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公开(公告)号:KR1020170063528A
公开(公告)日:2017-06-08
申请号:KR1020177004506
申请日:2015-07-20
申请人: 엑스-셀레프린트 리미티드
发明人: 보워,크리스토퍼 , 메이틀,매튜 , 크니부르크,데이비드 , 고메즈,데이비드 , 보나페데,살바토르
IPC分类号: H01L21/52 , B41K3/04 , B41K3/12 , B41F16/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/56
CPC分类号: B41F16/00 , B25J15/00 , B41F16/0046 , B41F16/006 , B41F16/0073 , B41K3/04 , B41K3/12 , H01L21/3065 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/67103 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L31/1892 , H01L2221/68318 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/75315 , H01L2224/7598 , H01L2224/83001 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83024 , H01L2224/832 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/10332 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/1034
摘要: 일양상에서는, 목적지기판의수신표면상에반도체디바이스를어셈블링하기위한시스템및 방법이개시된다. 다른양상에서는, 토포그래픽특징들을갖는목적지기판상에반도체디바이스를어셈블링하기위한시스템및 방법이개시된다. 다른양상에서는, 반도체디바이스를인쇄하기위한중력-보조분리시스템및 방법이개시된다. 다른양상에서는, 반도체디바이스들을인쇄하기위한전사디바이스의다양한특징들이개시된다.
摘要翻译: 在一个方面中,公开了一种用于在目标衬底的接收表面上组装半导体器件的系统和方法。 另一方面,公开了一种用于在具有地形特征的目的板上组装半导体器件的系统和方法。 另一方面,公开了一种用于印刷半导体器件的重力辅助分离系统和方法。 另一方面,公开了用于印刷半导体器件的转印装置的各种特征。
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公开(公告)号:KR101585102B1
公开(公告)日:2016-01-13
申请号:KR1020090033241
申请日:2009-04-16
申请人: 삼성전자주식회사
发明人: 김유식
IPC分类号: H01L33/20
CPC分类号: H01L33/24 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/387 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2924/10157 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 발광소자및 그제조방법이제공된다. 상기발광소자는기판, 기판상에형성된제1 블록패턴(block pattern), 제1 블록패턴이형성된기판상에순차적으로적층된제1 도전형의제1 반도체패턴, 발광패턴, 제2 도전형의제2 반도체패턴을포함하는발광구조체를포함하되, 발광구조체는제1 블록패턴상에형성된제1 부분과인접한제1 블록패턴들사이에형성된제2 부분을포함하고, 제2 부분은제1 부분보다낮게형성되어오목영역이정의되는발광구조체, 및발광구조체상에오목영역을채우도록형성하는제2 블록패턴을포함하되, 제1 블록패턴및 제2 블록패턴중 적어도어느하나는쇼트키베리어(schottky barrier) 역할을하는제3 반도체패턴을포함한다.
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公开(公告)号:KR1020150082363A
公开(公告)日:2015-07-15
申请号:KR1020157014027
申请日:2013-10-23
申请人: 레이던 컴퍼니
发明人: 구치,롤랜드 , 딥,부 , 코시안,토마스알렌 , 블랙,스티븐에이치. , 케네디,아담엠.
CPC分类号: B81B7/0041 , B81B7/007 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L23/053 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/27444 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29011 , H01L2224/291 , H01L2224/83001 , H01L2224/83007 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83141 , H01L2224/83192 , H01L2924/1461 , H01L2924/163 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要: 웨이퍼레벨패키징회로장치를형성하는방법은장치웨이퍼를형성하는단계; 및상기장치웨이퍼에부착되도록구성되는캡 웨이퍼를형성하는단계를포함하며, 상기장치웨이퍼는장치웨이퍼의기판의제 1 영역내에유지되도록남겨진하나또는그 초과의재료층들의제 1 그룹을포함하며, 상기캡 웨이퍼는캡 웨이퍼의기판의제 2 영역내에유지되도록남겨진하나또는그 초과의재료층들의제 2 그룹을포함하며, 여기서하나또는그 초과의재료층들의제 1 및제 2 그룹들의조합된두께는장치웨이퍼와캡 웨이퍼의접합시에집적형접합갭 제어구조물을형성한다.
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公开(公告)号:KR101058302B1
公开(公告)日:2011-08-22
申请号:KR1020057014141
申请日:2004-01-27
申请人: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
IPC分类号: H01L33/62
CPC分类号: H01L33/02 , H01L21/187 , H01L21/6835 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L33/0079 , H01L33/30 , H01L2221/68354 , H01L2224/29 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/29144 , H01L2224/29298 , H01L2224/83001 , H01L2224/8319 , H01L2224/83224 , H01L2224/83801 , H01L2224/83805 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/0106 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/157 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/3512 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
摘要: A semiconductor component having a thin-film semiconductor body ( 2 ) arranged on a germanium-containing carrier ( 4 ). A method for producing such a semiconductor component includes producing a semiconductor component having a thin-film conductor body arranged on a carrier, having the steps of growing the thin-film semiconductor body on a substrate, applying the carrier to a side of the thin-film semiconductor body that is remote from the substrate, and stripping the thin-film semiconductor body from the substrate, wherein the carrier contains germanium.
