있다. 이러한 산화막을 유전막으로 구비함으로써 커패시터의 누설전류 및 트랩 밀도가 낮아지게 된다.

公开(公告)号：KR101139369B1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020100073877

申请日：2010-07-30

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 다케바야시유지 ,  야마자키히로히사 ,  호리이사다요시 ,  이타타니히데하루 ,  오가와아리토

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02172 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67103 ,  H01L28/40

Abstract: A high-k capacitor insulating film stable at a higher temperature is formed. There is provided a method of manufacturing a semiconductor device. The method comprises: forming a first amorphous insulating film comprising a first element on a substrate; adding a second element different from the first element to the first amorphous insulating film so as to form a second amorphous insulating film on the substrate; and annealing the second amorphous insulating film at a predetermined annealing temperature so as to form a third insulating film by changing a phase of the second amorphous insulating film. The concentration of the second element added to the first amorphous insulating film is controlled according to the annealing temperature.

公开(公告)号：KR1020110056233A

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：KR1020100114820

申请日：2010-11-18

Applicant: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

Inventor： 사사지마료타 ,  히로세요시로 ,  오타요스케 ,  아카에나오노리 ,  요코자와코지로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0223 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/321

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus are provided to implement an oxide film of a fine structure by suppressing the consumption of a metal for forming the oxide film. CONSTITUTION: In a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus, a source gas including a certain element is provided within the reaction chamber receiving a substrate. A layer including the certain element is formed on the substrate. A gas having oxygen and a gas having hydrogen are provided within the reaction chamber. The layer including the certain element is changed into the oxide layer. The oxide film having a certain thickness is formed on the substrate.

Abstract translation: 目的：制造半导体装置的方法和基板处理装置，通过抑制用于形成氧化膜的金属的消耗来实现精细结构的氧化物膜。 构成：在制造半导体器件和衬底处理设备的方法中，在接收衬底的反应室内设置包括特定元件的源气体。 在基板上形成包含该特定元件的层。 具有氧的气体和具有氢的气体设置在反应室内。 包含该特定元素的层变成氧化物层。 在基板上形成具有一定厚度的氧化膜。

公开(公告)号：KR1020110048055A

公开(公告)日：2011-05-09

申请号：KR1020117006499

申请日：2009-08-20

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 샌감,케달나트 ,  엔구옌,안,엔.

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45582 ,  H01L21/31645 ,  Y10T117/10 ,  Y10T137/87249

Abstract: 가스 분배 조립체를 위한 방법 및 장치가 제공된다. 몇몇 실시예에서, 가스 분배 조립체는 제 1 체적을 갖는 가스 입구 구멍, 및 가스를 수용하는 입구 및 가스 도관으로부터 그리고 상기 제 1 체적 내측으로 가스의 유동을 촉진시키는 출구를 갖춘 가스 도관을 포함하며, 상기 가스 도관은 상기 제 1 체적보다 작은 제 2 체적, 및 상기 입구에 근접한 제 1 횡단면으로부터 상기 출구에 근접한 제 2 횡단면으로 증가하는 횡단면을 가지며, 상기 제 2 횡단면은 비원형이다. 몇몇 실시예에서, 각각의 가스 도관은 가스 입구 구멍의 중심 축선과 교차하는 길이방향 축선을 가진다.

Abstract translation: 提供了一种用于气体分配组件的方法和设备。 在一些实施例中，气体分配组件包括第一气体入口孔，并与出口的气体导管从入口和用于接收气体和促进气体流入第一容积具有一定体积的气体管道， 该气体导管具有横截面增大以关闭第二截面靠近出口从第一横截面的第二体积大于第一体积更小，并且所述入口，所述第二横截面是非圆形的。 在一些实施例中，每个气体导管具有与气体入口孔的中心轴线相交的纵向轴线。

公开(公告)号：KR101024962B1

公开(公告)日：2011-03-25

申请号：KR1020080135472

申请日：2008-12-29

Applicant: 캐논 가부시끼가이샤 ,  캐논 아네르바 가부시키가이샤

Inventor： 키타노나오무 ,  후쿠치유스케 ,  스즈키노부마사 ,  키타가와히데오

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28229 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5853 ,  C23C14/5893 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/321 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 실리콘 기판 위에 적어도 금속 원자, 실리콘 원자, 및 산소 원자를 포함한 절연막을 형성하는 방법은, 상기 실리콘 기판의 표면을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 제1의 공정과, 비산화성 분위기 중에 있어서 상기 실리콘 산화막 위에 금속막을 형성하는 제2의 공정과, 비산화성 분위기 중에서 가열하는 것으로, 상기 금속막을 구성하는 금속 원자를 상기 실리콘 산화막 중에 확산시키는 제3의 공정과, 상기 금속 원자가 확산된 상기 실리콘 산화막을 산화해서, 상기 금속 원자, 실리콘 원자, 및 산소 원자를 포함한 막을 형성하는 제4의 공정을 포함한다.
절연막, 실리콘 산화막, 비산화성 분위기, 금속막

公开(公告)号：KR101019799B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020087014896

申请日：2006-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  아키야마고지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/318

Abstract: 유기 금속 화합물 재료를 이용하여 피처리체의 표면에 형성된 고유전체 박막의 개질 방법에 있어서, 상기 고유전체 박막이 표면에 형성된 상기 피처리체를 준비하는 준비 공정과, 상기 피처리체를 소정의 온도로 유지하면서 불활성 가스의 분위기 중에서 상기 고유전체 박막에 자외선을 조사함으로써 상기 고유전체 박막의 개질을 실행하는 개질 공정을 구비하도록 구성한다. 이것에 의해, 고유전체 박막 내에서 탄소 성분을 제거함과 아울러, 전체를 소성하여 밀도를 향상시켜, 결손의 발생을 방지하고, 또한 막 밀도를 향상시키는 것으로 비유전율을 높이고, 높은 전기 특성을 얻을 수 있다.