電阻器及電阻器之製造方法
    1.
    发明专利
    電阻器及電阻器之製造方法 审中-公开
    电阻器及电阻器之制造方法

    公开(公告)号:TW201703063A

    公开(公告)日:2017-01-16

    申请号:TW105102712

    申请日:2016-01-28

    摘要: 該電阻器係具備有:包含形成在陶瓷基板的其中一面的電阻體及金屬電極的晶片電阻體;與前述金屬電極作電性連接的金屬端子;及形成在前述陶瓷基板的另一面側的Al構件,前述陶瓷基板與前述Al構件藉由Al-Si系的硬焊材而相接合,前述金屬電極與前述金屬端子藉由軟焊材而相接合,前述Al構件係與前述陶瓷基板側之面相對向的對向面的彎曲程度為-30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的範圍。

    简体摘要: 该电阻器系具备有:包含形成在陶瓷基板的其中一面的电阻体及金属电极的芯片电阻体;与前述金属电极作电性连接的金属端子;及形成在前述陶瓷基板的另一面侧的Al构件,前述陶瓷基板与前述Al构件借由Al-Si系的硬焊材而相接合,前述金属电极与前述金属端子借由软焊材而相接合,前述Al构件系与前述陶瓷基板侧之面相对向的对向面的弯曲程度为-30μm/50mm以上、700μm/50mm以下的范围。

    電極電子元件及其製備方法
    2.
    发明专利
    電極電子元件及其製備方法 审中-公开
    电极电子组件及其制备方法

    公开(公告)号:TW201612924A

    公开(公告)日:2016-04-01

    申请号:TW103144871

    申请日:2014-12-22

    发明人: 黃任亨

    IPC分类号: H01C7/10 H01C17/28

    摘要: 本發明是一種電極電子元件及其製備方法,該電極電子元件包括一陶瓷基體、形成於該陶瓷基體表面的電極層、與電極層電性連接的引腳及包覆整個陶瓷基體與電極層的一絕緣層,其中,該電極層是由兩種或兩種以上的賤金屬或合金噴塗形成,金屬材料的濃度在電極層中呈現梯度分佈;藉此,本發明可有效降低了成本,避免使用傳統絲網印刷銀電極所用之有機溶劑揮發和熱分解而造成環境污染,減少不同金屬間直接接合的問題,降低大電流下電極層剝離風險,縮短了電極層製作流程,並維持電極層與陶瓷基體之間的結合性及電極層與金屬引腳之間的可焊性。

    简体摘要: 本发明是一种电极电子组件及其制备方法,该电极电子组件包括一陶瓷基体、形成于该陶瓷基体表面的电极层、与电极层电性连接的引脚及包覆整个陶瓷基体与电极层的一绝缘层,其中,该电极层是由两种或两种以上的贱金属或合金喷涂形成,金属材料的浓度在电极层中呈现梯度分布;借此,本发明可有效降低了成本,避免使用传统丝网印刷银电极所用之有机溶剂挥发和热分解而造成环境污染,减少不同金属间直接接合的问题,降低大电流下电极层剥离风险,缩短了电极层制作流程,并维持电极层与陶瓷基体之间的结合性及电极层与金属引脚之间的可焊性。

    晶片電阻器及其製造方法
    7.
    发明专利
    晶片電阻器及其製造方法 失效
    芯片电阻器及其制造方法

    公开(公告)号:TW200731297A

    公开(公告)日:2007-08-16

    申请号:TW095137603

    申请日:2006-10-12

    IPC分类号: H01C

    摘要: 本發明之晶片電阻器(1),係具備有:俯視為長方形之絕緣基板(2);和與絕緣基板(2)之上面的長邊側面相鄰接,而以沿著此長邊側面帶狀延伸的形態所形成的一對之上面電極(3,4);和被形成於絕緣基板(2)之上面,與各上面電極(3,4)相互電性連接的電阻膜(5);和被形成於絕緣基板之兩長邊側面,與各上面電極相互電性連接的一對之端子電極(6,7)。此電阻膜(5)之長度方向的其中一端,係被連接於其中一方之上面電極(3),電阻膜之長度方向的另外一端,係被連接於另外一方的上面電極(4),電阻膜(5)與其中一方之上面電極(3)的連接部分,和電阻膜(5)與另外一方之上面電極(4)的連接部分,係沿著絕緣基板(2)之上面的長度方向,相互隔開有適當的距離。

