公开(公告)号：KR101903199B1

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：KR1020137006589

申请日：2011-12-07

申请人： 에바텍 아크티엔게젤샤프트

发明人： 라이첼스벤우베 ,  엘가자리모하메드 ,  베이차트유르겐

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C14/50 ,  H01L21/768 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68785 ,  C23C14/50 ,  C23C14/541 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/347 ,  H01J37/3488 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879

摘要： 프로세싱가스로기판(2) 상에레이어(37,38,39)를증착하는장치(1,26)는, 상기기판(2)을지지하는제1표면(14)을포함하는척(3), 상기척(3)의상기제1표면(14)에상기기판(2)을고정하는클램프(4), 상기척(3) 및상기클램프(4)를둘러싸고그 안으로상기프로세싱가스가삽입가능한입구를포함하는진공처리가능한인클로저(5), 및제어장치(19)를포함한다. 상기제어장치(19)는대기압보다낮은상기인클로저(5) 안의압력및 상기프로세싱가스의흐름을유지하면서단일증착프로세스동안상기척(3)과상기클램프(4) 사이의간격을조정하기위해상기척(3) 및상기클램프(4) 중적어도하나를서로에대해, 또한독립적으로이동시키기에적합하다.

公开(公告)号：KR101888236B1

公开(公告)日：2018-08-13

申请号：KR1020160020803

申请日：2016-02-22

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 첸시훙

IPC分类号： H01L21/677 ,  H01L21/673 ,  B01J3/02

CPC分类号： H01L21/67126 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68735

摘要： 통상적인웨이퍼캐리어들에서의대기노출로부터초래되는웨이퍼오염을방지하기위해서, 웨이퍼들을일정한압력의, 대기압이하의또는이상의임의의미리설정된값 하에서웨이퍼들을유지하는웨이퍼캐리어가개시되고, 그리고또한그러한웨이퍼캐리어를이용하는웨이퍼운송시스템및 방법이개시된다. 미리설정된캐리어압력으로충전된웨이퍼캐리어가운송되고, 그리고에어록, 진고이송모듈, 및프로세스챔버를포함하는웨이퍼프로세싱툴의에어록과도킹된다. 에어록은, 가스펌프에의해서, 내부압력이, 캐리어도어의개방에앞서서제 1의캐리어압력과같아지도록그리고다음에, 진공이송모듈의도어의개방에앞서서진공이송모듈압력과같아지도록조정한다. 이어서, 웨이퍼들이프로세스챔버내로이송된다. 프로세싱후에, 웨이퍼들이웨이퍼캐리어내로역으로이송되고그리고언도킹되어다음웨이퍼프로세싱툴로운송되기에앞서서, 미리설정된캐리어압력으로충전된다.

公开(公告)号：KR1020180073757A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：KR1020160176643

申请日：2016-12-22

申请人： 삼성디스플레이 주식회사 ,  주식회사 에스에프에이

发明人： 조철래 ,  홍경호 ,  김태헌 ,  백진원 ,  최성원 ,  최교원 ,  김종경 ,  이춘식 ,  부장훈

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68

CPC分类号： H01L51/0017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/682 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68735 ,  H01L51/56 ,  H01L2021/60172

摘要： 하향식기판에칭장치가개시된다. 본발명에따른하향식기판에칭장치는, 기판에대한에칭공정이수행되는진공챔버의내부에배치되며진공챔버의내부로로딩된기판을어태치(attach)하는척킹모듈을구비하는스테이지유닛과, 스테이지유닛에지지되며척킹모듈을플립(flip)하는플립유닛과, 스테이지유닛에지지되며척킹모듈에연결되어척킹모듈을기준위치에정위치시키는포지셔닝유닛을포함한다.

