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公开(公告)号:KR101824480B1
公开(公告)日:2018-03-14
申请号:KR1020157031502
申请日:2014-12-03
申请人: 인텔 코포레이션
CPC分类号: H01L24/94 , H01L23/48 , H01L23/58 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/80006 , H01L2224/81005 , H01L2224/8114 , H01L2224/81801 , H01L2224/8385 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2924/10157 , H01L2924/15159 , H01L2224/11 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2224/81 , H01L2224/80 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/83
摘要: 일부의예의형태는전자패키지를제조하는방법에관한것이다. 방법은마이크로디바이스를포함하는소스웨이퍼를타겟웨이퍼에부착하는단계를포함한다. 방법은전자패키지를형성하기위해소스웨이퍼의일부를타겟웨이퍼로부터제거하는단계를더 포함한다. 마이크로디바이스는소스웨이퍼가타겟웨이퍼로부터제거될때 타겟웨이퍼상에남아있다. 방법은, 소스웨이퍼가타겟웨이퍼로부터제거된후에형성되는전자패키지위에서사후처리를수행하는단계를더 포함할수 있다. 방법의일부형태에서, 일부의마이크로디바이스는, 소스웨이퍼가타겟웨이퍼로부터제거되는경우소스웨이퍼상에남아있다.
摘要翻译: 一些示例形式涉及制造电子封装的方法。 该方法包括将包含微装置的源晶片附着到目标晶片。 该方法还包括从目标晶片去除一部分源晶片以形成电子封装。 当源晶圆从目标晶圆移除时,微型装置保留在目标晶圆上。 该方法可以进一步包括对源晶片从目标晶片移除之后形成的电子封装执行后处理。 在该方法的一些形式中,当从目标晶片移除源晶片时,一些微器件保留在源晶片上。
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公开(公告)号:KR101828386B1
公开(公告)日:2018-02-13
申请号:KR1020110013128
申请日:2011-02-15
申请人: 삼성전자주식회사
CPC分类号: H01L23/49811 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0401
摘要: 스택패키지는제 1 반도체패키지, 제 2 반도체패키지, 플러그들및 스페이서를포함한다. 제 2 반도체패키지는상기제 1 반도체패키지상에적층된다. 플러그들은상기제 1 반도체패키지와상기제 2 반도체패키지를전기적으로연결시킨다. 스페이서는상기제 1 반도체패키지와상기제 2 반도체패키지사이에개재되어, 상기제 1 반도체패키지와상기제 2 반도체패키지사이에간격을형성하여상기플러그들간의전기적쇼트를방지한다.
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公开(公告)号:KR101770464B1
公开(公告)日:2017-08-22
申请号:KR1020150075149
申请日:2015-05-28
IPC分类号: H01L23/48 , H01L23/488
CPC分类号: H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/15331 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/83005
摘要: 일실시형태의디바이스패키지는패키지기판과, 그패키지기판에접합된제1 및제2 다이를포함한다. 패키지기판은제1 컨택패드와복수의범프패드를포함하는빌드업부분을포함한다. 패키지기판은빌드업부분에부착된유기코어와, 제1 컨택패드에전기적으로접속되어상기유기코어를통해연장되는쓰루비아와, 상기쓰루비아상의제2 컨택패드와, 상기제2 컨택패드상의커넥터와, 상기유기코어를통해연장되는캐비티를더 포함한다. 캐비티는복수의범프패드를노출시키고, 제1 다이는캐비티상에배치되어상기복수의범프패드에접합된다.
摘要翻译: 一个实施例的器件封装包括封装衬底以及结合到封装衬底的第一和第二管芯。 封装衬底包括堆积部分,堆积部分包括第一接触焊盘和多个凸块焊盘。 上的接触焊盘上的封装基板和安装于积层部的有机核,第一电连接经由接触垫和第二接触垫在所述通和一个通过经由穿过有机芯延伸,并且所述第二连接器 还有一个延伸穿过有机核心的空腔。 空腔暴露多个凸块焊盘,并且第一管芯设置在空腔上并且结合到多个凸块焊盘。
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公开(公告)号:KR1020160123322A
公开(公告)日:2016-10-25
申请号:KR1020167024477
申请日:2015-02-06
申请人: 퀄컴 인코포레이티드
CPC分类号: H05K1/182 , H01F17/0006 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L23/13 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L28/10 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15788 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K1/165 , H05K3/4038 , H05K2201/10015 , H05K2201/10242 , H05K2201/10984 , Y10T29/49165
摘要: 대응하는상호접속부들을수용하는복수의리세스들을포함하는로우-프로파일패시브-온-패키지가제공된다. 리세스들내의상호접속부들의수용때문에, 패시브-온-패키지는, 기판에대한두께와상호접속부높이또는직경의합보다작은높이를갖는다.
