公开(公告)号：KR101869314B1

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：KR1020167023696

申请日：2011-08-26

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 에노모토유이치로 ,  타루타니신지 ,  카미무라소우 ,  카토케이타 ,  후지이카나

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L29/02

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L29/02

摘要： 본발명은 (a) 화학증폭형레지스트조성물로막을형성하는공정, (b) 상기막을광에노광하는공정, (c) 상기노광된막을유기용제를포함하는현상액을사용해서현상하는공정, 및 (d) 상기현상된막을유기용제를포함하고현상액의비중보다큰 비중을갖는린스액을사용해서린싱하는것을포함하는패턴형성방법이다.

公开(公告)号：KR101719664B1

公开(公告)日：2017-03-24

申请号：KR1020110063611

申请日：2011-06-29

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 에노모토유이치로 ,  타루타니신지 ,  카미무라소우 ,  이와토카오루 ,  카토케이타 ,  후지이카나

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/325 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/422

摘要： 이물부착결함이저감된패턴을형성할수 있는패턴형성방법및 이패턴형성방법에사용되는현상액을제공하는것. (a)화학증폭형레지스트조성물에의해막을형성하는공정, (b)상기막을노광하는공정및 (c)노광한막을유기용제를포함하는현상액을사용해서현상하는공정을포함하는패턴형성방법으로서, 상기현상액중의알코올화합물(X)의함유율이현상액의전체질량에대하여 0 이상 500ppm 미만인것을특징으로하는패턴형성방법.

公开(公告)号：KR101702928B1

公开(公告)日：2017-02-06

申请号：KR1020157024949

申请日：2014-02-25

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 스기야마신이치 ,  카미무라소우 ,  고토아키요시

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03F7/32 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  C08F212/12 ,  C08F220/24 ,  C08F220/06 ,  C08F2220/1858

摘要： (1) (A) 산의작용에의해극성이증대하여유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지와 (C1) 용제를함유하는수지용액을필터를이용하여여과하는공정, (2) 상기공정(1)에있어서의여과액에의해얻어지는상기수지(A)와, 상기용제(C1)와는다른 (C2) 용제를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을조제하는공정, (3) 상기감활성광선성또는감방사선성수지조성물을필터를이용하여여과하는공정, (4) 상기공정(3)에의해얻어지는여과액을이용하여막을형성하는공정, (5) 상기막을노광하는공정, 및 (6) 유기용제를포함하는현상액을이용해서현상하여네거티브형의패턴을형성하는공정을갖는패턴형성방법으로서, 상기용제(C1)의용해파라미터(SP)와상기현상액의용해파라미터(SP)의차의절대값(|SP-SP|)은 1.00(cal/㎤)이하인패턴형성방법에의해, 잔사결함을저감시킬수있는유기계현상액을이용하여현상을행하는패턴형성방법, 이것에사용되는유기용제현상용의감활성광선성또는감방사선성수지조성물및 그제조방법, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공하는것이다.

摘要翻译： 提供了一种图案形成方法，包括：（1）通过使用过滤器过滤包含（A）能够通过酸的作用增加其极性的树脂的树脂溶液，以降低在包含有机溶剂的显影剂中的溶解度， 和（C1）溶剂; （2）制备含有从过滤（1）得到的树脂（A）和不同于溶剂（C1）的溶剂（C2））的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物; （3）使用过滤器过滤光化学敏感或辐射敏感性树脂组合物; （4）通过使用通过过滤（3）获得的滤液形成膜; （5）曝光胶片; 和（6）使用包含有机溶剂的显影剂进行显影以形成负图案，其中溶剂（C1）的溶解度参数（SPC1）与显影剂（C1）的溶解度参数（SPDEV）之间的差异的绝对值 SPC1-SPDEV |为1.00（cal / cm3）1/2以下。

公开(公告)号：KR101440941B1

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：KR1020080075661

申请日：2008-08-01

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카미무라소우 ,  카와니시야스토모 ,  와다켄지 ,  츠치무라토모타카

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： 레지스트 조성물은 (A) 이하 일반식 (I)로 나타내어진 화합물을 포함한다.

여기서, R
1 ~R
13 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환기를 나타내고, R
1 ~R
13 중 적어도 하나는 알코올성 히드록실기를 함유하는 치환기를 나타내도록 제공되고; Z는 단일 결합 또는 2가 연결기를 나타내고; X
- 는 프로톤 억셉터 관능기를 함유하는 음이온을 나타낸다.
신규 술포늄 화합물을 함유하는 레지스트 조성물, 레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법, 신규 술포늄 화합물

公开(公告)号：KR1020130111534A

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：KR1020137004631

申请日：2011-08-26

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 에노모토유이치로 ,  타루타니신지 ,  카미무라소우 ,  카토케이타 ,  후지이카나

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/32 ,  G03F7/039 ,  G03F7/038

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/405 ,  H01L29/02 ,  H01L21/0274

摘要： 본 발명은 (a) 화학 증폭형 레지스트 조성물로 막을 형성하는 공정, (b) 상기 막을 광에 노광하는 공정, (c) 상기 노광된 막을 유기 용제를 포함하는 현상액을 사용해서 현상하는 공정, 및 (d) 상기 현상된 막을 유기 용제를 포함하고 현상액의 비중보다 큰 비중을 갖는 린스액을 사용해서 린싱하는 것을 포함하는 패턴형성방법이다.