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公开(公告)号:KR1020110087547A
公开(公告)日:2011-08-03
申请号:KR1020100007018
申请日:2010-01-26
申请人: 도레이첨단소재 주식회사
CPC分类号: H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/92247 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor device is provided to reduce failure rate generated by the adhesive sheet in a loading process by attaching a heat resistance adhesive sheet after the loading process where the heat resistance adhesive sheet is exposed to high temperature for a long time. CONSTITUTION: A metal lead frame is prepared. A semiconductor chip(5) is loaded in the metal lead frame. The lead of the metal lead frame is interlinked with the semiconductor chip through a wire. The metal lead frame in which the semiconductor chip is loaded and the wire is connected with is adhered with the heat resistance adhesive sheet(3). Sealing resin seals the semiconductor chip. The heat resistance adhesive sheet is eliminated after sealing is completed.
摘要翻译: 目的:提供一种制造半导体器件的方法,以通过在耐热粘合片长时间暴露于高温的加载过程之后附加耐热粘合片来减少加载过程中由粘合片产生的故障率。 构成:准备金属引线框架。 半导体芯片(5)装载在金属引线框架中。 金属引线框架的引线通过导线与半导体芯片相互连接。 其中加载了半导体芯片的金属引线框架和电线被连接在一起,并与耐热粘合片(3)粘合。 密封树脂密封半导体芯片。 密封完成后,除去耐热性粘合片。
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公开(公告)号:KR101007595B1
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:KR1020040002848
申请日:2004-01-15
申请人: 파나소닉 주식회사
IPC分类号: H01L23/48
CPC分类号: H01L21/568 , C25D1/003 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/05644 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/83805 , H01L2224/85001 , H01L2224/85399 , H01L2224/85444 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/29099 , H01L2924/00012
摘要: 금속제의 판형상체로 이루어진 리드 프레임 본체; 상기 리드 프레임 본체 표면의 리드 형성 영역에 소망하는 깊이로 형성된 리드 형성용 홈부; 및 상기 홈부로부터 상기 리드 프레임 본체 표면 위로 돌출될 수 있도록 형성되고, 상기 리드 프레임 본체와 다른 재료로 형성된 리드부를 포함하는 리드 프레임이 제공된다. 상기 리드 프레임을 사용하여, 칩을 탑재한 후, 에칭에 의해 리드 프레임 본체를 제거하는 박형의 반도체 장치가 제공된다.
반도체 장치, 전자부품, 리드 프레임-
公开(公告)号:KR1020080079074A
公开(公告)日:2008-08-29
申请号:KR1020070019127
申请日:2007-02-26
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L23/3128 , H01L21/6835 , H01L22/10 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L25/105 , H01L2221/68359 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0401 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/85005 , H01L2224/92247 , H01L2225/06558 , H01L2225/1035 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/15172 , H01L2924/15182 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
摘要: A semiconductor package and a method for fabricating the same are provided to minimize the error rate of semiconductor chips by attaching selectively semiconductor chips having superior operation characteristic to a multi-layer structure. A semiconductor package includes a multi-layer structure(110), a semiconductor chip(130), and solder pumps(125). The multi-layer structure includes plural dielectric layers and a redistribution layer(116). The semiconductor chip implemented at a surface of the multi-layer structure is electrically connected with the redistribution layer. The solder pumps are formed at the other surface of the multi-layer structure. The semiconductor chip includes the redistribution layer. The semiconductor chip is electrically connected with the multi-layer structure through the bumps.
摘要翻译: 提供一种半导体封装及其制造方法,通过将选择性地具有优异操作特性的半导体芯片附加到多层结构来最小化半导体芯片的错误率。 半导体封装包括多层结构(110),半导体芯片(130)和焊料泵(125)。 多层结构包括多个电介质层和再分配层(116)。 在多层结构的表面上实现的半导体芯片与再分配层电连接。 焊料泵形成在多层结构的另一个表面。 半导体芯片包括再分配层。 半导体芯片通过凸块与多层结构电连接。
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公开(公告)号:KR100541580B1
公开(公告)日:2006-01-12
申请号:KR1019990024968
申请日:1999-06-28
申请人: 후지쯔 가부시끼가이샤
IPC分类号: H01L21/56
CPC分类号: H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05599 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/85399 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H05K3/20 , H05K3/4007 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要: 본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 다른 기능 영역 간의 간섭에 의한 악영향을 방지하여 안정된 동작을 확실하게 할 수 있고, 소형으로 고집적인 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
반도체 소자(2)와, 상기 반도체 소자(2)를 봉지하는 수지 패키지(3)와, 상기 반도체 소자(2)의 신호 단자를 상기 수지 패키지(3) 외부로 도출하는 신호 경로(4)와, 상기 반도체 소자(2) 이면과 접촉하는 접지용 금속막(8)과, 상기 접지용 금속막(8)에 접속되어 상기 수지 패키지(3) 외부로 도출된 접지 경로(9)를 구비하는 구성으로 되어 있다.
