公开(公告)号：KR101906863B1

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：KR1020137026495

申请日：2012-03-05

Applicant: 루미리즈 홀딩 비.브이.

Inventor： 브도빈,올렉산드르발렌티노비치 ,  자그트,헨드릭요하네스부데베인 ,  베르슈렌,코엔아드리아누스 ,  클레이즈넨,크리스티안 ,  디즈켄,두란두스코르넬리우스 ,  크리즌,마르켈리누스페트루스카롤루스미카엘

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/48 ,  H01L33/483 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: 발광모듈(150)은광 출사창(104)을통해광을방출하고, 기저부(110), 고체광 방출체(154, 156) 및부분적난반사층(102)를포함한다. 기저부(110)는광 출사창(104) 쪽으로향하는광 반사성표면(112)을갖는다. 광반사성표면(112)은광 반사성표면에의해반사되는광량과광 반사성표면에충돌하는광량사이의비에의해정의되는기저부반사계수 Rbase를갖는다. 고체광 방출체(154, 156)는제1 컬러범위(114)의광을방출하고, 상부표면(152, 158)을포함하고, 고체광 방출체(154, 156)에의해반사되는광량과고체광 방출체(154, 156)의상부표면(152, 158)상에충돌하는광량사이의비에의해정의되는고체광 방출체반사계수 R_SSL을갖는다. 광출사창(104)은부분적난반사층(102)의일부를적어도포함한다. 고체광 방출체면적비은적어도하나의고체광 방출체의상부표면의면적과기저부의광 반사성표면의면적사이의비로서정의된다. 비교적효율적인발광모듈은, Rbase > R_SSL + c*(1 - R_SSL)이고, 인자 c가에대해이고,에대해이고,에대해이면획득된다.

公开(公告)号：KR101888608B1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：KR1020140140871

申请日：2014-10-17

Applicant: 엘지이노텍 주식회사

Inventor： 이상열 ,  최광기

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/16

Abstract: 실시예의발광소자패키지는기판과, 기판아래에배치되며, 제1 도전형반도체층, 활성층및 제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물과, 제1 및제2 도전형반도체층과각각연결된제1 및제2 전극과, 제2 도전형반도체층및 활성층을관통하여제1 도전형반도체층을노출시키는제1 관통홀 중일부인제1-1 관통홀을통해제1 전극에연결된제1 패드와, 제1 패드와제2 도전형반도체층사이와제1 패드와활성층의사이에배치되고, 복수의제1 관통홀 중타부인제1-2 관통홀에서제1 전극을덮도록배치된제1 절연층및 제2 도전형반도체층아래에배치된제1 절연층을관통하는제2 관통홀을통해제2 전극에연결되며, 제1 패드와전기적으로이격된제2 패드를포함하고, 제2 패드는제1-2 관통홀에위치한제1 절연층과발광구조물의두께방향으로중첩되지않고배치된다.

公开(公告)号：KR101895345B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020177020407

申请日：2010-07-19

Applicant: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

Inventor： 바이트너,칼 ,  비르트,랄프 ,  칼텐바허,악셀 ,  베클라이터,발터 ,  바르히만,베른트 ,  부츠,올리버 ,  마르펠트,얀

IPC: H01L31/0232 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은광전자반도체소자를제조하기위한방법에관한것이며, 상기방법은하기의단계들을포함한다: 캐리어(1)를제공하는단계, 적어도하나의광전자반도체칩(2)을상기캐리어(1)의상부면(1a)에배치하는단계, 상기적어도하나의광전자반도체칩(2)을성형바디(3)에의하여변형하는단계 - 상기성형바디(3)는상기적어도하나의광전자반도체칩(2)의모든측면들(2c)을덮고, 상기캐리어(1)로부터떨어져서마주하는표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의상부면(2a)에서또는상기캐리어쪽을향하는캐리어의표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의하부면(2b)에서성형바디(3)를갖지않거나또는노출되어있음 -, 상기캐리어(1)를제거하는단계.