公开(公告)号：KR101855228B1

公开(公告)日：2018-05-09

申请号：KR20177019576

申请日：2015-04-28

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/6833 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735

摘要： 본발명에따른정전척은처리대상물을적재하는제 1 주면과, 상기제 1 주면과는반대측의제 2 주면과, 둘레단부에설치되어상기제 1 주면의일부를형성하는시일링을갖고, 다결정세라믹소결체인세라믹유전체기판과, 상기세라믹유전체기판의상기제 1 주면과상기제 2 주면사이에형성되며상기세라믹유전체기판에일체소결된전극층을구비하고, 제 1 주면과직교하는방향으로보아상기세라믹유전체기판의외주와상기전극층의외주의간격이균일해지도록상기세라믹유전체기판의외주가가공되고, 상기시일링의폭은 0.3밀리미터이상 3밀리미터이하이고, 제 1 주면과직교하는방향으로봤을때에상기전극층이상기시일링과중복되는폭은 -0.7밀리미터이상 2밀리미터이하인것을특징으로한다. 전극의외주를세라믹유전체기판의외주에가까운위치까지정확하고균일하게배치하여, 절연내압을유지하면서세라믹유전체기판외주부에크고또한일정한흡착력을얻을수 있고, 또한처리대상물의온도분포를균일화할수 있다.

公开(公告)号：KR101850088B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR1020177016202

申请日：2009-02-04

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 코엘멜,블랙케 ,  맥킨토시,로버트씨. ,  라르망낙,데이비드디.엘. ,  러너,알렉산더엔. ,  마유르,아브힐아시제이. ,  유도브스키,조셉

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/268 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

摘要： 기판을열적으로프로세싱하기위한장치및 방법이제공된다. 기판은기판의표면을향해전자기에너지를지향시킴으로써열적프로세싱하도록구성된프로세싱챔버내에배치된다. 기판을향해지향되는에너지의적어도일부를차단하기위하여에너지차단기가제공된다. 차단기는입사에너지가기판의에지에접근함에따라기판이받는열 응력들로부터의손상을방지한다.

公开(公告)号：KR101843657B1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：KR1020160173488

申请日：2016-12-19

申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이

发明人： 우,레이 ,  예,루빈 ,  푸,브라이언

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01J49/10

CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68735

摘要： 본발명은포커스링의온도조절장치를제공하며, 플라즈마로부터포커스링 위로방출된열이포커스링의하부면을접촉하는제1열전도패드(pad), 제1열전도패드(pad)의하부면을접촉하는절연링및 절연링의하부면을접촉하는제2열전도패드(pad)를통하여베이스아래로전달되어, 베이스에설치된냉각시스템에의해냉각되며, 제어가능한외부열원을발생하도록접지차폐링에배치된가열기를시동하여, 가열기로부터열은차폐링, 차폐링을접촉하는제3열전도패드(pad), 제3열전도패드(pad)를접촉하는절연링및 제1열전도패드(pad)를통하여포커스링으로전달되어, 포커스링에제어가능한온기(warming)를실현한다. 제어가능한열 힘과함께우수한열 전도경로를제공함으로써, 본발명은에칭과같은공정에서조정될수 있도록포커스링의작동온도를미세한제어를달성함으로써, 공정수요를만족시킬수 있다.

摘要翻译： 本发明提供了聚焦环的温度控制，以及热释放在所述聚焦环从血浆中与第一传热垫（垫），第一传热垫（垫）面乌伊哈岛接触所述聚焦环的下表面接触 以及第二导热垫，其与绝缘环的下表面接触并且由安装在基座中的冷却系统冷却， 来自加热器的热量通过屏蔽环，与屏蔽环接触的第三导热垫，与第三导热垫接触的绝缘环以及第一导热垫传递到聚焦环， 从而达到可以通过聚焦环控制的变暖。 通过提供具有可控热功率优良的热传导路径中，本发明是由聚焦环的操作温度的精确控制，以实现在一个过程进行调整，诸如蚀刻，它能够满足工艺要求。

公开(公告)号：KR101840322B1

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：KR1020127020100

申请日：2010-12-21

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 두보이스,데일 ,  아유브,모하매드 ,  김,로버트 ,  반살,아미트 ,  포도르,마크 ,  응우옌,빈흐 ,  쳉,시우에프. ,  유,항 ,  찬,치우 ,  발라서브라마니,가네쉬 ,  파드히,데네쉬 ,  로차,주안카를로스