公开(公告)号：KR1020130018251A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020127025157

申请日：2011-03-25

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카타오카쇼헤이 ,  이와토카오루 ,  카미무라소우 ,  츠치하시토루 ,  에노모토유이치로 ,  후지이카나 ,  미즈타니카즈요시 ,  타루타니신지 ,  카토케이타

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  C08F220/26 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/30 ,  C08F220/28 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  Y10T428/24802 ,  C08F220/26 ,  G03F7/004 ,  H01L21/0271

摘要： 에칭 내성 및 후노광 지연(PED) 시간 시 안정성이 우수한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공한다. 상기 조성물은 산의 작용시 분해되어 알콜성 히드록실기를 생성하는 기를 포함하는 반복단위를 포함하는 수지와, 활성광선 또는 방사선에 노광시 pKa≥-1.5의 산을 발생하는 화합물을 포함한다.

摘要翻译： 提供了一种光化射线或辐射敏感性树脂组合物和使用其形成图案的方法，确保了在曝光后延迟（PED）期间的蚀刻电阻率和稳定性优异。 该组合物含有含有重复单元的树脂，该重复单元含有当被酸作用时分解的基团，从而产生醇羟基，以及当暴露于光化射线或辐射时产生pKa≥1.5的酸的化合物。

公开(公告)号：KR1020130008531A

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：KR1020127021558

申请日：2011-02-18

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카토케이타 ,  타루타니신지 ,  카미무라소우 ,  에노모토유이치로 ,  이와토카오루

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/325 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/0271

摘要： (i) 화학증폭형 레지스트 조성물로 막을 형성하는 공정; (ii) 상기 막을 노광하는 공정; 및 (iii) 유기용제를 포함하는 현상액을 사용해서 상기 노광막을 현상하는 공정을 포함하는 패턴형성방법으로서, 상기 화학증폭형 레지스트 조성물은 (A) 수지, (B) 활성광선 또는 방사선의 조사시 특정 산을 발생할 수 있는 화합물, (C) 가교제, 및 (D) 용제를 포함하는 패턴형성방법.

公开(公告)号：KR1020110136796A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020117019669

申请日：2010-02-24

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카미무라소우 ,  타루타니신지

IPC分类号： G03F7/027 ,  G03F7/004

CPC分类号： C08F20/28 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  G03F7/027 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/38

摘要： (A) 하기 일반식(1)으로 표시되는 산분해성 반복단위를 갖고 산의 작용에 의해 네가티브 현상액에서의 용해도가 감소할 수 있는 수지를 포함하는 네거티브톤 현상용 레지스트 조성물을 제공한다.

일반식(1) 중, Xa
1 은 수소 원자, 알킬기, 시아노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, Ry
1 ~Ry
3 은 각각 독립적으로 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, Ry
1 ~Ry
3 중 2개 이상이 서로 결합해서 환 구조를 형성해도 좋고, Z는 2가의 연결기를 나타낸다.

公开(公告)号：KR1020090014116A

公开(公告)日：2009-02-06

申请号：KR1020080075661

申请日：2008-08-01

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 카미무라소우 ,  카와니시야스토모 ,  와다켄지 ,  츠치무라토모타카

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0047

摘要： A resist composition containing a sulfonium compound, a method for forming a pattern by using the composition, and a novel sulfonium compound used in the composition are provided to improve sensitivity, resolution, roughness and exposure latitude. A resist composition comprises a sulfonium compound represented by the formula I, wherein R1 to R13 are independently H or a substituent, but at least one of them is a substituent containing an alcoholic hydroxyl group; Z is a single bond or a divalent connecting group; and X- is an anion containing a proton acceptor functional group.

摘要翻译： 提供含有锍化合物的抗蚀剂组合物，通过使用该组合物形成图案的方法和组合物中使用的新型锍化合物，以提高灵敏度，分辨率，粗糙度和曝光宽容度。 抗蚀剂组合物包含由式I表示的锍化合物，其中R 1至R 13独立地为H或取代基，但其中至少一个为含有醇羟基的取代基; Z是单键或二价连接基团; X是含有质子受体官能团的阴离子。

公开(公告)号：KR101841507B1

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：KR1020147029967

申请日：2011-05-20

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 이와토카오루 ,  타카하시히데노리 ,  히라노슈지 ,  카미무라소우 ,  카토케이타

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  Y10T428/24

摘要： 본발명의목적은한계해상력, 러프니스특성, 노광래티튜드(EL) 및브리지결함특성이우수한패턴형성방법및 감활성광선성또는감방사선성수지조성물을제공한다. 패턴형성방법은 (1) 감활성광선성또는감방사선성수지조성물을막으로형성하는공정, (2) 상기막을노광하는공정, 및 (3) 유기용제를함유하는현상액으로상기노광된막을현상하는공정을포함한다. 상기감활성광선성또는감방사선성수지조성물은 (A) 활성광선또는방사선에노광시에분해되어산을발생하는구조부를갖는반복단위를함유하는수지, 및 (B) 용제를함유한다.