公开(公告)号：KR20180001965U

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：KR20187000043

申请日：2015-05-18

IPC: F21K9/68 ,  F21V7/04 ,  F21V7/22 ,  F21Y115/10

CPC classification number: F21V29/505 ,  F21V7/0066 ,  F21V7/22 ,  F21V29/70 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L33/642

Abstract: 일종의 LED 반사구조로서, 상기 LED 반사구조는 LED 반사기판을포함하며, 기판에는약간의분리반사캐비티가있고, 상기분리반사캐비티는서로접합되어조밀하게분포되며, 두개의분리반사캐비티사이마다분리리브플레이트가있다. 본고안은기판에서분리리브플레이트를통해각 LED 발광칩을분리시켜각 LED 발광칩이방출하는빛이측면의반사를얻을수 있고, 서로간섭하지않으며, 분리반사캐비티내벽측면에나노반사소재를분사하여조명방사속을향상시킨다. 상기분리리브플레이트는압축능력이강하여상기속에장착된칩의보호를강화한다. 또상기하우징이일체화된기판은하우징을보호하고, 열전도냉각기능을통합시켜서제품의초슬림화, 간소화, 소형화설계에유리하다.

公开(公告)号：KR20180072874A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：KR20187017728

申请日：2010-07-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WEIDNER KARL ,  WIRTH RALPH ,  KALTENBACHER AXEL ,  WEGLEITER WALTER ,  BARCHMANN BERND ,  WUTZ OLIVER ,  MARFELD JAN

IPC: H01L31/0232 ,  H01L33/48 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은광전자반도체소자를제조하기위한방법에관한것이며, 상기방법은하기의단계들을포함한다: 캐리어(1)를제공하는단계, 적어도하나의광전자반도체칩(2)을상기캐리어(1)의상부면(1a)에배치하는단계, 상기적어도하나의광전자반도체칩(2)을성형바디(3)에의하여변형하는단계 - 상기성형바디(3)는상기적어도하나의광전자반도체칩(2)의모든측면들(2c)을덮고, 상기캐리어(1)로부터떨어져서마주하는표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의상부면(2a)에서또는상기캐리어쪽을향하는캐리어의표면은상기적어도하나의반도체칩(2)의하부면(2b)에서성형바디(3)를갖지않거나또는노출되어있음 -, 상기캐리어(1)를제거하는단계.

公开(公告)号：KR1020180051874A

公开(公告)日：2018-05-17

申请号：KR1020160148754

申请日：2016-11-09

Applicant: 주식회사 세미콘라이트

Inventor： 김경민 ,  김봉환

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/10 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/10 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/12041

Abstract: 본개시는, 반도체발광소자에있어서, 바닥부를포함하는몸체;로서, 바닥부에홀이형성된몸체; 홀에의해노출된기판위에배치되며기판과전기적으로연결된반도체발광소자칩;으로서, 전자와전공의재결합에의해자외선을생성하는복수의반도체층과, 복수의반도체층에전기적으로연결된전극을가지는반도체발광소자칩; 그리고, 몸체의내측면의적어도일부분에형성된반사층을포함하고, 반사층은: 몸체의내측면에절연성물질을코팅하여제1 두께를갖는코팅층; 그리고코팅층과접촉하며금속성반사물질이증착되어제2 두께를갖는금속층;을포함하는반도체발광소자에관한것이다.

公开(公告)号：KR101853067B1

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：KR1020110085442

申请日：2011-08-26

Applicant: 엘지이노텍 주식회사

Inventor： 정수정 ,  김병목 ,  조영준 ,  권서연

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/64 ,  H01L24/73 ,  H01L25/167 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 실시예는패키지몸체, 상기패키지몸체내에배치되는방열층, 상기방열층상에배치되는발광소자, 상기발광소자와상기방열층사이에배치되는접착부재, 및상기접착부재의둘레에위치하며, 적어도하나이상의관통영역을가지는접착부재고정층을포함한다.

