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公开(公告)号：KR101810310B1
公开(公告)日：2017-12-18
申请号：KR1020157034723
申请日：2011-01-25
申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
发明人： 플라흐,토마스 , 힝얼,쿠르트 , 빔프링어,마르쿠스 , 플뢰트겐,크리스토프
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/70 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要： 본발명은, 제 1 기질의제 1 접촉표면(3)을하기단계들특히, 하기시퀀스에따라제 2 기질(2)의제 2 접촉표면(4)에결합시키기위한결합방법에관한것이고, - 상기제 1 접촉표면(3)상의표면층(6)내에리저버(5)를형성하는단계, - 제 1 추출물또는제 1 그룹의추출물로상기리저버(5)를적어도부분적으로충진하는단계, - 예비결합연결부를형성하기위하여상기제 2 접촉표면(4)과제 1 접촉표면(3)이접촉하는단계, - 상기제 1 및제 2 접촉표면(3,4)들사이에위치하고상기제 2 기질(2)의반응층(7)내에포함된제 2 추출물과제 1 추출물의반응에의해강화되는영구적인결합을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 本发明是液体涉及如权利要求1中的一个的相结合的方法，以在特定的接触面（3），到衬底根据序列，其中，（4）粘接在第二基板（2）的议程第二接触表面 在第一接触表面（3）上的表面层（6）中形成储存器（5），用第一提取物或第一组提取物至少部分地填充储存器（5） 将第二接触表面（4）的接触表面（3）与第二基板（2）的接触表面（3）接触， 以形成通过包含在层（7）中的第二萃取物质1的萃取物的反应而增强的永久结合。
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公开(公告)号：KR1020080080458A
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：KR1020080019169
申请日：2008-02-29
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/05599 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/0635 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： A thermosetting die bonding film is provided to ensure excellent adhesiveness with an object, and to prevent contamination of a substrate or semiconductor chip caused by exudation of an adhesive. A thermosetting die bonding film(3a) is used in the manufacture of a semiconductor apparatus. The thermosetting die bonding film contains 5-15wt% of a thermoplastic resin component and 45-55wt% of a thermosetting resin component, and has a melt viscosity of 400-2500 Pa . s at 100 °C before thermosetting. The die bonding film has a tensile storage elastic modulus of 10 MPa or more at 250 °C after thermosetting. The thermoplastic resin component is an acrylic resin component, and the thermosetting resin component is an epoxy resin component and a phenol resin component.
摘要翻译： 提供热固性芯片接合膜以确保与物体的优异的粘合性，并且防止由粘合剂渗出引起的基板或半导体芯片的污染。 热固性芯片接合薄膜（3a）用于制造半导体装置。 热固性芯片接合膜含有5-15重量％的热塑性树脂组分和45-55重量％的热固性树脂组分，熔体粘度为400-2500Pa。 在100℃下热固化。 芯片接合膜在热固化后的250℃下的拉伸储能弹性模量为10MPa以上。 热塑性树脂组分是丙烯酸树脂组分，热固性树脂组分是环氧树脂组分和酚醛树脂组分。
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公开(公告)号：KR101705937B1
公开(公告)日：2017-02-10
申请号：KR1020137017302
申请日：2011-01-25
申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
发明人： 플라흐,토마스 , 힝얼,쿠르트 , 빔프링어,마르쿠스 , 플뢰트겐,크리스토프
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/70 , H01L21/76251 , H01L24/80 , H01L2224/80907 , H01L2224/83009 , H01L2224/83894 , H01L2224/83907 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106
摘要： 본발명은, 제 1 기질의제 1 접촉표면(3)을하기단계들특히, 하기시퀀스에따라제 2 기질(2)의제 2 접촉표면(4)에결합시키기위한결합방법에관한것이고, - 상기제 1 접촉표면(3)상의표면층(6)내에리저버(5)를형성하는단계, - 제 1 추출물또는제 1 그룹의추출물로상기리저버(5)를적어도부분적으로충진하는단계, - 예비결합연결부를형성하기위하여상기제 2 접촉표면(4)과제 1 접촉표면(3)이접촉하는단계, - 상기제 1 및제 2 접촉표면(3,4)들사이에위치하고상기제 2 기질(2)의반응층(7)내에포함된제 2 추출물과제 1 추출물의반응에의해강화되는영구적인결합을형성하는단계를포함하는것을특징으로한다.