    简体摘要: 本发明之芯片电阻器(1),系具备有:俯视为长方形之绝缘基板(2);和与绝缘基板(2)之上面的长边侧面相邻接,而以沿着此长边侧面带状延伸的形态所形成的一对之上面电极(3,4);和被形成于绝缘基板(2)之上面,与各上面电极(3,4)相互电性连接的电阻膜(5);和被形成于绝缘基板之两长边侧面,与各上面电极相互电性连接的一对之端子电极(6,7)。此电阻膜(5)之长度方向的其中一端,系被连接于其中一方之上面电极(3),电阻膜之长度方向的另外一端,系被连接于另外一方的上面电极(4),电阻膜(5)与其中一方之上面电极(3)的连接部分,和电阻膜(5)与另外一方之上面电极(4)的连接部分,系沿着绝缘基板(2)之上面的长度方向,相互隔开有适当的距离。

    電阻器及其製造方法
    8.
    发明专利
    電阻器及其製造方法 失效
    电阻器及其制造方法

    公开(公告)号:TW517251B

    公开(公告)日:2003-01-11

    申请号:TW090121488

    申请日:2001-08-30

    IPC分类号: H01C

    摘要: 本發明可提高上面電極與端面電極之電性連接強度及第1薄膜與第2薄膜之密著力,而提供可提昇強度之電阻器。形成於基板之一主面上之上面電極係由第1上面電極層及與該第1上面電極層重疊之密著層所構成,而,設於該基板之端緣且與該對上面電極電性連接之端面電極則包含有:第1薄膜,係位於該基板之端緣側者;第2薄膜,與該第1薄膜電性連接,係由含Cu之合金薄膜所構成者;第1鍍敷膜,包覆該第2薄膜,係由鍍鎳層所構成者;及,第2鍍敷膜,係包覆該第1鍍敷膜者。

    简体摘要: 本发明可提高上面电极与端面电极之电性连接强度及第1薄膜与第2薄膜之密着力,而提供可提升强度之电阻器。形成于基板之一主面上之上面电极系由第1上面电极层及与该第1上面电极层重叠之密着层所构成,而,设于该基板之端缘且与该对上面电极电性连接之端面电极则包含有:第1薄膜,系位于该基板之端缘侧者;第2薄膜,与该第1薄膜电性连接,系由含Cu之合金薄膜所构成者;第1镀敷膜,包覆该第2薄膜,系由镀镍层所构成者;及,第2镀敷膜,系包覆该第1镀敷膜者。

    熱敏電阻晶片及其製作方法
    10.
    发明专利
    熱敏電阻晶片及其製作方法 失效
    热敏电阻芯片及其制作方法

    公开(公告)号:TW363196B

    公开(公告)日:1999-07-01

    申请号:TW086114057

    申请日:1997-09-26

    IPC分类号: H01C

    摘要: 一熱敏電阻晶片先以三層式結構之第一金屬層於熱敏電阻晶片元件兩端邊形成,然後三層式結構之第二金屬層在第一金屬層上,使其端邊直接接觸熱敏電阻元件表面,同時減少其一般溫度範圍電阻值。第一金屬層與第二金屬層各為三層式結構,其中包含抗焊接熱物質為下層,具有使焊接劑濕潤及抗焊接熱物質作為中間層,及上層金屬可使焊接劑濕潤。

    简体摘要: 一热敏电阻芯片先以三层式结构之第一金属层于热敏电阻芯片组件两端边形成,然后三层式结构之第二金属层在第一金属层上,使其端边直接接触热敏电阻组件表面,同时减少其一般温度范围电阻值。第一金属层与第二金属层各为三层式结构,其中包含抗焊接热物质为下层,具有使焊接剂湿润及抗焊接热物质作为中间层,及上层金属可使焊接剂湿润。