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    Ｐ형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체 및 이를 이용한박막 및 후막의 제조방법
    2.
    发明公开
    Ｐ형 산화아연화합물 반도체 재료용 소결체 및 이를 이용한박막 및 후막의 제조방법 失效
    用于p型ZnO化合物半导体的陶瓷和薄膜和厚膜的制造方法

    公开(公告)号：KR1020090103761A

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：KR1020090025049

    申请日：2009-03-24

    申请人： 부산대학교 산학협력단

    发明人： 장민수 ,  김동진 ,  박성균

    IPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/553 ,  C04B35/10 ,  C04B35/45

    CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/445 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631

    摘要： PURPOSE: A sintered body for p-type ZnO compound semiconductors and a method for manufacturing a thin film and thick film using the same are provided for use in light-emitting elements and electric components. CONSTITUTION: A sintered body for p-type ZnO compound semiconductors is obtained by mixing ZnO and a second compound molecule. The second compound molecule contains one or more materials selected from the group consisting of lithium oxide(Li2O), lithium fluoride(LiF), lithium chloride(LiCl), sodium oxide(Na2O), sodium fluoride(NaF), sodium chloride(NaCl), kalium oxide(K2O), potassium fluoride(KF), potassium chloride(KCl), trivalent metal oxide able to coexist with divalent metal oxide, and divalent metal oxide able to coexist with the univalent metal oxide.

    摘要翻译： 目的：提供一种用于p型ZnO化合物半导体的烧结体和使用其的薄膜和厚膜的制造方法，用于发光元件和电气部件。 构成：通过混合ZnO和第二化合物分子得到p型ZnO化合物半导体的烧结体。 第二化合物分子含有选自氧化锂（Li 2 O），氟化锂（LiF），氯化锂（LiCl），氧化钠（Na2O），氟化钠（NaF），氯化钠（NaCl） ，氧化钾（K 2 O），氟化钾（KF），氯化钾（KCl），能够与二价金属氧化物共存的三价金属氧化物，以及能够与一价金属氧化物共存的二价金属氧化物。

    소결체, 소결체의 제조방법, 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 제조방법
    3.
    发明公开
    소결체, 소결체의 제조방법, 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 제조방법 审中-实审

    公开(公告)号：KR1020220072725A

    公开(公告)日：2022-06-02

    申请号：KR1020210118321

    申请日：2021-09-06

    IPC分类号： C04B35/553 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

    摘要： 내식성을향상시킬수 있는소결체, 소결체의제조방법, 반도체제조장치및 반도체제조장치의제조방법을제공한다. 실시형태에따른소결체는 Y5O4F7을 50[질량%] 이상포함하고, 상대밀도가 97.0[%] 이상이며, 비커스경도가 2.4[GPa] 이상이다. 실시형태에따른소결체의제조방법은 Y5O4F7 분말을포함하는성형체를성형하는단계와, 아르곤가스분위기중 또는 10-3[Pa] 이하의진공분위기중에서, 1000[℃] 이상의온도에서, 상기성형체를소결하는것에의해소결체를형성하는단계와, Y5O4F7을 50[질량%] 이상포함하고, 상대밀도가 97.0[%] 이상이며, 비커스경도가 2.4[GPa] 이상인소결체를선택하는단계를포함한다.

    저융점 금속 주조기용 내열재료
    6.
    发明公开
    저융점 금속 주조기용 내열재료 有权
    用于低熔点金属铸造机的耐热材料

    公开(公告)号：KR1020070096964A

    公开(公告)日：2007-10-02

    申请号：KR1020070029647

    申请日：2007-03-27

    申请人： 니찌아스 카부시키카이샤

    发明人： 사카모토아키후미

    IPC分类号： C04B35/22 ,  C04B35/553

    CPC分类号： C04B28/188 ,  C04B2111/0087 ,  C04B2111/28 ,  C04B2201/20 ,  C04B2201/50 ,  C04B22/126

    摘要： A heat-resistant material for a low-melting metal casting machine is provided to have improved durability against highly-corrosive molten metal while maintaining excellent thermal-insulation characteristics, specific strength, and processability of calcium silicate. A heat-resistant material for a low-melting metal casting machine includes calcium silicate and a fluorinated compound. The fluorinated compound is contained in an amount of 0.05-30wt% in terms of a fluorine content. The calcium silicate comprises at least one element selected from the group consisting of wallastonite(CaSiO3), tobermorite(5CaO.6SiO2.5H2O), and xonotlite(6CaO.6SiO2.H2O). The heat-resistant material has a density of 200-2,500 kg/m^3 and a bending strength of 1-20 MPa.

    摘要翻译： 提供了一种用于低熔点金属铸造机的耐热材料，其具有改善的高腐蚀性熔融金属的耐久性，同时保持硅酸钙的优异的绝热特性，比强度和加工性能。 用于低熔点金属铸造机的耐热材料包括硅酸钙和氟化合物。 含氟化合物的含氟量为0.05〜30重量％。 硅酸钙包括选自硅酸钙（CaSiO 3），硅钙石（5CaO·6SiO 2·5H 2 O）和硬硅钙石（6CaO 6·SiO 2·H 2 O）中的至少一种元素。 耐热材料的密度为200-2,500kg / m 3，弯曲强度为1-20MPa。