公开(公告)号：KR101844603B1

公开(公告)日：2018-04-02

申请号：KR1020110084733

申请日：2011-08-24

Applicant: 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤

Inventor： 와까끼다까요시

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/46 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/483 ,  H01L33/502 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 반사막의변색등을억제하여높은출력을유지할수 있는발광장치와그 제조방법을제공한다. 일실시양태에따른발광장치의제조방법은, 반사막을구비하는도전부재를준비하는도전부재준비공정과, 반사막상에발광소자를배치하는발광소자배치공정과, 원자층퇴적법에의해반사막상에보호막을형성하는보호막형성공정을순서대로갖는다.

Abstract translation: 一种能够抑制反射膜的变色并保持高输出的发光装置及其制造方法。 制造根据一个实施方案的发光器件的方法是，在导电构件准备工序中，以制备具有中，通过沉积方法设置在反射和原子层反射膜的发光器件排列布置的发光元件的步骤的反射膜的导电性构件 以及依次形成保护膜的保护膜形成步骤。

公开(公告)号：KR20180032063A

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：KR20160120765

申请日：2016-09-21

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L25/13 ,  H01L33/483 ,  H01L33/502 ,  H01L33/507

Abstract: 발광다이오드패키지및 발광다이오드모듈이제공된다. 일실시예에따른발광다이오드패키지는, 하우징; 상기하우징에실장된제1 발광다이오드칩 및제2 발광다이오드칩; 및상기제1 발광다이오드칩에서방출된광을흡수하여다른파장의광을방출하는형광체를포함하는파장변환부;를포함하고, 상기제1 발광다이오드칩은상기제2 발광다이오드칩에비해짧은파장의광을방출하며, 상기형광체는여기스펙트럼의 425 nm 내지 475 nm 에서나타나는최대피크(max intensity)에서의형광강도 100을기준으로상기제2 발광다이오드칩에서방출되는광의피크파장에서 10 이하의형광강도를가질수 있다. 또다른일 실시예에따른발광다이오드패키지는, 제1 캐비티(cavity) 및제2 캐비티를가지는하우징; 상기제1 캐비티내에실장된제1 발광다이오드칩; 상기제2 캐비티내에실장된제2 발광다이오드칩; 및상기제1 캐비티내에배치되고, 상기제1 발광다이오드칩에서방출된광을파장변환하는파장변환부;를포함하고, 상기제1 발광다이오드칩은상기제2 발광다이오드칩에비해짧은파장의광을방출하며, 상기제2 발광다이오드칩에서방출된광의상기파장변환부로의입사가차단될수 있다. 본발명의실시예들에따르면, 서로다른파장을방출하는발광다이오드칩을사용하여백색광을방출함으로써, 파장변환부내의형광체밀도를감소시킬수 있으며, 이에따라형광체에의한비발광흡수를줄여광 손실을감소시킬수 있다.

Abstract translation: 一种发光二极管封装，包括壳体，设置在所述壳体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片以及波长转换部件，所述波长转换部件包括荧光体，所述荧光体被配置为吸收从所述第一发光二极管芯片发射的光并发射光 具有与从第一发光二极管芯片发射的光不同的波长，其中从第一发光二极管芯片发射的光具有比从第二发光二极管芯片发射的光短的波长，并且荧光体具有荧光强度 在第二发光二极管芯片的发射光的峰值波长处，参考在第二发光二极管芯片的激发光谱上的在425nm至475nm的波长处的最大荧光强度100，第二发光二极管芯片的发光峰值为10或更小。

公开(公告)号：KR101813495B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：KR1020110055019

申请日：2011-06-08

Applicant: 엘지이노텍 주식회사

Inventor： 원성희 ,  이상우

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L33/483 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/15 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 실시예에따른발광소자패키지는캐비티를포함하는몸체, 몸체에구비되는리드프레임, 캐비티의바닥면과경사각을형성하며리드프레임과전기적으로연결되는발광소자; 및상기캐비티의내측면에상기발광소자를구비하는체결부를포함한다.

Abstract translation: 根据一个实施例的发光器件封装包括：主体，其包括腔体;引线框架，其设置在主体上;发光元件，其与腔体的底表面形成倾斜角并且电连接到引线框架; 以及在腔体的内表面上具有发光器件的耦合部件。