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公开(公告)号:KR1020160137439A
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:KR1020160062307
申请日:2016-05-20
申请人: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号: C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/54
摘要: 셔터시스템을가진반응챔버조립체가반도체기판들의처리에이용될수 있다. 셔터시스템은반응챔버조립체내의가스플로우제어및 온도제어를용이하게할 수있다.
摘要翻译: 具有快门系统的反应室组件可用于半导体衬底的处理。 快门系统可以促进反应室组件内的气体流量控制和温度控制。
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公开(公告)号:KR1020160110182A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:KR1020160028253
申请日:2016-03-09
申请人: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人: 오이카와마사미
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/673 , H01L21/54
CPC分类号: C23C16/452 , C23C16/4411 , C23C16/45536 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J37/32743 , H01L21/67303 , H01L21/67309
摘要: 복수의기판을다단으로보유지지하는기판보유지지구는, 인접하는기판사이에설치되고, 기판의플라즈마처리되는피처리면과대향하는면의외주연부에볼록부를갖는원환상부재를구비한다.
摘要翻译: 保持并支撑多个基板的基板保持和支撑单元在多个台阶之间具有安装在相邻基板之间的环形部件,并且在面向待处理表面的表面的外周部分上具有突出单元 衬底,其是等离子体处理的。
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公开(公告)号:KR101569327B1
公开(公告)日:2015-11-13
申请号:KR1020157004807
申请日:2013-06-26
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/67 , F25B29/00 , H01L21/324
CPC分类号: F25B29/00 , C23C14/541 , C23C16/4411 , C23C16/46 , H01L21/67115
摘要: 본발명의실시예들은복수의가열요소를냉각하기위해열 교환디바이스를이용하는가열어셈블리를제공한다. 가열어셈블리는복수의가열요소, 냉각유체를내부에수취하기위한하나이상의냉각채널을갖는냉각요소, 및복수의가열요소와냉각요소사이에배치된열 교환디바이스를포함한다. 열교환디바이스는핫 인터페이스및 콜드인터페이스를포함하고, 핫인터페이스는복수의가열요소에인접하며복수의가열요소와열 접촉하여배치되고, 콜드인터페이스는냉각요소에인접하며냉각요소와열 접촉하여배치된다.
摘要翻译: 本发明的实施例提供了一种利用热交换装置来冷却多个加热元件的加热组件。 加热组件包括多个加热元件,具有用于在其中接收冷却流体的一个或多个冷却通道的冷却元件以及设置在多个加热元件与冷却元件之间的热交换装置。 热交换装置包括热接口和冷接口,其中热接口与多个加热元件相邻并且与多个加热元件热接触地设置,冷接口邻近冷却元件并且设置成与冷却元件热接触。
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公开(公告)号:KR1020150082534A
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:KR1020157014978
申请日:2013-12-04
申请人: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324 , C23C16/52 , C23C16/44
CPC分类号: G05B19/418 , C23C16/4411 , C23C16/52 , G05B2219/45031 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要: 기판에형성되는막의두께의균일성을제어할수 있는기판처리장치, 기판처리방법, 반도체장치의제조방법및 제어프로그램을제공한다. 기판처리장치는, 기판이반입되는처리실과, 처리실에반입된기판을그 외주측에서부터가열하는가열장치와, 처리실에반입된기판을그 외주측에서부터냉각하는냉각장치와, 처리실에처리가스를공급하는처리가스공급부와, 기판의중심측과외주측과에온도차를두도록가열장치와냉각장치를제어함과함께, 처리가스공급부를제어하는제어부를구비하고, 제어부는, 처리가스공급부를동작시켜서처리실에처리가스를공급할때 냉각장치의동작을정지시킨다.
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公开(公告)号:KR1020150039788A
公开(公告)日:2015-04-13
申请号:KR1020157004807
申请日:2013-06-26
IPC分类号: H01L21/02 , H01L21/67 , F25B29/00 , H01L21/324
CPC分类号: F25B29/00 , C23C14/541 , C23C16/4411 , C23C16/46 , H01L21/67115 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要: 본발명의실시예들은복수의가열요소를냉각하기위해열 교환디바이스를이용하는가열어셈블리를제공한다. 가열어셈블리는복수의가열요소, 냉각유체를내부에수취하기위한하나이상의냉각채널을갖는냉각요소, 및복수의가열요소와냉각요소사이에배치된열 교환디바이스를포함한다. 열교환디바이스는핫 인터페이스및 콜드인터페이스를포함하고, 핫인터페이스는복수의가열요소에인접하며복수의가열요소와열 접촉하여배치되고, 콜드인터페이스는냉각요소에인접하며냉각요소와열 접촉하여배치된다.
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公开(公告)号:KR1020150028371A
公开(公告)日:2015-03-16
申请号:KR1020130099055
申请日:2013-08-21
申请人: 고려대학교 산학협력단
IPC分类号: C23C16/448 , C23C28/00
CPC分类号: C23C16/448 , C23C16/24 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C28/00
摘要: 제논 플래시 램프를 이용한 원자층 증착 장치 및 방법이 개시된다. 제논 플래시 램프를 이용한 원자층 증착 장치는 제논 플래시 램프를 이용 순간적인 복사열로 어닐링 공정을 수행함으로써 사용자가 어닐링 공정을 원하는 표층 박막에만 어닐링 공정을 적용할 수 있다.
