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    螢光體及其製造方法以及發光裝置
    2.
    发明专利
    螢光體及其製造方法以及發光裝置 审中-公开
    萤光体及其制造方法以及发光设备

    公开(公告)号：TW201716544A

    公开(公告)日：2017-05-16

    申请号：TW105125921

    申请日：2016-08-15

    申请人： 宇部興產股份有限公司 ,  UBE INDUSTRIES, LTD.

    发明人： 酒井拓馬 ,  SAKAI, TAKUMA ,  児玉努 ,  KODAMA, TSUTOMU ,  植田秋 ,  UEDA, AKI ,  岩下和樹 ,  IWASHITA, KAZUKI

    IPC分类号： C09K11/63 ,  F21K2/00 ,  H01L33/50

    CPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/64 ,  H01L33/50

    摘要： 提供一種被控制為特定之粒徑並且異相之生成受到抑制，而發光特性尤其是發光強度較習知優異之螢光體及其製造方法以及發光裝置。 一種螢光體，含有下述式(1)之組成所表示之結晶相，其特徵在於進而含有硼100~2500ppm。 SraM1bAlcSidNeOf：Eux1Cey1 (1) (此處，M1係選自由Ca、Ba及Mg所組成之群中之1種以上之金屬元素，2≦a≦8，0≦b≦3，2≦c≦7，10≦d≦25，15≦e≦37，0≦f≦3，0

    简体摘要： 提供一种被控制为特定之粒径并且异相之生成受到抑制，而发光特性尤其是发光强度较习知优异之萤光体及其制造方法以及发光设备。 一种萤光体，含有下述式(1)之组成所表示之结晶相，其特征在于进而含有硼100~2500ppm。 SraM1bAlcSidNeOf：Eux1Cey1 (1) (此处，M1系选自由Ca、Ba及Mg所组成之群中之1种以上之金属元素，2≦a≦8，0≦b≦3，2≦c≦7，10≦d≦25，15≦e≦37，0≦f≦3，0

    氮氧化物螢光體粉末、氮氧化物螢光體粉末製造用氮化矽粉末及氮氧化物螢光體粉末之製造方法
    7.
    发明专利
    氮氧化物螢光體粉末、氮氧化物螢光體粉末製造用氮化矽粉末及氮氧化物螢光體粉末之製造方法 审中-公开
    氮氧化物萤光体粉末、氮氧化物萤光体粉末制造用氮化硅粉末及氮氧化物萤光体粉末之制造方法

    公开(公告)号：TW201335337A

    公开(公告)日：2013-09-01

    申请号：TW101137688

    申请日：2012-10-12

    申请人： 宇部興產股份有限公司 ,  UBE INDUSTRIES, LTD.

    发明人： 藤永昌孝 ,  FUJINAGA, MASATAKA ,  上田孝之 ,  UEDA, TAKAYUKI ,  酒井拓馬 ,  SAKAI, TAKUMA ,  治田慎輔 ,  JIDA, SHINSUKE

    IPC分类号： C09K11/64 ,  C09K11/80

    CPC分类号： C09K11/7728 ,  C01B21/0821 ,  C01B21/0826 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H05B33/14

    摘要： 本發明為一種含有α型賽隆與氮化鋁之氮氧化物螢光體粉末，係由下述組成式所表示之組成所表示：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(但是，式中，x1、x2、y、z為0＜x1≦3.40、0.05≦x2≦0.20、4.0≦y≦7.0、0≦z≦1)。前述氮氧化物螢光體粉末，其係被450nm波長光激發所發出的螢光之峰波長的光線的反射率為80%以上。一種氮氧化物螢光體粉末製造用氮化矽粉末，係結晶質氮化矽粉末，並且氧含量為0.2~0.9質量%。一種氮氧化物螢光體粉末的製造方法，具有：藉由將原料物質混合，在惰性氣體環境中1500~2000℃溫度範圍燒成，而得到前述一般式所表示之氮氧化物燒成物之第1步驟；及將前述氮氧化物燒成物在惰性氣體環境中1100~1600℃溫度範圍熱處理之第2步驟。

    简体摘要： 本发明为一种含有α型赛隆与氮化铝之氮氧化物萤光体粉末，系由下述组成式所表示之组成所表示：Cax1Eux2Si12-(y+z)Al(y+z)OzN16-z(但是，式中，x1、x2、y、z为0＜x1≦3.40、0.05≦x2≦0.20、4.0≦y≦7.0、0≦z≦1)。前述氮氧化物萤光体粉末，其系被450nm波长光激发所发出的萤光之峰波长的光线的反射率为80%以上。一种氮氧化物萤光体粉末制造用氮化硅粉末，系结晶质氮化硅粉末，并且氧含量为0.2~0.9质量%。一种氮氧化物萤光体粉末的制造方法，具有：借由将原料物质混合，在惰性气体环境中1500~2000℃温度范围烧成，而得到前述一般式所表示之氮氧化物烧成物之第1步骤；及将前述氮氧化物烧成物在惰性气体环境中1100~1600℃温度范围热处理之第2步骤。