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    하층막 재료 및 패턴 형성 방법
    2.
    发明公开
    하층막 재료 및 패턴 형성 방법 审中-实审
    底层薄膜组合物和图案处理方法

    公开(公告)号：KR1020140144664A

    公开(公告)日：2014-12-19

    申请号：KR1020140070002

    申请日：2014-06-10

    申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

    发明人： 하타케야마,준 ,  고리,다이스케 ,  오기하라,츠토무

    IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

    CPC分类号： H01L21/0276 ,  C08G8/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/425 ,  H01L21/266

    摘要： 본 발명은 리소그래피에서 사용되는 포토레지스트 하층막 재료로서, 화학식 (1)로 표시되는 반복 단위를 갖는 노볼락 수지를 함유하는 하층막 재료에 관한 것이다.

    (R
    1 은 수소 원자, 산 불안정기, 글리시딜기, 또는 알킬기, 아실기, 알콕시카르보닐기, R
    2 는 수소 원자, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기, R
    3 은 수소 원자, 알킬기, 알케닐기 또는 아릴기, X는 메틸렌기, 에틸렌기, 에티닐렌기, -S- 또는 -NH-, m, n은 1 또는 2)
    본 발명의 레지스트 하층막 재료의 히드록시쿠마린의 반복 단위를 갖는 노볼락 수지는, 알칼리수에 의해 가수분해되어 히드록시신남산으로 됨으로써 카르복실기가 발생하여, 알칼리 수용액에 가용으로 된다. 이에 의해, 이온을 주입한 Si 기판이나 SiO
    2 기판에 대미지를 입히지 않고 박리하는 것이 가능해진다.

    摘要翻译： 本发明涉及在光刻工艺中使用的下层膜材料，并且包括具有由化学式（1）表示的重复单元的酚醛清漆树脂。 （R 1是氢原子，酸性基团，缩水甘油基，烷基，酰基或烷氧基羰基，R 2是氢原子，烷基，烯基或芳基 X为亚甲基，亚乙基，亚乙炔基，-S-或-NH-，m和n为1或2）本发明的抗蚀剂底层材料具有羟基香豆素重复单元的酚醛清漆树脂 被碱性水水解，生成羟基肉桂酸，产生羧基，并溶解在碱性水溶液中。 因此，剥离而不损害离子注入的Si衬底或SiO 2衬底是可能的。

    하층막 재료 및 패턴 형성 방법
    4.
    发明授权
    하층막 재료 및 패턴 형성 방법 有权
    底层材料和图案形成方法

    公开(公告)号：KR101728207B1

    公开(公告)日：2017-04-18

    申请号：KR1020140069994

    申请日：2014-06-10

    申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

    发明人： 하타케야마,준 ,  고리,다이스케 ,  오기하라,츠토무

    IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/266 ,  C08G8/04 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11

    CPC分类号： H01L21/0276 ,  C08G8/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/425 ,  H01L21/266

    摘要： 본발명은리소그래피에서사용되는포토레지스트하층막재료로서, 치환또는비치환된플루오레세인반복단위를갖는노볼락수지를함유하는것을특징으로하는하층막재료를제공한다. 본발명의레지스트하층막재료는, 알칼리수로박리된다. 플루오레세인반복단위를갖는노볼락수지는알칼리수로가수분해되어카르복실기가발생하여, 알칼리수용액에가용으로된다. 이에의해, 이온을주입한 Si 기판이나 SiO기판에대미지를입히지않고박리하는것이가능해진다.

    摘要翻译： 本发明提供一种下层膜材料，其特征在于其包含具有取代或未取代的芴重复单元的酚醛清漆树脂作为光刻中使用的光致抗蚀剂下层膜材料。 用碱性水将本发明的抗蚀剂下层膜材料剥离。 具有氟树脂重复单元的酚醛清漆树脂用碱性水水解以产生可溶于碱水溶液中的羧基。 这使得可以剥离离子已经注入的Si衬底或SiO 2衬底而不损坏它们。

    도포형 BPSG막 형성용 조성물, 기판, 및 패턴형성방법
    6.
    发明公开
    도포형 BPSG막 형성용 조성물, 기판, 및 패턴형성방법 审中-实审
    用于形成涂布型BPSG膜，基材和形成图案的方法的组合物

    公开(公告)号：KR1020160040435A

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：KR1020150139372

    申请日：2015-10-02

    申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

    发明人： 타치바나,세이이치로 ,  타네다,요시노리 ,  키쿠치,리에 ,  오기하라,츠토무

    IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/033 ,  H01L21/205

    CPC分类号： C09D185/04 ,  C08G77/56 ,  C09D183/06 ,  C09D183/14 ,  C09D185/02 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144

