公开(公告)号：KR101785429B1

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：KR1020100126501

申请日：2010-12-10

申请人： 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨

发明人： 리밍키 ,  아콰드에마드 ,  류콩 ,  매티아조셉 ,  슈쳉-바이 ,  바클레이조지지.

IPC分类号： C07D333/46 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027 ,  C07C321/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C303/32 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C321/30 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  C07D337/04 ,  C07D493/20 ,  C07J31/006 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： 포토애시드발생제(PAG) 화합물의합성을위한새로운방법, 새로운포토애시드발생제화합물및 상기한 PAG 화합물을포함하는포토레지스트조성물이제공된다. 특정측면에있어서는, 설포늄-함유(S+) 포토애시드발생제, 및설포늄포토애시드발생제의합성방법이제공된다.

摘要翻译： 提供了合成光酸产生剂（PAG）化合物的新方法，新型光酸产生剂化合物和包含PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。 在具体方面，提供了含锍（S +）光酸产生剂和合成锍光酸产生剂的方法。

公开(公告)号：KR1020150080625A

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：KR1020157015509

申请日：2013-12-04

申请人： 후지필름 가부시키가이샤

发明人： 코지마마사후미 ,  시부야아키노리 ,  고토아키요시 ,  카타오카쇼헤이 ,  코시지마코스케

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07C309/06 ,  C07D217/08 ,  C07D279/12 ,  C07C309/12 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D279/12 ,  C07D327/06 ,  C07D333/46 ,  C07D335/02 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041

摘要： 감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 트라이페닐설포늄노나플레이트를기준으로한 경우의, 상대흡광도를ε로하고, 상대양자효율을φ로할 때, 상대흡광도ε이 0.4~0.8이면서, 또한, ε×φ이 0.5~1.0인활성광선또는방사선의조사에의하여산을발생하는화합물(A)을함유한다.

公开(公告)号：KR101498326B1

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：KR1020110082362

申请日：2011-08-18

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 오사와유이치 ,  사게하시마사요시 ,  고바야시도모히로

IPC分类号： C07D333/46 ,  C07C309/17 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC分类号： C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： 본 발명은 하기 화학식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 술포늄염을 제공한다.

상기 식 중, R은 헤테로원자를 포함해도 좋은 탄소수 7∼30의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 1가의 탄화수소기를 나타내고, n'는 1∼4의 정수를 나타낸다.
본 발명의 술포늄염은, 통상의 술포늄염과 상이하고 친수성이 높은 페놀성 수산기나 에틸렌글리콜쇄를 갖고 있고, 특정 음이온과 조합한 본 발명의 술포늄염을 레지스트 재료에 이용한 경우에는 액침수로의 용출도 적고, 또 패턴 의존성(다크 브라이트차)이 적어 화학 증폭형 레지스트 재료의 광산 발생제로서 매우 유용하다.

公开(公告)号：KR101402519B1

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：KR1020087000852

申请日：2006-07-07

申请人： 메르크 퍼포먼스 마테리알즈 고도가이샤

发明人： 라만엠달릴 ,  훌리안프란시스엠 ,  파드마나반무니라트나 ,  이상호 ,  담멜랄프알 ,  렌트키위츠데이빗 ,  아냐디규클레멘트

IPC分类号： C07D333/76 ,  C07D333/46 ,  C07C25/02 ,  C07C381/00

CPC分类号： C07D333/46 ,  C07C25/18 ,  C07C309/05 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07D333/76 ,  Y10S430/114

摘要： 본 발명은 화학식 AXB의 화합물에 관한 것으로, 이때 (i) AXB는 이온성 화합물 Ai Xi Bi(식 중, Ai 및 Bi는 각각 독립적으로 유기 오늄 양이온이고; Xi는 화학식 QR
500 -SO
3 의 음이온임)을 형성하거나, 또는 (ii) AXB는 비이온성 화합물 Ac-Xc-Bc(식 중, Ai, Bi, Q, R
500 , Ac, Bc, 및 Xc는 본원에서 정의됨)을 형성한다. 상기 화합물들은 광활성 물질로서 유용하다.

