公开(公告)号：TWI682467B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW105137192

申请日：2016-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE-CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH-HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG-HUEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI679685B

公开(公告)日：2019-12-11

申请号：TW106121974

申请日：2017-06-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI646647B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：TW106117140

申请日：2017-05-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

公开(公告)号：TWI645460B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：TW106114064

申请日：2017-04-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  林志忠 ,  LIN, JR JUNG ,  李俊鴻 ,  LEE, CHUN HUNG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/41

公开(公告)号：TWI641101B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW105139117

申请日：2016-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L23/525 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI641048B

公开(公告)日：2018-11-11

申请号：TW105139537

申请日：2016-11-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L29/08

公开(公告)号：TW201824492A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106117140

申请日：2017-05-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 半導體裝置的製造方法(例如鰭式場效電晶體)，包含沉積第一絕緣材料於基底上方，並形成第一導電接點於第一絕緣材料中的步驟。第一導電接點具有突出的最上表面、沿著第一導電接點的中心線的第一高度和沿著第一導電接點的側壁的垂直向量投影的第二高度，第一高度大於第二高度。第二絕緣材料沉積於第一絕緣材料上方，且第二導電接點形成於第二絕緣材料中，第二導電接點設置於第一導電接點上方且至少部分地位於第一導電接點中，第二導電接點的最底表面與第一導電接點之突出的最上表面之間的距離小於約1.0nm。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备的制造方法(例如鳍式场效应管)，包含沉积第一绝缘材料于基底上方，并形成第一导电接点于第一绝缘材料中的步骤。第一导电接点具有突出的最上表面、沿着第一导电接点的中心线的第一高度和沿着第一导电接点的侧壁的垂直矢量投影的第二高度，第一高度大于第二高度。第二绝缘材料沉积于第一绝缘材料上方，且第二导电接点形成于第二绝缘材料中，第二导电接点设置于第一导电接点上方且至少部分地位于第一导电接点中，第二导电接点的最底表面与第一导电接点之突出的最上表面之间的距离小于约1.0nm。

公开(公告)号：TW201824489A

公开(公告)日：2018-07-01

申请号：TW106117139

申请日：2017-05-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

Abstract: 一種半導體裝置(例如，鰭式場效電晶體)之製造方法包括形成具有第一橫向寬度的一閘極結構以及形成一第一介層開口於閘極結構上方的步驟。第一介層開口具有一最底部露出閘極結構的最上表面。第一介層開口的最底部具有第二橫向寬度。第二橫向寬度與第一橫向寬度的比率小於1.1。一源極/汲極(S/D)區橫向相鄰於閘極結構。一接觸特徵部件設置於源極/汲極(S/D)區上方。一第二介層開口延伸至接觸特徵部件的最上表面且露出上述表面。第二介層開口的最底部設置於閘極結構的最上部的上方。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备(例如，鳍式场效应管)之制造方法包括形成具有第一横向宽度的一闸极结构以及形成一第一介层开口于闸极结构上方的步骤。第一介层开口具有一最底部露出闸极结构的最上表面。第一介层开口的最底部具有第二横向宽度。第二横向宽度与第一横向宽度的比率小于1.1。一源极/汲极(S/D)区横向相邻于闸极结构。一接触特征部件设置于源极/汲极(S/D)区上方。一第二介层开口延伸至接触特征部件的最上表面且露出上述表面。第二介层开口的最底部设置于闸极结构的最上部的上方。

公开(公告)号：TWI626715B

公开(公告)日：2018-06-11

申请号：TW105138907

申请日：2016-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/8238 ,  H01L23/535 ,  H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201818504A

公开(公告)日：2018-05-16

申请号：TW106122685

申请日：2017-07-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  鄭凱予 ,  CHENG, KAI YU ,  林志翰 ,  LIN, CHIH HAN ,  楊心怡 ,  YANG, SIN YI ,  曾鴻輝 ,  TSENG, HORNG HUEI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 提供半導體裝置及其製造方法。在實施例中，形成第一接觸物至源極/汲極區，且在第一接觸物上形成介電層。形成開口以暴露出第一接觸物，且將介電材料內襯於開口。形成第二接觸物穿過介電材料與第一接觸物電性接觸。

Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备及其制造方法。在实施例中，形成第一接触物至源极/汲极区，且在第一接触物上形成介电层。形成开口以暴露出第一接触物，且将介电材料内衬于开口。形成第二接触物穿过介电材料与第一接触物电性接触。