와이어 본딩, 은페이스트摘要翻译: 本发明可以确保通过防止由半导体器件和其制造方法,以及其目的上的不同功能区之间的干扰的不良影响稳定的操作是提供半导体器件小的粘结。
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公开(公告)号:KR100437436B1
公开(公告)日:2004-07-16
申请号:KR1019960705146
申请日:1995-03-17
申请人: 히타치가세이가부시끼가이샤
IPC分类号: H01L23/12
CPC分类号: H01L21/568 , H01L21/4803 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/4985 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/16237 , H01L2224/2919 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/83102 , H01L2224/8319 , H01L2224/83385 , H01L2224/8381 , H01L2224/8385 , H01L2224/85001 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/15183 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/203 , H01L2924/351 , H05K3/20 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/92247 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2924/0002
摘要: 집적도의 증가에 적합한 반도체 패키지가 제공된다. 패키지는 니켈 도금의 전해 코퍼 포일로 만들어진 도전체를 갖는 베이스와, 상기 도전체의 단자에 접속되고 에폭시 레이진으로 밀폐되어 상기 코퍼 포일에 장착된 LSI 칩을 구비한다. 패키지 베이스의 제조 공정에서, 상기 코퍼 포일만이 알칼리 에칭제로 제거되고, 노출된 니켈층은 코퍼에 거의 용해하지 않는 액체로 제거되어, 상호접속부가 노출된다. 솔더 레지스트를 도포하여 접속하는 단자를 노출시키기 위해 노출된 니켈층이 제거되고 상기 노출된 단자에 놓인 솔러 볼은 외부 배선기판의 도전체에 용해된다.
摘要翻译: 提供了半导体封装基板,其可以满足半导体高集成化的趋势。 将镍层镀在电镀铜箔上以形成布线图案。 将LSI芯片安装在铜箔上,并且通过引线键合将LSI芯片的端子和布线图案连接,然后用半导体密封环氧树脂进行密封。 只有铜箔用碱性蚀刻剂溶解以暴露镍。 使用具有低溶解铜能力的镍剥离剂,镍层被去除以暴露布线图案。 涂覆阻焊剂,并且以连接端子部分暴露的方式形成图案。 焊球被放置在布线图案的暴露部分,然后被熔合。 布线图案通过焊球连接到外部印刷电路板。 <图像>
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公开(公告)号:KR1020010070117A
公开(公告)日:2001-07-25
申请号:KR1020000057415
申请日:2000-09-29
申请人: 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
IPC分类号: H01L23/48
CPC分类号: H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/4848 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/83005 , H01L2224/85001 , H01L2224/85005 , H01L2224/85051 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H05K3/20 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要: PURPOSE: To provide a semiconductor device which can be mass-produced at low cost in a simple manufacturing step. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a semiconductor element 2, a mounting metallic film 4 for mounting the semiconductor device 2 on the bottom face with a projected step 4a around the bottom a connecting metallic film 5 located around the metallic film 4 in a separated state from the metallic film 4 and connected electrically with a signal electrode of the semiconductor device 2, and a resin sealing part 7 for exposing the mounting metallic film 4 and the mounting side of the connecting metallic film 5 and sealing the semiconductor device 2, the mounting metallic film 4, and the connecting metallic film 5 by resin. In this case, the step part 4a of the mounting metallic film 4 and a grounding electrode of the semiconductor device 2 are connected electrically.
摘要翻译: 目的:提供一种可以在简单制造步骤中以低成本批量生产的半导体器件。 构成:半导体器件包括半导体元件2,用于将半导体器件2安装在底面上的安装金属膜4,具有围绕底部的突出的台阶4a,位于金属膜4周围的连接金属膜5处于分离状态 金属膜4并与半导体器件2的信号电极电连接,以及树脂密封部分7,用于暴露安装金属膜4和连接金属膜5的安装侧并密封半导体器件2,安装金属 膜4和连接金属膜5通过树脂。 在这种情况下,安装金属膜4的台阶部4a和半导体装置2的接地电极电连接。
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