公开(公告)号：KR101874468B1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：KR1020137005270

申请日：2011-08-02

申请人： 셀렉스 이에스 에스.피.에이.

发明人： 페로니,마르코 ,  로마니니,파올로

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L21/28581 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： 고전자이동도트랜지스터(1, 1')를제조하는방법이개시된다. 본방법은, 순차적으로적층된반-절연성기판(2), 버퍼층(3) 및배리어층(4)을포함하는에피택셜기판을제공하고; 배리어층(4) 위에형성되고그리고그것과오믹접촉을형성하는, 제1 및제2 도전성전극들(6, 7)을형성하고; 제1 및제2 도전성전극들(6, 7) 사이에서, 배리어층(4) 상에그것과쇼트키접합을이루는제어게이트(13)를형성하는과정을포함한다. 제어게이트(13)는, 먼저제어게이트(13)의하부(11)를형성하고, 이전의공정단계에서초래된반도체표면의결정격자에대한손상을제거하고또한쇼트키접합의금속-반도체계면을안정화하기위하여, 열적안정화및 어닐링처리를수행하고, 그리고최종적으로제어게이트(13)의하부에그것과전기적접촉상태로제어게이트(13)의상부(12)를형성함으로써, 배리어층(4) 위에형성된다.

公开(公告)号：KR20180012917A

公开(公告)日：2018-02-07

申请号：KR20160095728

申请日：2016-07-27

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/861 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 제 1 기판상에제 1 에피층, 희생층, 제 2 에피층및 제 3 에피층을순차적으로적층하는것, 상기제 3 에피층, 상기제 2 에피층및 상기희생층을관통하는트렌치를형성하는것, 상기제 3 에피층의상면상에구조층을형성하는것, 상기트렌치의내면및 상기구조층을덮는금속막을형성하는것, 상기트렌치를채우고, 상기금속막을덮는제 2 기판을형성하는것, 및상기제 1 에피층으로부터상기제 2 에피층, 상기제 3 에피층및 상기구조층을분리하는것을포함하는반도체소자의제조방법을제공한다.

摘要翻译： 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在第一衬底上顺序地堆叠第一外延层，牺牲层，第二外延层和第三外延层;形成穿过第三外延层，第二外延层和第三外延层的沟槽;以及 牺牲层;在第三外延层的上表面上形成结构层;形成覆盖沟槽的内表面和结构层的金属膜;形成填充沟槽并覆盖金属膜的第二基板;以及 从第一外延层分离第二外延层，第三外延层和结构层。

公开(公告)号：KR101813180B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：KR1020110063047

申请日：2011-06-28

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 황인준 ,  홍기하 ,  오재준 ,  하종봉 ,  김종섭 ,  최혁순 ,  신재광

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/0657 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787

摘要： 고전자이동도트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된고 전자이동도트랜지스터는드레인하방의기판의일부영역을제거하여캐버티를형성한구조일수 있으며, 항복전압을향상시켜소자파괴현상을방지할수 있다.

摘要翻译： 公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 所公开的高电子迁移率晶体管可以具有通过去除漏极下方的衬底的一部分来形成空腔的结构，并且可以通过提高击穿电压来防止器件击穿现象。

公开(公告)号：KR101813177B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：KR1020110043082

申请日：2011-05-06

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 황인준 ,  신재광 ,  오재준 ,  하종봉 ,  최혁순 ,  홍기하

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462

摘要： 고전자이동도트랜지스터(HEMT) 및그 제조방법에관해개시되어있다. 개시된 HEMT는채널층및 채널공급층을포함할수 있고, 상기채널공급층은다층구조를가질수 있다. 상기채널공급층은식각정지층및 그위에형성된상부층을포함할수 있다. 상기상부층에리세스영역이형성될수 있다. 상기리세스영역은상기상부층과식각정지층의계면까지리세스된영역일수 있다. 상기리세스영역에게이트전극이구비될수 있다.

摘要翻译： 高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 所公开的HEMT可以包括沟道层和沟道供应层，并且沟道供应层可以具有多层结构。 沟道供应层可以包括蚀刻停止层和形成在其上的上层。 可以形成上层擦除区域。 凹陷区域可以是上层和蚀刻停止层的界面的凹陷区域。 栅电极可以设置在凹陷区域中。

公开(公告)号：KR101771022B1

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020167003192

申请日：2014-06-18

申请人： 비샤이 제너럴 세미컨덕터 엘엘씨

发明人： 첸,막스에스케이 ,  린,이-이인

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/872

摘要： 반도체디바이스가제1 면및 제2 면을갖는기판, 및기판의제1 면위에배치되는제1 활성층을포함한다. 제2 활성층이제1 활성층 상에배치된다. 제2 활성층은제1 활성층과제2 활성층 사이에 2차원전자기체층이생기도록제1 활성층보다더 높은밴드갭을갖는다. 적어도하나의트렌치가제1 활성층 및제2 활성층과 2차원전자기체층을통과해서기판내로연장된다. 전도성재료가트렌치를라이닝한다. 제1 전극이제2 활성층 상에배치되고제2 전극이기판의제2 면상에배치된다.