    摘要： [과제] 미세패턴에있어서의밀착성이우수하고, 반도체기판이나패터닝공정에서필요한도포형유기막이나탄소를주성분으로하는 CVD막에대하여데미지를주지않는박리액으로용이하게웨트에칭가능하고, 또한, 드라이에칭후에도박리성을유지할수 있으며, 나아가도포프로세스로형성함으로써파티클의발생을억제할수 있는 BPSG막을형성하기위한도포형 BPSG막형성용조성물을제공한다. [해결수단] 하기일반식(1)로표시되는규산을골격으로하는구조중 1종류이상, 하기일반식(2)로표시되는인산을골격으로하는구조중 1종류이상, 하기일반식(3)으로표시되는붕산을골격으로하는구조중 1종류이상, 및하기일반식(4)로표시되는규소를골격으로하는구조중 1종류이상을가지며, 또한, 하기일반식(4)로표시되는단위끼리의연결을포함하는도포형 BPSG막형성용조성물. [화학식 1][화학식 2][화학식 3][화학식 4]

    摘要翻译： 提供一种用于形成铺展型硼磷硅酸盐玻璃膜的组合物，其在形成微图案时表现出优异的粘附性。 该组合物包括：至少一种具有由通式1表示的硅酸骨架的结构; 至少一种具有由通式2表示的磷酸骨架的结构; 至少一种具有由通式3表示的硼酸骨架的结构; 以及具有由通式4表示的硅骨架的至少一种结构。本发明的组合物还包括由通式4表示的单元之间的键。

    반도체 장치기판의 제조방법
    7.
    发明公开
    반도체 장치기판의 제조방법 有权
    制造半导体器件基板的方法

    公开(公告)号：KR1020160026782A

    公开(公告)日：2016-03-09

    申请号：KR1020150121648

    申请日：2015-08-28

    申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

    发明人： 오기하라,츠토무 ,  코리,다이스케 ,  타네다,요시노리 ,  비야지마,유스케 ,  키쿠치,리에 ,  타치바나,세이이치로

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L21/02216 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

    摘要： [과제] 규소함유막을사용한반도체장치기판의제조방법에있어서, 이온주입에사용한마스크를박리액으로용이하고또한기판에데미지를주지않고습식박리할수 있는반도체장치기판의제조방법을제공한다. [해결수단] (1) 기판상에형성한유기하층막상에규소함유량이 1~30질량%인규소함유막을형성하는공정, (2) 규소함유막상에레지스트막을형성하는공정, (3) 레지스트막을노광, 현상하여레지스트패턴을형성하는공정, (4) 레지스트패턴을마스크로하여규소함유막에패턴을전사하는공정, (5) 규소함유막을마스크로하여유기하층막에패턴을전사하고, 규소함유막의일부또는전부를유기하층막상에남기는공정, (6) 유기하층막을마스크로하여기판에이온을주입하는공정, 및 (7) 이온주입의마스크로서사용된규소함유막의일부또는전부가남은유기하층막을박리액으로박리하는공정을포함하는반도체장치기판의제조방법.

    摘要翻译： 在使用含硅膜制造半导体器件基板的方法中，提供了一种用于制造半导体器件基板的方法，其可以容易地在用分离层离子注入的掩模上进行湿分层而不损坏基板。 制造半导体器件基板的方法包括以下工序：（1）在基板上形成的有机下膜上形成硅含量为1-30质量％的含硅膜; （2）在含硅膜上形成抗蚀剂膜; （3）通过曝光和显影抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案; （4）通过使用抗蚀剂图案作为掩模将图案转印到含硅膜上; （5）通过使用含硅膜作为掩模将图案转印到有机下膜上，并将一部分或全部含硅膜留在有机下膜上; （6）使用有机下膜作为掩模将离子注入基板; 和（7）将作为离子注入掩模的部分或全部含硅膜残留的有机下膜分层。

    하층막 재료 및 패턴 형성 방법
    8.
    发明授权
    하층막 재료 및 패턴 형성 방법 有权

    公开(公告)号：KR101861403B1

    公开(公告)日：2018-05-28

    申请号：KR1020140070002

    申请日：2014-06-10

    申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

    发明人： 하타케야마,준 ,  고리,다이스케 ,  오기하라,츠토무

    IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

    CPC分类号： H01L21/0276 ,  C08G8/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/425 ,  H01L21/266

    摘要： 본발명은리소그래피에서사용되는포토레지스트하층막재료로서, 화학식 (1)로표시되는반복단위를갖는노볼락수지를함유하는하층막재료에관한것이다.(R은수소원자, 산불안정기, 글리시딜기, 또는알킬기, 아실기, 알콕시카르보닐기, R는수소원자, 알킬기, 알케닐기또는아릴기, R은수소원자, 알킬기, 알케닐기또는아릴기, X는메틸렌기, 에틸렌기, 에티닐렌기, -S- 또는 -NH-, m, n은 1 또는 2) 본발명의레지스트하층막재료의히드록시쿠마린의반복단위를갖는노볼락수지는, 알칼리수에의해가수분해되어히드록시신남산으로됨으로써카르복실기가발생하여, 알칼리수용액에가용으로된다. 이에의해, 이온을주입한 Si 기판이나 SiO기판에대미지를입히지않고박리하는것이가능해진다.