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687

CPC分类号： C23C16/04 ,  C23C14/04 ,  C23C14/042 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/3441 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68735

摘要： 본발명의실시예들은웨이퍼의엣지상에증가또는감소된그리고더욱균일한증착을제공하는쉐도우링을고려한다. 쉐도우링의상단면및/또는바닥면으로부터물질을제거함으로써, 증가된엣지증착및 경사면커버리지가실현될수 있다. 일실시예에서, 바닥면상의물질은바닥면상에오목한슬롯을제공함으로써감소된다. 쉐도우링의물질의양을증가시킴으로써, 엣지증착및 경사면커버리지가감소된다. 웨이퍼의엣지에서의증착을조절하는다른접근방법은쉐도우링의내경의증가또는감소를포함한다. 또한, 쉐도우링을형성하는물질은웨이퍼의엣지에서의증착의양을변화시키도록변경될수 있다.

公开(公告)号：KR20180016280A

公开(公告)日：2018-02-14

申请号：KR20170096734

申请日：2017-07-31

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6838 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

摘要： 웨이퍼형상물품들을프로세싱하는장치는회전척을포함하고, 회전척은웨이퍼형상물품이회전척 상에장착될때 웨이퍼형상물품을둘러싸는일련의콘택트엘리먼트들을갖는다. 비회전 (non-rotating) 플레이트가일련의콘택트엘리먼트들의내부에위치된다. 이플레이트는 Bernoulli 원리에따라비회전플레이트와콘택트하지않고웨이퍼형상물품을지지하기위해가스를공급하도록구성된가스공급부를포함한다.

摘要翻译： 一种用于处理晶片形物品的设备包括旋转卡盘，当安装在旋转卡盘上时，该旋转卡盘具有围绕晶片形物品的一系列接触元件。 非旋转板位于一系列接触元件的内部。 根据伯努利原理，板包括构造成供应气体以便支撑晶片状物品而不接触非旋转板的气体供应源。

公开(公告)号：KR1020170138359A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：KR1020170069701

申请日：2017-06-05

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 간가케드칼,코셜 ,  베라,카롤 ,  유도브스키,요제프

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785

摘要： 서셉터베이스및 서셉터베이스상의복수의파이-형상스킨들을포함하는서셉터조립체들이개시된다. 프로세싱동안파이-형상스킨들을제 위치에홀딩하기위해, 서셉터베이스의중앙에파이앵커가포지셔닝될수 있다.

摘要翻译： 公开了包括感受器基座和感受器基座上的多个pi形皮肤的感受器组件。 为了在加工过程中将pi形皮肤固定在适当的位置，饼形定位器可以定位在感受器基座的中心。

公开(公告)号：KR1020170130284A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：KR1020170053480

申请日：2017-04-26

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 파페에릭에이.

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/6833 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4583 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785

摘要： 기판프로세싱시스템내의기판지지부는베이스플레이트, 세라믹층, 및본딩층을포함한다. 세라믹층은기판을지지하도록베이스플레이트상에배치된다. 본딩층은세라믹층과베이스플레이트사이에배치된다. 시일은본딩층의외측주변부둘레에베이스플레이트와세라믹층 사이에배치된다. 시일은본딩층에인접하게형성된내측층 및내측층이외측층과본딩층 사이에있도록내측층에인접하게형성된외측층을포함한다. 내측층은제 1 재료를포함하고그리고외측층은제 2 재료를포함한다.

摘要翻译： 基板处理系统中的基板支撑体包括基板，陶瓷层和接合层。 陶瓷层设置在基板上以支撑基板。 结合层设置在陶瓷层和基板之间。 密封件围绕接合层的外周布置在基板和陶瓷层之间。 密封件包括邻近粘合层形成的内层和邻近内层形成的外层，使得内层位于外层和粘合层之间。 内层包含第一材料并且外层包含第二材料。