摘要翻译： 一种半导体器件包括具有第一表面和第二表面的衬底以及设置在衬底的第一表面上的第一有源层。 第二有源层现在设置在一个有源层上。 第二有源层具有比第一有源层更高的带隙，使得在第一有源层和第二有源层之间产生二维电子气层。 至少一个沟槽延伸穿过第一和第二有源层以及二维电子气层进入衬底。 沟渠内衬导电材料。 第一电极现在设置在两个有源层上，而第二电极设置在衬底的第二侧上。

公开(公告)号：KR101756580B1

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020160001520

申请日：2016-01-06

申请人： 도요타 지도샤(주)

发明人： 도미타히데모토 ,  가네치카마사카즈 ,  우에다히로유키

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/7843 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： (과제) GaN 의전자주행층과 AlGaN 등의전자공급층의헤테로접합을이용하는반도체장치에서는, 전자공급층과게이트전극사이에 p 형층을형성함으로써노멀리오프로할 수있지만, 국소적범위에 p 형층을형성할때 전자공급층의표면이거칠어져온 저항이높다. (해결수단) 소스전극과 p 형층사이에노출되는전자공급층의표면과, 드레인전극과 p 형층사이에노출되는전자공급층의표면을피복하는절연층을정(正)으로대전시킨다. 헤테로접합면에유기되는 2 차원전자가스농도가상승하여, 온저항이저하된다.

摘要翻译： [问题]在半导体器件中使用的电子传输层的电子供给层和这样的AlGaN作为GaN的异质结，但可以正常力临通过形成电子供给层和所述栅电极，所述p型层的焦距范围之间的p型层 电子供应层的表面具有高的粗糙电阻。 [解决问题的手段从而充电覆盖所述电子供应层的表面被所述电子供应层的表面之间暴露在源极电极和所述p型层，所述漏电极以及定期（正）的p型层之间露出的绝缘层。 在异质结表面上诱导的二维电子气浓度上升，导通电阻下降。

公开(公告)号：KR1020170077227A

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：KR1020177014968

申请日：2015-11-06

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 야마다,히사시 ,  야마모토,다이키 ,  가사하라,겐지

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L29/2003 ,  G01N23/20008 ,  G01N2223/6116 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L23/562 ,  H01L29/7787 ,  H01L21/02527 ,  H01L22/12

摘要： Si 기판상에에피택셜성장법을사용하여 III족질화물반도체층을형성하는경우에있어서, 당해 III족질화물반도체층에요구되는내전압등의특성을충족하고, 또한시트저항등 물성값의면내균일성을확보하면서, 휨량이작은반도체기판을제공한다. 실리콘기판상의질화물결정층이, 실리콘원자와 III족원자의반응을억제하는반응억제층과, 압축응력을발생하는응력발생층과, 전자소자가형성되는활성층을갖고, 반응억제층, 응력발생층및 활성층이실리콘기판의측으로부터, 반응억제층, 응력발생층, 활성층의순서대로배치되고, 응력발생층이, 벌크결정상태에있어서의격자상수가 a1인제1 결정층과, 제1 결정층의활성층측에접하여위치하고, 벌크결정상태에있어서의격자상수가 a2(a1

摘要翻译： 根据该III族中形成氮化物半导体层的情况下在Si基板上利用外延生长方法，III族的技术满足电动强度等的氮化物半导体层所需的特性，并且进一步的物理性质的面内均匀性如片电阻 提供具有少量翘曲的半导体衬底。 硅衬底上的氮化物晶体层具有用于抑制硅原子与III族原子之间的反应的反应抑制层，用于产生压缩应力的应力产生层和用于形成电子元件的有源层， 和有源层被设置，以便从硅衬底的一侧上，该反应抑制层，应力产生层，有源层，应力产生层，块状晶体的状态的晶格常数的顺序A1摄取第一晶体层，第一结晶层 并且在与有源层侧接触的块状晶体状态中具有晶格常数a2（a1

公开(公告)号：KR1020170056511A

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020177004128

申请日：2014-09-18

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 다스굽타,산삽탁 ,  텐,한위 ,  추-쿵,벤자민 ,  라도사블제빅,마르코 ,  가드너,사나즈케이. ,  성,훈 ,  필라리세티,라비 ,  차우,로버트에스.