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公开(公告)号:KR1020160093366A
公开(公告)日:2016-08-08
申请号:KR1020150014266
申请日:2015-01-29
申请人: 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
IPC分类号: H01L23/495 , H01L23/28
CPC分类号: H01L21/4853 , H01L21/4821 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49861 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/1329 , H01L2224/133 , H01L2224/13387 , H01L2224/16245 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29387 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/81447 , H01L2224/83385 , H01L2224/83447 , H01L2224/83851 , H01L2924/15159 , H01L2924/181 , H01L23/495 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 본발명은반도체패키지및 이의제조방법에관한것으로, 해결하고자하는기술적과제는반도체다이에구비된인덕터가퍼들의상부에위치하도록함으로써, 기판과인덕터의이격거리를증가시킬수 있으므로기판과인덕터사이의상호유도계수를감소시킬수 있으며, 기판의다이패드가기판의하면으로노출되어, 방열성능을향상시키는데있다. 이를위해본 발명은사각판형상의다이패드와, 다이패드의각 변에서일정거리이격되어배치된다수의랜드를포함하는리드프레임과, 리드프레임의다이패드와랜드사이에개재된기판인캡슐란트를포함하는기판과, 다이패드및 다수의랜드에전기적으로접속된반도체다이및, 기판과반도체다이를인캡슐레이션하되, 기판의저면은외부로노출되도록하는인캡슐란트를포함하며, 다이패드의상면에는하부방향으로깊이를갖는퍼들이구비하는반도체패키지및 이의제조방법을개시한다.
摘要翻译: 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 本发明的目的是通过将布置在半导体管芯上的电感器定位到熔池的顶部来减小衬底和电感器之间的互感系数,以增加衬底和电感器之间的间隔距离,以及 以通过将衬底的裸片焊盘暴露于衬底的底表面来改善散热性能。 为此,本发明公开了一种半导体封装及其制造方法,其中半导体封装包括:基板,其具有矩形板状的管芯焊盘,引线框架具有与第 管芯焊盘和插入在管芯焊盘和多个焊盘之间的衬底密封剂; 电连接到管芯焊盘和焊盘的半导体管芯; 以及封装衬底和半导体管芯的密封剂,其中衬底底表面暴露于外部。 模具垫的顶面设置有一定深度向下的水坑。
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公开(公告)号:KR1020160085171A
公开(公告)日:2016-07-15
申请号:KR1020150002241
申请日:2015-01-07
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC分类号: H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L2224/12105 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H05K3/305 , H05K3/3436 , Y02P70/613 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L23/49816 , H01L23/315 , H01L23/488
摘要: 본발명의다양한실시예에따른반도체장치는, 일면에반도체칩이실장된베이스기판; 상기베이스기판의타면에서제1 영역에배열된다수의솔더범프들; 상기베이스기판의타면에서상기제1 영역과다른제2 영역에형성된적어도하나의수지홈; 및상기수지홈에충진된접합수지를포함할수 있으며, 상기접합수지에의해전자장치의인쇄회로기판에장착될수 있다. 본발명에따른반도체장치및 그를구비하는전자장치는실시예에따라다양하게구현될수 있다.
摘要翻译: 根据本发明的各种实施例的半导体器件可以包括在其一个表面上安装有半导体芯片的基底基板; 多个焊料凸块,其布置在所述基底基板的另一个表面上的第一区域中; 至少一个树脂槽,形成在与所述基底基板的另一个表面上的所述第一区域不同的第二区域中; 以及填充在树脂槽中的接合树脂。 半导体器件可以通过粘结树脂安装在电子器件的印刷电路板上。 根据本发明的半导体器件和具有该半导体器件的电子器件可以根据实施例进行各种实现。
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公开(公告)号:KR1020160003980A
公开(公告)日:2016-01-12
申请号:KR1020140081963
申请日:2014-07-01
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/48
CPC分类号: H01L25/0652 , H01L21/565 , H01L23/13 , H01L23/3107 , H01L23/367 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L23/5385 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/06135 , H01L2224/16113 , H01L2224/16227 , H01L2224/29036 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/0651 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/107 , H01L2225/1088 , H01L2225/1094 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 본발명은반도체패키지및 그제조방법을제공한다. 하부반도체칩이실장된제 1 패키지기판을갖는제 1 패키지, 및상기제 1 패키지상에적층되며, 상부반도체칩들이실장된제 2 패키지기판을갖는제 2 패키지를포함하고, 상기제 2 패키지기판은상기하부반도체칩과중첩되며상기상부반도체칩이실장되는영역을제공하는칩 영역, 및상기칩 영역의외곽을점유하는연결영역을포함하고, 상기칩 영역은상기하부반도체칩을마주보는제 1 함몰부를갖는제 1 면그리고상기제 1 면의반대면인제 1 돌출부를갖는제 2 면을포함하고, 상기상부반도체칩들은상기제 2 면의양측가장자리상에이격되어그리고상기칩 영역을넘어상기연결영역으로일부돌출되어실장될수 있다.
