公开(公告)号：KR102308621B1

公开(公告)日：2021-10-05

申请号：KR1020140089199

申请日：2014-07-15

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/335

Abstract: 박막트랜지스터표시판을제공한다. 본발명의일실시예에따른박막트랜지스터표시판은표시영역과주변영역을포함하는기판, 상기기판위에위치하고, 상기표시영역에위치하는제1 반도체층및 상기주변영역에위치하는제2 반도체층그리고상기제1 반도체층과상기제2 반도체층위에위치하는보호막을포함하고, 상기제1 반도체층과상기제2 반도체층은산화물반도체를포함하고, 상기제1 반도체층과상기제2 반도체층의두께는서로다르다.

公开(公告)号：KR102158961B1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：KR1020140057209

申请日：2014-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김석훈 ,  김진범 ,  이관흠 ,  이병찬 ,  이초은 ,  한진희 ,  구본영

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/20

公开(公告)号：KR102080745B1

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：KR1020130041813

申请日：2013-04-16

Applicant: 엘지전자 주식회사

Inventor： 신종훈 ,  김웅선 ,  장태훈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

公开(公告)号：KR102076244B1

公开(公告)日：2020-02-12

申请号：KR1020130109527

申请日：2013-09-12

Applicant: 엘지이노텍 주식회사

Inventor： 투아이남존 ,  문성운

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335

公开(公告)号：KR102024290B1

公开(公告)日：2019-11-04

申请号：KR1020120125842

申请日：2012-11-08

Applicant: 엘지이노텍 주식회사

Inventor： 오정훈

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

公开(公告)号：KR102021887B1

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：KR1020130152569

申请日：2013-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재훈 ,  박찬호

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

公开(公告)号：KR101927410B1

公开(公告)日：2018-12-10

申请号：KR1020120138512

申请日：2012-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  김종섭 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준 ,  최혁순 ,  황인준

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT) 및 그 제조방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 HEMT는 채널층; 상기 채널층 상에 형성된 채널 공급층; 상기 채널층 또는 상기 채널 공급층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 상기 채널 공급층 사이에 형성된 제1 디플리션 형성층; 및 상기 채널 공급층 상에 형성되고, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 형성되며, 상기 소스 전극과 전기적으로 연결된 제2 디플리션 형성층을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR101923972B1

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：KR1020120148675

申请日：2012-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안호균 ,  임종원 ,  김정진 ,  김해천 ,  문재경 ,  남은수

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 전계효과트랜지스터가제공된다. 이트랜지스터는기판상에순차적으로적층된활성층및 캡핑층, 캡핑층상에서로이격되어배치된소스오믹전극및 드레인오믹전극, 및소스오믹전극과드레인오믹전극사이의기판상에배치되되, 캡핑층을관통하여활성층에연결된게이트전극을포함한다. 게이트전극은활성층에연결된좁은폭을갖는다리부및 다리부보다넓은폭을갖는다리부상의머리부로구성된다. 게이트전극이연장되는방향의게이트전극의양 말단부위들의게이트전극의다리부는나머지부위의게이트전극의머리부보다좁고, 그리고다리부보다넓은폭을갖는다.

公开(公告)号：KR101882997B1

公开(公告)日：2018-07-30

申请号：KR1020110099795

申请日：2011-09-30

Applicant: 삼성전기주식회사

Inventor： 박영환 ,  전우철 ,  박기열 ,  홍석윤

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 본발명은질화물반도체소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명의하나의모습에따라, 제1 질화물층및 제1 질화물층의물질보다넓은에너지밴드갭을갖는물질을포함하는제2 질화물층이이종접합되되, 접합계면부근에 2차원전자가스(2DEG) 채널이형성된질화물반도체층; 질화물반도체층상에오믹접촉되는소스전극; 소스전극과이격되게질화물반도체층상에오믹접촉되는드레인전극; 소스및 드레인전극사이의질화물반도체층상에소스및 드레인전극과각각이격되게형성된 P타입질화물층; P타입질화물층상에형성된 N타입질화물층; 및소스및 드레인전극사이에서소스전극과가깝게형성되되, 소스측측벽이 P타입및 N타입질화물층의소스측측벽과정렬되도록 N타입질화물층상에접촉되는게이트전극; 을포함하여이루어지는질화물반도체소자가제안된다. 또한, 질화물반도체소자제조방법이제안된다.

公开(公告)号：KR101878735B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110076143

申请日：2011-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  이영희 ,  한강희

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/335

Abstract: 그래핀의제조방법이제공되며, 균일한두께를가지고정공이동도가우수한그래핀을제조하는방법및 상기방법에의해얻어지는그래핀이제공된다.