摘要翻译： 根据以下步骤将第一基板的第一接触表面接合到第二接触表面的方法：在所述第一接触表面上的表层中形成储存器，至少部分地用第一接触表面填充所述储存器 第一组离散体，使第一接触表面与第二接触表面接触以形成预结合连接，以及在第一和第二接触表面之间形成永久接合，至少部分地通过第一离子流体与 包含在第二基板的反应层中的第二喷射。
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公开(公告)号：KR1020160064032A
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020157003774
申请日：2014-09-10
申请人： 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
发明人： 모리야마,히로노부
CPC分类号： H01L23/293 , C08G59/18 , C08G59/24 , C08G59/4207 , C08G59/686 , C08K5/14 , C08L33/10 , C08L63/00 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/13023 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/75301 , H01L2224/75702 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/83191 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/92 , H01L2224/9205 , H01L2224/921 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/06 , H01L2924/0635 , H01L2924/0665 , H01L2924/186 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/05442 , H01L2924/0549 , H01L2924/0532 , H01L2924/01012 , H01L2924/05341 , H01L2924/0102 , H01L2924/0544 , H01L2924/01006 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L21/78 , H01L2924/00
摘要： 본발명은보이드리스실장및 양호한땜납접합성을실현하는언더필재및 이것을사용한반도체장치의제조방법을제공한다. 에폭시수지및 경화제를함유하고, 시차주사열량계를사용한오자와법에의해산출된 240℃에서의반응률의 20%에도달하는시간이 2.0sec 이하이고, 상기반응률의 60%에도달하는시간이 3.0sec 이상인언더필재를사용한다. 이에의해, 보이드리스실장및 양호한땜납접합성을실현할수 있다.
摘要翻译： 提供了能够实现无空隙封装和优异的焊接接合性能的底部填充材料，以及制造使用其的半导体器件的方法。 使用含有环氧树脂和固化剂的底部填充材料，使用差示扫描量热计，通过Ozawa法计算的240℃下的反应速度达到20％的时间为2.0秒以下，反应时间为 达到60％的速度是3.0秒以上。 这使得无孔封装和优异的焊接连接性能。
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公开(公告)号：KR1020150092182A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020157016543
申请日：2013-11-24
申请人： 엘타 시스템즈 리미티드
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/00 , H01L23/66 , H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/055
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4817 , H01L21/486 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/147 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L23/66 , H01L24/17 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0652 , H01L2223/6605 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2224/05599 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15174 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20101 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/20755 , H01L2224/45099 , H01L2924/207
摘要： 집적 회로 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 집적 회로 장치는 아마도 다른 반도체 기술들에 의해 제조된, 2개 이상의 능동 구성요소들을 포함하고, 2개 이상의 능동 구성요소들을 운반하도록 적응된 인터포저 구조물을 포함하여, 능동 구성요소들 중 적어도 하나가 인터포저 구조물의 상부 표면 상으로 운반된다. 집적 회로 장치는 적어도 하나의 금속 캡도 포함하며, 이는 인터포저 구조물의 상부 표면 상에 제공되고 능동 구성요소들 중 적어도 하나를 캡슐화한다. 본 발명의 집적 회로 장치의 일부 변형예들은 극한의 조건들 하에서의 동작에 적합하다.
摘要翻译： 提出了一种集成电路器件及其制造方法。 集成电路器件（1）包括可能由不同半导体技术制造的两个或多个有源部件（30a，30b）和适于承载两个或多个有源部件的插入器结构（10），使得至少一个有源部件 组件被承载在插入器结构的顶表面上。 集成电路装置还包括至少一个金属盖（40），其设置在插入件结构的顶表面上并且封装至少一个有源部件。 本发明的集成电路装置的一些变型适用于极端条件下的操作。
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公开(公告)号：KR1020090132570A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：KR1020090108463
申请日：2009-11-11
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
IPC分类号： C09J7/00 , H01L21/027
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/05599 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/0635 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , C09J7/35
摘要： PURPOSE: A thermosetting die bonding film is provided to improve adhesion with objects, to prevent the generation of air gap, and to manufacture a semiconductor device with high reliability at high yield. CONSTITUTION: A thermosetting die bonding film used in the manufacture of a semiconductor device comprises 5-15 weight % thermoplastic resin component and 45-55 weight % thermosetting resin component as a main component. The die bonding film has 400-2500 Pa·s of melt viscosity at 100 °C before thermocuring and 10 MPa or more of tensile storage elastic modulus at 250 °C after thermocuring.
