公开(公告)号：KR101730736B1

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：KR1020150160575

申请日：2015-11-16

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 유첸후아 ,  첸밍파 ,  차이웬칭

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L23/528 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L24/81 ,  B81C1/00238 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05149 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11614 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/279 ,  H01L2224/27912 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/80805 ,  H01L2224/80893 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2761 ,  H01L21/302 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/80

摘要： 접합형구조및 접합형구조를형성하는방법이제공된다. 접합형구조의제1 표면상에전도성층이형성되고, 상기접합형구조는제2 기판에접합된제1 기판을포함하며, 상기접합형구조의상기제1 표면은상기제1 기판의노출면이다. 제1 개구부와제2 개구부를갖는패터닝된마스크가상기전도성층 상에형성되고, 상기제1 개구부와상기제2 개구부는상기전도성층의부분을노출시킨다. 상기제1 접합용커넥터의제1 부분이상기제1 개구부내에형성되고, 상기제2 접합용커넥터의제1 부분이상기제2 개구부내에형성된다. 제1 접합용커넥터의제2 부분과제2 접합용커넥터의제2 부분을형성하기위해전도성층이패터닝된다. 상기제1 접합용커넥터와상기제2 접합용커넥터를이용하여접합형구조가제3 기판에접합된다.

摘要翻译： 提供了形成键合结构和键合结构的方法。 导电层形成在结型结构的第一表面上，结型结构包括结合到第二基底的第一基底，结型结构的第一表面具有暴露表面 一。 具有第一开口和第二开口的图案化掩模形成在导电层上，并且第一开口和第二开口暴露导电层的部分。 形成在第一接合连接器的第一部分的基部的开口部分中，并形成在第一部分的开口部分和第二接合连接器的基部中。 用于任务2的第一连接器的第二部分导电层被图案化以形成用于结合的连接器的第二部分。 并且使用第一结合连接器和第二结合连接器将结合结构结合到第三衬底。

公开(公告)号：KR101604255B1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：KR1020137029433

申请日：2012-08-13

申请人： 가부시키가이샤 아루박

发明人： 나카무타유 ,  마츠모토마사히로 ,  이나가키다카유키 ,  히라마츠다이스케 ,  다니노리아키

IPC分类号： H01L21/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34

CPC分类号： C23C14/165 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/74 ,  H01L24/741 ,  H01L24/743 ,  H01L24/77 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37565 ,  H01L2224/37655 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/40507 ,  H01L2224/4051 ,  H01L2224/4052 ,  H01L2224/4111 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/741 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84002 ,  H01L2224/84011 ,  H01L2224/8402 ,  H01L2224/8481 ,  H01L2224/84815 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/404 ,  H01L2224/77

摘要： 이부품의제조방법은, 한쪽면이니켈로이루어지는기판을이용하고, 상기한쪽면 상에주석을주성분으로하는합금막을스퍼터법에의해형성하는공정 A1과, 상기합금막상에적어도상기합금막과의접촉부위가구리및 니켈피복된알루미늄중 어느하나로이루어지는부품을올려놓는공정 A3과, 상기기판과상기합금막사이및 상기합금막과상기부품사이를각각접합하기위해열처리를실시하는공정 A4를적어도차례대로구비하는부품의제조방법으로서, 상기공정 A1에서감압분위기로한 공간내에주석을주성분으로하는합금타겟을마련한캐소드전극과상기기판을마련한애노드전극을대향하여배치하고, 상기기판의상기한쪽면 상에상기합금막을형성할때에상기캐소드전극에 DC전압을인가한다.

公开(公告)号：KR1020150135419A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020157030358

申请日：2014-03-24

申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

发明人： 플뢰슬안드레아스

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76874 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83902 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은, 예컨대광전자반도체칩(예: 발광다이오드칩)과인쇄회로기판또는금속도체프레임의접합부들(1, 2)을연결하기위한방법에관한것이며, 상기방법은, 제1 접합부(1) 및제2 접합부(2)를제공하는단계와, 제1 접합부상에은을함유하거나은으로구성되는하나이상의층(11, 15)을포함하는제1 층시퀀스(10)를적층하는단계와, 제2 접합부(2) 상에는인듐및 비스무트를함유하는하나이상의층(29)을포함하거나, 또는인듐을함유하는층(23) 및비스무트를함유하는층(22, 24)을포함하는제2 층시퀀스(20)를적층하는단계와, 사전설정된접합시간동안최대 120℃인접합온도에서접합압력(p)을적용하면서각각제1 접합부(1) 및제2 접합부(2)를등지고있는자신들의단부면들상에서제1 층시퀀스(10) 및제2 층시퀀스(20)를상호간에압착하는단계를포함하며, 제1 층시퀀스(10)와제2 층시퀀스(20)는용융되어하나의연결층(30)을형성하고, 이연결층은제1 접합부및 제2 접합부에직접접하며, 연결층의용융온도는 260℃이상이다.