摘要翻译: 在本发明中公开了一种原子层沉积装置和使用氙闪光灯的方法。 使用氙闪光灯的原子层沉积装置可以仅使用用户希望通过使用氙闪光灯进行瞬时辐射热的退火处理来进行退火处理的表面层的薄膜进行退火处理。
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公开(公告)号:KR101412543B1
公开(公告)日:2014-06-26
申请号:KR1020097015654
申请日:2008-02-26
申请人: 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드
发明人: 하야미,토시히로
IPC分类号: H01L21/3065
CPC分类号: H01J37/32935 , C23C16/4411 , H01J37/32082 , H01J37/32522 , H01J37/32623 , H01L21/3065 , H01L21/30655
摘要: 본 발명은 저렴한 구성으로 효율적이면서 응답성 좋게 처리 챔버 내면의 온도를 제어할 수 있는 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 플라즈마 처리 장치(1)는, 처리 챔버(11), 처리 가스 공급 장치(20), 배기 장치(40), 코일(23), 고주파 전원(24), 히터(26), 냉각 장치(30), 제어장치(50)를 구비한다. 냉각 장치(30)는, 처리 챔버(11)와 간격을 두고 대향하는 냉각 부재(32)와, 냉각 부재(32)의 냉각 유로(32a) 내에 냉각 유체를 공급, 순환시키는 냉각 유체 공급부(31)와, 냉각 부재(32)와 처리 챔버(11) 사이에 설치된 고리형의 씰 부재(35, 36)로 구성되며, 배기 장치(40)는, 씰 부재(35, 36), 냉각 부재(32), 처리 챔버(11)에 둘러싸인 공간(S) 내를 감압한다. 제어장치(50)는 배기 장치(40)를 제어해, 코일(23)에 고주파 전력을 인가하고 있지 않을 때에는 공간(S) 내를 감압하고, 코일(23)에 고주파 전력을 인가하고 있을 때는 공간(S) 내를 대기압으로 한다.
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公开(公告)号:KR1020140006852A
公开(公告)日:2014-01-16
申请号:KR1020137020106
申请日:2011-12-22
申请人: 풀 벤츄라, 인코포레이티드
发明人: 에릭슨마크알. , 딩구스애런엘. , 커스터아서더블유.3세 , 풀헨리제이. , 잠쉬디나데르
CPC分类号: C23C16/4411 , C23C16/45578 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/52 , F28C3/005 , F28D1/0477 , F28D2021/0077 , F28F1/32 , G05D23/1927 , G05D23/193 , G05D23/1932 , G05D23/1934 , G05D23/22 , H01L21/67109
摘要: 바람작하게는, 시일링되는 처리 챔버(168)의 내부 및 외부 열 측정값을 얻음으로써, 제어 시스템(202)이 내외부 열 측정값과 미리 정해진 값의 비교에 근거하여 제어 신호를 발생시킬 수 있다. 제어 신호는 유체 처리 시스템(216)에 제공되며, 이 유체 처리 시스템은 시일링되는 처리 챔버의 외부 주위로 흐르는 제 1 유체의 유동을 조절한다. 제어 신호는 폐쇄 루프 열교환 시스템(220)에 더 제공되며, 이 폐쇄 루프 열교환 시스템은 상기 제어 신호에 근거하여 상기 시일링되는 처리 시스템의 내부 공동부내에서의 제 2 유체의 유동을 조절한다. 제어 신호는 개방 루프 열교환 시스템(218)에 더 제공되며, 이 개방 루프 열교환 시스템은 상기 시일링되는 처리 시스템의 내부 공동부내에서의 제 3 유체의 유동을 조절한다.
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公开(公告)号:KR1020130038333A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:KR1020137001096
申请日:2011-06-27
申请人: 지티에이티 코포레이션
IPC分类号: H01L21/205
CPC分类号: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/4411 , C23C16/4418 , C23C16/46 , F28D21/0001 , Y02P20/124 , Y02P20/129
摘要: 본 발명은 방사선 보호막을 가지는 벨 용기를 이용하는 단계에 의해서 반도체 공정 작업 동안 에너지 회수 작업을 제공하거나 촉진할 수 있으며, 벨 용기의 내부 표면에 배치된 니켈을 포함하는 중재 층과 증재 층에 배치된 금 층을 포함할 수 있는 반사 층을 포함한다. 반사 층은 5%보다 적은 방사율을 가지며, 약 1%보다 적은 방사율을 가지면 더 좋다. 반응 챔버로부터의 열은 하나 이상의 단위 작업의 난방 부담을 줄이기 위해 사용될 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020130005276A
公开(公告)日:2013-01-15
申请号:KR1020127024268
申请日:2011-02-07
发明人: 백,종훈 , 수아레즈,에드윈씨. , 타나카,츠토무톰 , 함몬드,에드워드피.,4세 , 오,정훈
IPC分类号: C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32
CPC分类号: C23C16/45565 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , C23C16/24 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/4411 , C23C16/4412 , C23C16/448 , C23C16/4486 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/50 , C23C16/511
摘要: 본 발명의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 챔버들에서 아크 및 기생 플라즈마를 감소시키기 위한 장치에 관한 것이다. 그러한 장치는 일반적으로 기판 지지부, 백킹 플레이트 및 샤워헤드가 내부에 배치된 프로세싱 챔버를 포함한다. 샤워헤드 현수부는 백킹 플레이트를 샤워헤드에 전기적으로 커플링한다. 전기 전도성 브래킷이 백킹 플레이트에 커플링되고 샤워헤드로부터 이격된다. 전기 전도성 브래킷은 플레이트, 하부 부분, 상부 부분 및 수직 연장부를 포함할 수 있다. 전기 전도성 브래킷은 전기 절연체와 접촉한다.
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