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0265 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/7851

摘要： 경사측벽패싯들을가지는상승형 III-N 반도체구조체들을포함하는 III-N 반도체이종구조체들이기술된다. 실시예들에서, 반-극성경사측벽패싯들을선호하는측방에피택셜과성장이수직전파로부터수평전파로결정결함들을구부리기위해이용된다. 실시예들에서, 낮은결함밀도표면들을가지는임의의큰 병합된 III-N 반도체구조체들이실리콘기판의 (100) 표면을노출시키는트렌치들로부터과성장될수 있다. III-N 트랜지스터들과같은 III-N 디바이스들은상승형 III-N 반도체구조체들상에추가로형성될수 있고, 실리콘-기반트랜지스터들은실리콘기판의다른영역들에형성될수 있다.

摘要翻译： 描述了包括具有倾斜侧壁小面的升高的III-N半导体结构的III-N半导体异质结构。 在实施例中，有助于半极性倾斜侧壁小面的横向外延生长和生长被用于弯曲来自垂直传播的水平传播晶体缺陷。 在实施例中，具有低缺陷密度表面的任何大的合并III-N半导体结构可以从暴露硅衬底的（100）表面的沟槽生长。 可以在凸起的III-N半导体结构上另外形成诸如III-N晶体管的III-N器件，并且可以在硅衬底的其他区域中形成硅基晶体管。

公开(公告)号：KR1020170041692A

公开(公告)日：2017-04-17

申请号：KR1020177001167

申请日：2014-08-13

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 텐,한우이 ,  다스굽타,산삽탁 ,  성,승문 ,  가드너,사나즈 ,  라도사블예빅,마르코 ,  차우,로버트

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L21/285 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/41783 ,  H01L21/28587 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： 자기정렬된게이트들을갖는Ⅲ-N 트랜지스터들과관련된기술, 이러한트랜지스터들을포함하는시스템, 및이들을형성하기위한방법들이논의된다. 이러한트랜지스터들은상승된소스와상승된드레인사이의분극층, 소스와드레인사이와, 분극층 위의게이트, 및분극층에인접한게이트의적어도일부가개구와정렬되도록그 사이에개구를가지며소스및 드레인위에있는측면에피택시과성장들을포함한다.

摘要翻译： 讨论与具有自对准栅极的III-N晶体管，包括这些晶体管的系统以及形成它们的方法有关的技术。 这些晶体管之间具有开口，使得邻近极化层的栅极的至少一部分以及升高的源极和升高的漏极之间的极化层，极化层上的源极和漏极之间的栅极， 侧面外延和顶部生长。

公开(公告)号：KR101697825B1

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020140182460

申请日：2014-12-17

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 치우한친 ,  첸치밍 ,  차이쳉유안 ,  야오푸웨이

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 본개시의일부실시예는, 반도체기판위에배열된헤테로접합구조물을포함하는고전자이동도트랜지스터(HEMT; High Electron Mobility Transistor)에관한것이다. 헤테로접합구조는제1 Ⅲ-질화물물질로이루어져 e-HEMT의채널영역으로서동작하는바이너리(binary) Ⅲ/Ⅴ반도체층과, 바이너리Ⅲ/Ⅴ반도체층 위에배열되고제2 ⅢII-질화물물질로이루어져장벽층으로서동작하는터너리(ternary) Ⅲ/Ⅴ반도체층을포함한다. 소스및 드레인영역이터너리Ⅲ/Ⅴ반도체층 위에배열되며서로로부터측면방향으로이격되어있다. 게이트구조물은헤테로접합구조위에배열되며소스영역과드레인영역사이에배열된다. 게이트구조물은제3 Ⅲ-질화물물질로이루어진다. 제1 패시베이션층이게이트구조물의측벽주위에배열되며제4 Ⅲ-질화물물질로이루어진다.

摘要翻译： 本公开的一些实施例涉及一种高电子迁移率晶体管（HEMT），其包括布置在半导体衬底上的异质结结构。 异质结结构包括由作为e-HEMT的沟道区域的第一III族氮化物材料制成的二元III / V半导体层和布置在二元III / V半导体层上的三元III / V半导体层，并制成 的第二III族氮化物材料作为阻挡层。 源极和漏极区域布置在三元III / V半导体层上并且彼此横向间隔开。 栅极结构布置在异质结结构之上并且布置在源区和漏区之间。 栅极结构由第三III族氮化物材料制成。 第一钝化层围绕栅极结构的侧壁设置并由第四III族氮化物材料制成。