公开(公告)号：KR1020120033224A

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020110073918

申请日：2011-07-26

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤

发明人： 안류유카코 ,  이치카와코지

IPC分类号： C07D333/46 ,  C07C309/70 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

CPC分类号： C07D333/46 ,  C07C309/70 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046

摘要： PURPOSE: A photoresist composition and salt are provided to be used as an acid generator and to obtain photoresist pattern. CONSTITUTION: A salt for an acid generator is denoted by chemical formula I. The acid generator contains the salt of chemical formula I. A photoresist composition contains the acid generator and instable group in acid. The composition additionally contains basic compounds. A method for preparing a photoresist pattern comprises: a step of applying the photoresist composition on a substrate to form a photoresist composition layer; a step of drying the layer to form a photoresist film; a step of exposing the photoresist film; a step of heating the photoresist film; and a step of developing the photoresist film.

摘要翻译： 目的：提供光致抗蚀剂组合物和盐以用作酸产生剂并获得光致抗蚀剂图案。 构成：酸产生剂的盐由化学式I表示。酸产生剂含有化学式I的盐。光致抗蚀剂组合物含有酸产生剂和酸不稳定基团。 该组合物另外含有碱性化合物。 制备光致抗蚀剂图案的方法包括：将光致抗蚀剂组合物施加在基底上以形成光致抗蚀剂组合物层的步骤; 干燥该层以形成光致抗蚀剂膜的步骤; 曝光光刻胶膜的步骤; 加热光致抗蚀剂膜的步骤; 以及显影光致抗蚀剂膜的步骤。

公开(公告)号：KR1020110006614A

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：KR1020100066116

申请日：2010-07-09

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 이치카와고지 ,  스기하라마사코 ,  야마시타유코

IPC分类号： C07C381/12 ,  C07D333/46 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08F22/02 ,  C07C25/18 ,  C07C57/03 ,  C07C57/28 ,  C07C63/64 ,  C07C63/66 ,  C07C69/54 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C08F20/38 ,  C08F32/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/30 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0042 ,  H01L21/027

摘要： PURPOSE: A photoresist composition containing salts is provided to obtain a photoresist pattern with excellent resolution, LER and focus margin and to enable use for ArF excimer laser lithography, KrF excimer laser lithography, and ArF excimer lithography. CONSTITUTION: A salt is represented by the formula (I-Pa), wherein Xpa represents a single bond or a C1-C4 alkylene group; Rpa represents a single bond, a C4-C36 divalent alicyclic hydrocarbon group or a C6-C36 divalent aromatic hydrocarbon group, and one or more methylene groups in the divalent alicyclic hydrocarbon group can be replaced by -O- or -CO-; Ypa represents a polymerizable group; and Zpa+ represents an organic cation.

摘要翻译： 目的：提供含有盐的光致抗蚀剂组合物以获得具有优异分辨率，LER和聚焦余量的光致抗蚀剂图案，并且能够用于ArF准分子激光光刻，KrF准分子激光光刻和ArF准分子光刻。 构成：盐由式（I-Pa）表示，其中Xpa表示单键或C1-C4亚烷基; Rpa表示单键，C 4 -C 36二价脂环族烃基或C 6〜C 36二价芳香族烃基，二价脂环式烃基中的一个以上亚甲基可以被-O-或-CO-代替。 Ypa表示可聚合基团; Zpa +表示有机阳离子。

公开(公告)号：KR1020080046625A

公开(公告)日：2008-05-27

申请号：KR1020087000852

申请日：2006-07-07

申请人： 메르크 퍼포먼스 마테리알즈 고도가이샤

发明人： 라만엠달릴 ,  훌리안프란시스엠 ,  파드마나반무니라트나 ,  이상호 ,  담멜랄프알 ,  렌트키위츠데이빗 ,  아냐디규클레멘트

IPC分类号： C07D333/76 ,  C07D333/46 ,  C07C25/02 ,  C07C381/00

CPC分类号： C07D333/46 ,  C07C25/18 ,  C07C309/05 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07D333/76 ,  Y10S430/114

摘要： The present application relates to a compound of formula A-X-B, where (i) A-X-B form an ionic compound Ai Xi Bi where Ai and Bi are each individually an organic onium cation; and Xi is anion of the formula Q-R500-SO3-or (ii) A-X-B form a non-ionic compound Ac-Xc-Bc, where Ai, Bi, Q, R500, Ac, Bc, and Xc are defined herein. The compounds are useful as photoactive materials.