摘要翻译： 目的：提供一种热固性芯片接合膜，以提高与物体的粘附性，防止产生气隙，并以高产率制造高可靠性的半导体器件。 构成：用于制造半导体装置的热固性芯片接合膜包括5-15重量％的热塑性树脂组分和45-55重量％的热固性树脂组分作为主要组分。 芯片接合膜在热固化之前的100℃下具有400-2500Pa·s的熔融粘度，在热固化后在250℃下具有10MPa以上的拉伸储存弹性模量。
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公开(公告)号：KR1020160128937A
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020160053221
申请日：2016-04-29
申请人： 주식회사 엘지화학
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L21/18 , C09J7/02
CPC分类号： C09J7/00 , B32B7/12 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B2457/14 , C08L63/00 , C09D163/00 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J161/12 , C09J163/00 , C09J163/04 , C09J201/00 , C09J2201/162 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , C09J2433/006 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , C09J2467/005 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/00 , H01L24/29 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , C09J2201/622 , H01L21/185 , H01L24/28 , H01L24/31
摘要： 본발명은반도체기판의배선이나반도체칩에부설된와이어등의요철을보다용이하게매립할수 있으면서도, 다양한절단방법에큰 제한없이적용되어우수한분단성을구현하여반도체패키지공정의신뢰성및 효율을향상시킬수 있는특정물성을갖는반도체용접착필름에관한것이다.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于半导体的具有能够提高半导体封装工艺的可靠性和效率的特定性质的粘合剂膜，该粘合剂膜更好地有助于将半导体衬底上的不均匀布线或连接到半导体芯片上的电线等等 而不显着限制各种切割方法的应用，从而允许实现极好的可分割性。
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公开(公告)号：KR1020160000388A
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020140103753
申请日：2014-08-11
IPC分类号： C09K13/06 , H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/02063 , H01L21/0273 , H01L21/31111 , H01L21/32134 , H01L21/67017 , H01L21/6708 , H01L21/76802 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05684 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104
摘要： 본발명은금속에천트조성물및 이를이용한반도체장치의제조방법을제공한다. 이금속에천트조성물은유기과산화물(Organic Peroxide)을 0.1~20 중량%로; 유기산(Organic Acid)을 0.1~70 중량%로; 그리고알콜계용매를 10~99.8 중량%로포함한다. 이금속에천트조성물은무수계에서적용된다.
摘要翻译： 本发明提供一种金属蚀刻剂组合物和使用其的半导体器件的制造方法。 金属蚀刻剂组合物包含：0.1-20重量％的有机过氧化物; 0.1〜70重量％的有机酸; 和10〜99.8重量％的醇系溶剂。 金属蚀刻剂组合物用于无水体系中。
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公开(公告)号：KR1020150037865A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020157001711
申请日：2012-07-26
申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하
发明人： 윔프링거,마르쿠스
CPC分类号： H01L24/83 , B32B37/24 , B32B38/0008 , B32B2037/243 , B32B2037/246 , B32B2457/14 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/086 , C23C16/40 , C23C16/403 , C23C16/407 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L31/18 , H01L2224/2741 , H01L2224/27418 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/278 , H01L2224/27848 , H01L2224/2908 , H01L2224/29187 , H01L2224/29287 , H01L2224/29394 , H01L2224/29395 , H01L2224/3201 , H01L2224/32145 , H01L2224/32501 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/83001 , H01L2224/83002 , H01L2224/83011 , H01L2224/83012 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8322 , H01L2224/8383 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/053 , H01L2924/12042 , H01L2924/20102 , H01L2924/0549 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0531 , H01L2924/01001 , H01L2924/01008 , H01L2924/00
摘要： 본발명은적어도대부분투과성인제1 기판(1)의제1 접촉영역(3)을적어도대부분투과성인제2 기판(2)의제2 접촉영역(4)에본딩하기위한방법에관한것이고, 접촉영역중 적어도하나에, 산화물이본딩을위해사용되고, 적어도대부분투과성인상호연결층(14)은제1 및제1 접촉영역(3, 4) 상에, - 적어도 10eS/㎠의 전기전도성(300K의온도에대해, 네점 방법(four point method)으로측정)과, - 0.8 초과의광 투과율(400 nm 내지 1500 nm 의파장범위에대하여)로형성된다.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于将第一至少大部分透明的基板的第一接触区域与第二至少大部分透明的基板的第二接触区域接合在至少一个接触区域上的方法，所述接触区域是用于接合的氧化物， 形成至少十分透明的互连层，其电导率为至少10e1S / cm 2（测量：四点法，相对于300K的温度），光透射率大于0.8（波长范围为400nm 至1500nm）在第一和第二接触区域上。
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公开(公告)号：KR100941832B1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020080019169
申请日：2008-02-29
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/05599 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/83885 , H01L2224/85001 , H01L2224/85099 , H01L2224/85205 , H01L2224/85399 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20102 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/0635 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명의 열경화형 다이 본딩 필름은 반도체 장치의 제조시에 사용하는 열경화형 다이 본딩 필름으로서, 열가소성 수지 성분 5 내지 15 중량％ 및 열경화성 수지 성분 45 내지 55 중량％를 주성분으로 함유하고, 열경화 전의 100 ℃에서의 용융 점도가 400 Paㆍs 이상 2500 Paㆍs 이하인 것을 특징으로 한다.
열경화형 다이 본딩 필름
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