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公开(公告)号：KR101869310B1
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR1020167020561
申请日：2015-02-16
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
CPC分类号： G03F7/16 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： 패턴형성방법은, 산의작용에의하여분해되어극성기를발생하는기를갖는수지를적어도함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여기판상에막을형성하는공정 (1)과, 막을노광하는공정 (2)와, 노광된막을실질적으로용해시키지않고, 노광된막중에발생하는극성기와이온결합, 수소결합, 화학결합및 쌍극자상호작용중 어느하나의상호작용을하는성분과, 노광된막을접촉시키는공정 (3)과, 노광된막을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하고, 막중의노광량이적은영역을제거하여, 패턴을형성하는공정 (4)를이 순서로갖는다.
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2.发明授权
公开(公告)号：KR101774309B1
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020157013617
申请日：2013-12-25
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C309/24 , C07C311/48 , C07C317/04 , C07D211/06 , C07D307/10 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C309/29 , C07C311/48 , C07C317/04 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C07D217/06 , C07D295/185 , C07D327/06 , C07D333/46 , C07D333/48 , C07D333/76 , C07D335/02 , C07J9/005 , C07J17/00 , C07J31/006 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要： 본발명은수지(A) 및하기일반식(I)의임의의화합물(B)을포함하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을제공한다.[일반식중, Rf는불소원자, 또는적어도 1개의불소원자를함유하는 1가의유기기를나타내고; R은수소원자, 또는불소원자를함유하지않는 1가의치환기를나타내고; X은적어도 2개의탄소원자를갖는 1가의유기기, 또는불소원자이외의치환기가필요에따라도입되는메틸기를나타내고, 단 X은 R과결합하여환을형성해도좋고; Z는활성광선또는방사선으로노광되는경우에술폰산기, 이미드산기또는메티드산기로변환되는부위를나타낸다]
摘要翻译： 本发明提供包含下述通式（I）的树脂（A）和任选的化合物（B）的光化射线或辐射敏感树脂组合物：其中Rf为氟原子， 含有一个氟原子的一价有机基团; R表示氢原子，不含氟原子的一价取代基; X表示具有至少两个碳原子的一价有机基团或任选引入除氟原子以外的取代基的甲基，条件是X可以与R结合形成环; Z表示当暴露于光化射线或辐射时转化为磺酸基，亚胺酸基或甲基酸基的部分]
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公开(公告)号：KR1020160043013A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：KR1020167006366
申请日：2014-09-01
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
摘要： (1) 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여, 막을형성하는공정, (2) 상기막을, 활성광선또는방사선에의하여노광하는공정, (3) 상기막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여피처리패턴을형성하는공정, 및 (4) 상기피처리패턴에대하여, 1급아미노기및 2급아미노기중 적어도어느하나를갖는화합물 (x)를포함하는처리제를작용시켜, 처리완료패턴을얻는공정을포함하는, 패턴형성방법에의하여, 패턴에처리제를작용시키는(이른바, 슈링크공정을실시하는) 것에의하여패턴의미세화를도모하는패턴형성방법에있어서, 상기패턴의미세화가우수한것에의하여, 초미세한스페이스폭(예를들면 60nm 이하)을갖는라인앤드스페이스패턴을확실히형성할수 있고, 또한, 그라인앤드스페이스패턴을, 슈링크공정이적용된후에있어서의러프니스성능이우수한상태에서형성가능한패턴형성방법및 그에이용되는처리제, 및상기패턴형성방법을사용하는전자디바이스의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR101892553B1
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：KR1020177000203
申请日：2015-06-18
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/10 , C08L33/06 , C08F20/34 , C08F20/38 , G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要： 포커스허용도가크고, 또한해상력이우수한감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 상기조성물을이용한패턴형성방법, 및전자디바이스의제조방법을제공한다. 상기조성물은, 수지 (P)를함유하며, 상기수지 (P)가, 산분해성기를갖는반복단위 (a)와, 락톤구조등을갖는반복단위 (b)를포함하고, 상기반복단위 (a)가, 특정일반식 (1)로나타나는반복단위 (a1)을적어도포함하며, 상기수지 (P)의전체반복단위에대한상기반복단위 (a1)의함유량이, 35몰% 이상이고, 상기수지 (P)가, 특정일반식 (X1)로나타나는기, 특정일반식 (X2)로나타나는구조, 하이드록시아다만틸기, 및하이드록시아다만틸기의하이드록시기가산의작용에의하여분해되어탈리되는기로보호된기를모두포함하지않는, 감활성광선성또는감방사선성수지조성물이다.