公开(公告)号：KR1020150037865A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020157001711

申请日：2012-07-26

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 윔프링거,마르쿠스

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은적어도대부분투과성인제1 기판(1)의제1 접촉영역(3)을적어도대부분투과성인제2 기판(2)의제2 접촉영역(4)에본딩하기위한방법에관한것이고, 접촉영역중 적어도하나에, 산화물이본딩을위해사용되고, 적어도대부분투과성인상호연결층(14)은제1 및제1 접촉영역(3, 4) 상에, - 적어도 10eS/㎠의 전기전도성(300K의온도에대해, 네점 방법(four point method)으로측정)과, - 0.8 초과의광 투과율(400 nm 내지 1500 nm 의파장범위에대하여)로형성된다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于将第一至少大部分透明的基板的第一接触区域与第二至少大部分透明的基板的第二接触区域接合在至少一个接触区域上的方法，所述接触区域是用于接合的氧化物， 形成至少十分透明的互连层，其电导率为至少10e1S / cm 2（测量：四点法，相对于300K的温度），光透射率大于0.8（波长范围为400nm 至1500nm）在第一和第二接触区域上。

公开(公告)号：KR1020140104802A

公开(公告)日：2014-08-29

申请号：KR1020130018756

申请日：2013-02-21

申请人： 한국전자통신연구원 ,  주식회사 시지트로닉스

发明人： 박종문 ,  이진호 ,  조덕호 ,  심규환

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/4827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： A method for manufacturing a semiconductor package according to an embodiment of the present invention comprises: preparing a die including a first metal layer and a second metal layer sequentially stacked on a silicon substrate; preparing a package substrate; and forming an adhesive layer between the package substrate and the second metal layer to mount the die to the package substrate, wherein forming the adhesive layer can be performed by the eutectic bonding of the silicon substrate and the second metal layer. The semiconductor package according to the present invention can easily form the adhesive layer due to the eutectic bonding without a forming process of a preform.

摘要翻译： 根据本发明的实施例的半导体封装的制造方法包括：准备包括依次堆叠在硅衬底上的第一金属层和第二金属层的管芯; 制备封装衬底; 以及在所述封装基板和所述第二金属层之间形成粘合剂层以将所述管芯安装到所述封装基板，其中，通过所述硅基板和所述第二金属层的共晶接合可以进行形成所述粘合剂层。 根据本发明的半导体封装可以由于共晶接合而容易地形成粘合层，而不需要预成型件的成形工艺。

公开(公告)号：KR101739210B1

公开(公告)日：2017-05-23

申请号：KR1020157001711

申请日：2012-07-26

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 윔프링거,마르쿠스

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은적어도대부분광투과성인제1 기판(1)의제1 접촉영역(3)을적어도대부분광투과성인제2 기판(2)의제2 접촉영역(4)에본딩하기위한방법에관한것이고, 접촉영역중 적어도하나에, 산화물이본딩을위해사용되고, 적어도대부분광투과성인상호연결층(14)은제1 및제1 접촉영역(3, 4) 상에,- 적어도 10eS/㎠의 전기전도성(300K의온도에대해, 네점 방법(four point method)으로측정)과,- 0.8 초과의광 투과율(400 nm 내지 1500 nm 의파장범위에대하여)로형성된다.

公开(公告)号：KR1020160030164A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：KR1020167000125

申请日：2013-07-05

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 레브한,베른하르트

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L22/12 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05561 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/061 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/05552

摘要： 본발명은제1 기판의특히적어도부분적으로금속성의제1 접촉면을제2 기판의특히적어도부분적으로금속성의제2 접촉면에본딩하기위한방법과관련되며, 상기방법은, 접촉면들중 적어도하나의물질에적어도부분적으로, 특히주로용해가능한희생층을접촉면들중 적어도하나에도포하는단계, 접촉면들중 적어도하나에서의상기희생층의적어도부분적인용해에의해상기기판들을본딩하는단계를, 특히순서대로, 포함한다.

