公开(公告)号：KR101739210B1

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020157001711

申请日：2012-07-26

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 윔프링거,마르쿠스

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은적어도대부분광투과성인제1 기판(1)의제1 접촉영역(3)을적어도대부분광투과성인제2 기판(2)의제2 접촉영역(4)에본딩하기위한방법에관한것이고, 접촉영역중 적어도하나에, 산화물이본딩을위해사용되고, 적어도대부분광투과성인상호연결층(14)은제1 및제1 접촉영역(3, 4) 상에,- 적어도 10eS/㎠의 전기전도성(300K의온도에대해, 네점 방법(four point method)으로측정)과,- 0.8 초과의광 투과율(400 nm 내지 1500 nm 의파장범위에대하여)로형성된다.

公开(公告)号：KR1020150037865A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157001711

申请日：2012-07-26

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 윔프링거,마르쿠스

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은적어도대부분투과성인제1 기판(1)의제1 접촉영역(3)을적어도대부분투과성인제2 기판(2)의제2 접촉영역(4)에본딩하기위한방법에관한것이고, 접촉영역중 적어도하나에, 산화물이본딩을위해사용되고, 적어도대부분투과성인상호연결층(14)은제1 및제1 접촉영역(3, 4) 상에, - 적어도 10eS/㎠의 전기전도성(300K의온도에대해, 네점 방법(four point method)으로측정)과, - 0.8 초과의광 투과율(400 nm 내지 1500 nm 의파장범위에대하여)로형성된다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于将第一至少大部分透明的基板的第一接触区域与第二至少大部分透明的基板的第二接触区域接合在至少一个接触区域上的方法，所述接触区域是用于接合的氧化物， 形成至少十分透明的互连层，其电导率为至少10e1S / cm 2（测量：四点法，相对于300K的温度），光透射率大于0.8（波长范围为400nm 至1500nm）在第一和第二接触区域上。