摘要翻译: 半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及半导体封装及其制造方法。 半导体封装包括:第一封装,其具有安装有下半导体芯片的第一封装基板; 以及堆叠在第一封装上的第二封装,并且具有安装有上半导体芯片的第二封装基板。 第二封装基板包括与下半导体芯片重叠的芯片区域,并且提供安装上半导体芯片的区域; 以及占用芯片区域的外部的连接区域。 芯片区域包括具有面向下部半导体芯片的第一凹部的第一面和具有与第一面相反的面的第一突出部的第二面。 上半导体芯片在第二面的两个边缘上被分离,并且被安装成在芯片区域上朝向连接区域部分地突出。
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公开(公告)号:KR1020150135046A
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:KR1020140174195
申请日:2014-12-05
申请人: 삼성전기주식회사
IPC分类号: H01L23/053
CPC分类号: H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/20 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要: 본발명은패키지기판, 패키지기판의제조방법및 이를포함하는적층형패키지에관한것이다. 본발명의실시예에따른패키지기판은절연층, 절연층의하면에서내부로깊이를갖도록형성된캐비티및 절연층의내부에형성되며, 캐비티의적어도일측에형성된접속패드를포함한다.
摘要翻译: 本发明涉及一种封装板,一种封装板的制造方法和一种包括该封装板的叠层封装。 根据本发明的实施例,封装板包括:绝缘层; 形成为具有到绝缘层的下表面的内部的深度的空腔; 以及形成在绝缘层内部并形成在空腔的至少一侧的连接焊盘。
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公开(公告)号:KR1020150118042A
公开(公告)日:2015-10-21
申请号:KR1020150050261
申请日:2015-04-09
申请人: 시마네 마스다 덴시 가부시키가이샤
IPC分类号: H05K9/00
CPC分类号: H05K13/00 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3121 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2924/15159 , H01L2924/15192 , H01L2924/15313 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105
摘要: 요소부품들이세라믹기판의하단면에노출된접지부에전기연결된접지층을포함한접지라인을갖는세라믹기판의상단면에실장된다. 그런후, 세라믹기판의상단면은몰드수지층으로코팅되어여러요소부품들을커버한다. 세라믹기판의측면으로부터접지라인의일부를노출시키기위해몰드수지층의표면으로부터세라믹기판상에하프컷이수행된다. 몰드수지층의표면과하프컷에의해접지라인의노출된일부를커버하기위해도전성차폐막이형성된다. 세라믹기판을개개의전자부품들로나누기위한슬릿이세라믹기판분할전에형성된다. 세라믹기판은슬릿에의해개개의전자부품들로분할된다.
摘要翻译: 组件部分安装在陶瓷基板的上侧,其接地线包括电连接到暴露在陶瓷基板下侧的接地部分的接地层。 然后,陶瓷基板的上侧涂覆有模塑树脂层并覆盖各种部件。 从模具树脂层的表面在陶瓷基板上进行半切割,以从陶瓷基板的侧面露出地线的一部分。 形成导电屏蔽膜,以半切割覆盖模制树脂层的表面和地线的露出部分。 在陶瓷基板被分割之前形成用于将陶瓷基板分割为各个电子部件的狭缝。 陶瓷基板通过狭缝分成各个电子部件。
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公开(公告)号:KR1020150061441A
公开(公告)日:2015-06-04
申请号:KR1020130145575
申请日:2013-11-27
申请人: 삼성전기주식회사
CPC分类号: H05K1/09 , H01L21/561 , H01L23/13 , H01L23/24 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L23/49531 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/73265 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15159 , H01L2924/181 , Y10T29/49155 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015
摘要: 본발명은패키지기판및 그제조방법및 그를이용한전력모듈패키지에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른패키지기판은일면에전자소자접합부및 전자소자접합부의일측면에형성된돌출부를갖는기판, 기판의일면에형성되는절연층및 절연층상에형성되는회로패턴을포함하며, 돌출부는연결부재접합부인상면부와상면부로올라갈수록수렴하도록경사진제 1 측면부및 제2 측면부를가진다.
摘要翻译: 封装基板及其制造方法技术领域本发明涉及封装基板及其制造方法以及使用其的电源模块封装。 根据本发明的一个实施方案的封装基板包括:基板,其在其一侧包括电子器件接合部分和在电子器件接合部分的一侧上的突出部分,形成在电子器件接合部分的一侧上的绝缘层 基板和形成在绝缘层上的电路图案。 突起部包括作为连接部件接合部的顶面和倾斜于会聚到顶面的第一侧和第二侧。
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