摘要翻译： 一种用于将第一衬底的第一至少部分金属接触表面接合到第二衬底的第二至少部分金属接触表面的方法，具有以下步骤，特别是以下步骤：施加牺牲层，其为 至少部分地，特别主要地可溶于至少一个接触表面的材料中的至少一个接触表面，接触表面与至少一个接触表面中的牺牲层的至少部分溶液的接合。

公开(公告)号：KR1020150058214A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：KR1020157006747

申请日：2013-08-08

申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하

发明人： 헤르만,잉오 ,  라인하르트,칼-프란츠 ,  피르크,턀프

IPC分类号： G01J5/04 ,  H01L23/00 ,  H01L27/146 ,  G01J5/20 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L31/09 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00238 ,  B81C2203/0792 ,  G01J5/00 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  H01L23/10 ,  H01L23/26 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은전자기복사(FIR)를검출하기위한적어도 2개의웨이퍼(120, 110; 120, 130)의어셈블리에관한것이고, 제 1 웨이퍼(120)는센서어레이로서형성되며전자기복사(FIR)를검출하여상응하는센서신호를제공하도록설계된마이크로시스템(115)을포함하고, 제 2 웨이퍼(110; 130)는상기센서어레이와연결된평가회로로서형성되며제공된센서신호를기초로전자기복사(FIR)를검출하도록설계된집적회로(105)를포함한다.

公开(公告)号：KR1020140057200A

公开(公告)日：2014-05-12

申请号：KR1020137027626

申请日：2011-08-30

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 마틴스쉬츠,클라우스 ,  윔플린거,마커스 ,  레드한,번하드 ,  힌거리,커트

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L21/64 ,  H01L21/67 ,  H01L23/48 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

摘要： 본 발명은 제1 고체 기판(1)을 제1 물질을 포함하는 제2 고체 기판(2)에 접착하기 위한 방법이며, - 제2 물질을 포함하는 기능 층(5)을 제2 고체 기판(2)에 적용 또는 형성하고; - 상기 기능 층(5) 상의 제2 고체 기판(2)과 제1 고체 기판(1)을 접촉시키며; -고체 기판(1, 2)을 함께 프레스하여 제1 및 제2 고체 기판(1, 2) 사이의 영구 접착을 형성하도록 하는 순차적인 단계를 포함하고, 상기 영구 접착이 제1 물질과 제2 물질의 솔리드 확산 및/또는 상 변환에 의해 적어도 부분적으로 보강되고, 상기 기능 층 상의 볼륨 증가가 발생되도록 하는 방법에 대한 것이다.

公开(公告)号：KR1020170141645A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：KR1020177009855

申请日：2016-04-29

申请人： 데카 테크놀로지 잉크

发明人： 스캔란엠크리스토퍼

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83911 ,  H01L2224/83913 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L22/00 ,  H01L21/56 ,  H01L2224/8391

摘要： 반도체컴포넌트패키지를제조하는방법은, 전도성트레이스들을포함하는기판을제공하는단계, 솔더를사용하여표면실장디바이스(SMD)를기판에납땜하는단계, SMD 위에그리고그 주위에제1 성형화합물을사용하여기판상에 SMD를봉합하여컴포넌트어셈블리를형성하는단계, 및임시캐리어를향해배향된컴포넌트어셈블리의제1 측면을사용하여컴포넌트어셈블리를임시캐리어에실장하는단계를포함할수 있다. 방법은, 전도성상호접속부를포함하는반도체다이를컴포넌트어셈블리에인접한임시캐리어에실장하는단계, 제2 성형화합물을사용하여컴포넌트어셈블리및 반도체다이를봉합하여재구성된패널을형성하는단계, 및제2 성형화합물에대해컴포넌트어셈블리의제1 측면또는제2 측면에서전도성상호접속부및 전도성트레이스들을노출시키는단계를추가로포함할수 있다.

摘要翻译： 一种制造半导体器件封装的方法包括提供包括导电迹线的衬底，使用焊料，使用第一模制化合物在SMD上和周围使用焊料将表面安装器件（SMD）焊接到衬底， 密封衬底上的SMD以形成部件组件，并且使用朝向临时载体定向的部件组件的第一侧将部件组件安装到临时载体。 该方法包括以下步骤：将包括导电互连的半导体管芯安装到邻近部件组件的临时载体;使用第二模塑化合物密封部件组件和半导体管芯以形成重构的面板; 并且在部件组件的第一或第二方面暴露导电互连和导电迹线。