摘要翻译： 本申请涉及式A-X-B化合物，其中（i）A-X-B形成离子化合物艾希Bi，其中A 1和B 2各自为有机鎓阳离子; 并且X 1是式Q-R 5 O 0 SO 3的阴离子或（ⅱ）A-X-B形成非离子化合物Ac-Xc-Bc，其中A 1，B 2，Q，R 5 00，Ac，B c和X c如本文所定义。 这些化合物可用作光敏材料。

公开(公告)号：KR840001936B1

公开(公告)日：1984-10-25

申请号：KR800002833

申请日：1980-07-16

申请人： AMERICAN CYANAMID CO

发明人： GRASS CHARLES PAUL

IPC分类号： A01N43/08 ,  C07D333/46

公开(公告)号：KR101747429B1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020100066116

申请日：2010-07-09

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤

发明人： 이치카와고지 ,  스기하라마사코 ,  야마시타유코

IPC分类号： C07C381/12 ,  C07D333/46 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08F22/02 ,  C07C25/18 ,  C07C57/03 ,  C07C57/28 ,  C07C63/64 ,  C07C63/66 ,  C07C69/54 ,  C07C309/17 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C08F20/38 ,  C08F32/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/30 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

摘要： 하기화학식 (I-Pa)로표시되는염:상기식에서, X는단일결합또는 C1-C4 알킬렌기를나타내고, R는단일결합, C4-C36의 2가의지환식탄화수소기 또는 C6-C36의 2가의방향족탄화수소기를나타내며, 2가의지환식탄화수소기 내의 1 이상의메틸렌기가 -O- 또는 -CO-로치환될수 있고, Y는중합가능기를나타내며, Z는유기양이온을나타낸다.

公开(公告)号：KR101699082B1

公开(公告)日：2017-01-23

申请号：KR1020100072213

申请日：2010-07-27

申请人： 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤

发明人： 이치카와고지 ,  요시다이사오 ,  야마구치사토시

IPC分类号： C07D307/77 ,  C07D333/46 ,  C07C309/17

CPC分类号： C07C381/12 ,  C07C309/17 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/77 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

摘要： 해상도및 마스크에러인핸스먼트팩터가우수한화학증폭형레지스트조성물을제공하는것.식 (A1) 로나타내는염을산발생제로서레지스트조성물에사용하면, 상기목적을달성할수 있다.[식 (A1) 중, Z는유기카티온을나타낸다. Q및 Q는불소원자또는퍼플루오로알킬기를나타낸다. R은 2 가의고리형의지방족탄화수소기등을나타낸다. R는식 (Ⅱ-1) 또는식 (Ⅱ-2) 로나타내는탈리기이다. 식 (Ⅱ-1) 및식 (Ⅱ-2) 중, R및 R는수소원자또는지방족탄화수소기를나타낸다. R는지방족탄화수소기를나타낸다. R은 2 가의지방족탄화수소기를나타낸다. R은지방족탄화수소기를나타낸다]

摘要翻译： 本发明的目的是提供一种分辨率和掩模误差增强因子优异的化学放大抗蚀剂组合物。 通过使用由式（A1）表示的盐作为抗蚀剂组合物的酸产生剂，实现了上述目的。 其中Z +表示有机阳离子，Q1和Q2各自独立地表示氟原子或全氟烷基，Ra2表示二价脂环族烃基，Ra2表示由式（II-1）或（II- 2）。 在式（II-1）或（II-2）中，Ra 3和Ra 4各自独立地表示氢原子或脂肪族烃基，Ra 5表示脂肪族烃基，Ra 6表示二价脂肪族烃基，Ra 7表示脂肪族 烃基。