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6.发明公开감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스 审中-实审活性辐射敏感或辐射敏感树脂组合物，图案形成方法，电子器件制造方法和电子器件
公开(公告)号：KR1020160106687A
公开(公告)日：2016-09-12
申请号：KR1020167021531
申请日：2015-02-09
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
CPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2053 , G03F7/325 , G03F7/0382 , G03F7/32
摘要： 본발명은, 포커스허용도가크고, 또한현상성이우수한감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 상기조성물을이용한패턴형성방법, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다. 본발명의감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 하기일반식 (1)로나타나는기를갖는반복단위 (i)을포함하는수지 (P), 및특정식으로나타나는활성광선또는방사선의조사에의하여산을발생하는화합물을함유한다.
摘要翻译： 本发明提供具有高的聚焦耐受性和优异的显影性的敏化活性放射线或放射线敏感性树脂组合物，使用该组合物的图案形成方法，电子器件制造方法和电子器件。 本发明的敏感性活性或放射线敏感性树脂组合物含有含有具有下述通式（1）表示的基团的重复单元（i）的树脂（P）和树脂 含有产生酸的化合物。
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020160079029A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020167013987
申请日：2014-11-19
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/32 , G03F7/038 , G03F7/039 , C08F32/02 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/004 , C08F32/02 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/2055 , G03F7/32 , H01L21/0274
摘要： 감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 일반식 (X)로나타나는부분구조를갖는수지 (P), 및활성광선또는방사선의조사에의하여산을발생하는화합물을함유한다.
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公开(公告)号：KR102229834B1
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020187022319
申请日：2017-01-13
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
摘要： 본발명은 LWR이작은패턴을형성할수 있고, 또한형성된패턴의붕괴가보다억제된감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 레지스트막, 패턴형성방법, 및전자디바이스의제조방법을제공한다. 본발명의감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 일반식 (1)로나타나는광산발생제, 또는일반식 (1)로나타나는광산발생제로부터 1개의수소원자를제거한잔기를갖는수지를함유한다. TIFF112018076459048-pct00056.tif4854
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公开(公告)号：KR101745488B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020167006366
申请日：2014-09-01
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
摘要： (1) 산의작용에의하여극성이증대되어유기용제를포함하는현상액에대한용해성이감소하는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여, 막을형성하는공정, (2) 상기막을, 활성광선또는방사선에의하여노광하는공정, (3) 상기막을, 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하여피처리패턴을형성하는공정, 및 (4) 상기피처리패턴에대하여, 1급아미노기및 2급아미노기중 적어도어느하나를갖는화합물 (x)를포함하는처리제를작용시켜, 처리완료패턴을얻는공정을포함하는, 패턴형성방법에의하여, 패턴에처리제를작용시키는(이른바, 슈링크공정을실시하는) 것에의하여패턴의미세화를도모하는패턴형성방법에있어서, 상기패턴의미세화가우수한것에의하여, 초미세한스페이스폭(예를들면 60nm 이하)을갖는라인앤드스페이스패턴을확실히형성할수 있고, 또한, 그라인앤드스페이스패턴을, 슈링크공정이적용된후에있어서의러프니스성능이우수한상태에서형성가능한패턴형성방법및 그에이용되는처리제, 및상기패턴형성방법을사용하는전자디바이스의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170031748A
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020177004169
申请日：2015-08-21
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , C08F220/28
CPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/26 , C08F220/28 , C08F220/36 , C08F228/06 , C08F230/08 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/365 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274 , C08F2220/1858 , C08F2220/1866 , C08F2220/185 , C08F2220/1825 , C08F2220/1875 , C08F2230/085 , C08F220/22
摘要： 본발명은, DOF가크고, 또한 LWR이작은감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 상기조성물을이용한패턴형성방법, 및전자디바이스의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명의감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 수지 P와, 활성광선또는방사선의조사에의하여산을발생하는화합물을함유하는, 감활성광선성또는감방사선성수지조성물로서, 상기수지 P가특정식으로나타나는반복단위 p1 및반복단위 p2를갖고, 상기반복단위 p2가하이드록시아다만틸기의하이드록시기가산의작용에의하여분해되어탈리하는기로보호된기를갖지않는다.
摘要翻译： 本发明中，DOF是较大的，并且继续进行LWR，具有用于它的目的是提供生产使用光化射线或辐射最后敏感性树脂组合物，使用该组合物的图案形成方法，和电子装置的读出的方法。 使用光化射线或本发明的最后一个辐射敏感树脂组合物，作为活性光线的树脂P或通过照射包含产生酸的化合物，使用光化射线或最后的辐射敏感树脂组合物，树脂的感放射线的感 P没有具有的重复单元P1的组和P2由特定式表示的重复单元，其中所述重复单元P2氰基羟基保护由所述羟基官能团，但锁定的解吸分解组当添加的组的。
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