公开(公告)号：TW201438228A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW103104718

申请日：2014-02-13

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 本發明的一個方式提供一種具有高場效移動率的電晶體等或者提供一種電特性穩定的電晶體等。本發明的一個方式包括其一部分重疊設置的第一氧化物半導體層、第二氧化物半導體層、閘極絕緣膜以及閘極電極，其中，第二氧化物半導體層位於第一氧化物半導體層和閘極絕緣膜之間，閘極絕緣膜位於第二氧化物半導體層和閘極電極之間，並且，第一氧化物半導體層的氧缺損量少於第二氧化物半導體層的氧缺損量。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的一个方式提供一种具有高场效移动率的晶体管等或者提供一种电特性稳定的晶体管等。本发明的一个方式包括其一部分重叠设置的第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、闸极绝缘膜以及闸极电极，其中，第二氧化物半导体层位于第一氧化物半导体层和闸极绝缘膜之间，闸极绝缘膜位于第二氧化物半导体层和闸极电极之间，并且，第一氧化物半导体层的氧缺损量少于第二氧化物半导体层的氧缺损量。

公开(公告)号：TW201419549A

公开(公告)日：2014-05-16

申请号：TW102121736

申请日：2013-06-19

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  肥 純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/441 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 在依次層疊有氧化物半導體膜、閘極絕緣膜、閘極電極層及氮化矽膜的在氧化物半導體膜中包括通道形成區的頂閘極結構的電晶體中，藉由在氧化物半導體膜上包括接觸於氧化物半導體膜的氮化矽膜，對氧化物半導體膜的部分區域添加氮，而該區域成為低電阻區。源極電極層及汲極電極層接觸於氧化物半導體膜的低電阻區。氧化物半導體膜的不接觸於氮化矽膜的區域(換言之，重疊於閘極絕緣膜及閘極電極層的區域)成為通道形成區。

Abstract in simplified Chinese: 在依次层叠有氧化物半导体膜、闸极绝缘膜、闸极电极层及氮化硅膜的在氧化物半导体膜中包括信道形成区的顶闸极结构的晶体管中，借由在氧化物半导体膜上包括接触于氧化物半导体膜的氮化硅膜，对氧化物半导体膜的部分区域添加氮，而该区域成为低电阻区。源极电极层及汲极电极层接触于氧化物半导体膜的低电阻区。氧化物半导体膜的不接触于氮化硅膜的区域(换言之，重叠于闸极绝缘膜及闸极电极层的区域)成为信道形成区。

公开(公告)号：TWI431142B

公开(公告)日：2014-03-21

申请号：TW102114229

申请日：2012-06-07

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI ,  佐藤瞳 ,  SATO, HITOMI ,  渡邊正寬 ,  WATANABE, MASAHIRO ,  增山光男 ,  MASHIYAMA, MITSUO ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  中島基 ,  NAKASHIMA, MOTOKI ,  島津貴志 ,  SHIMAZU, TAKASHI

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/08 ,  B28B11/243 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TW201409142A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102125751

申请日：2013-07-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 横山雅俊 ,  YOKOYAMA, MASATOSHI ,  小森茂樹 ,  KOMORI, SHIGEKI ,  佐藤学 ,  SATO, MANABU ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/32

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2202/02 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

Abstract: 本發明的目的之一在於抑制因從有機絕緣膜釋放的氣體造成的電晶體特性的變動，由此提高顯示裝置的可靠性。本發明的一個方式的顯示裝置包括：電晶體；為了減少因該電晶體導致的凹凸而設置於電晶體上的有機絕緣膜；以及有機絕緣膜上的電容元件。其中，電容元件的構成要素(透明導電層及無機絕緣膜)不覆蓋整個有機絕緣膜的表面，從有機絕緣膜釋放出的氣體能夠從露出的有機絕緣膜的上表面的一部分釋放到外部。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的目的之一在于抑制因从有机绝缘膜释放的气体造成的晶体管特性的变动，由此提高显示设备的可靠性。本发明的一个方式的显示设备包括：晶体管；为了减少因该晶体管导致的凹凸而设置于晶体管上的有机绝缘膜；以及有机绝缘膜上的电容组件。其中，电容组件的构成要素(透明导电层及无机绝缘膜)不覆盖整个有机绝缘膜的表面，从有机绝缘膜释放出的气体能够从露出的有机绝缘膜的上表面的一部分释放到外部。

公开(公告)号：TW201405665A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW102109868

申请日：2013-03-20

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  橫山周平 ,  YOKOYAMA, SHUHEI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/385 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括具有氧化物半導體膜的電晶體及形成在該電晶體上的保護膜的半導體裝置中，在以下條件之下形成包含比滿足化學計量組成多的氧的氧化絕緣膜作為上述保護膜：將安裝在進行了真空排氣的處理室內的基板的溫度保持為180℃以上且260℃以下；將來源氣體導入處理室，使處理室內的壓力設定為100Pa以上且250Pa以下；並且將0.17W/cm2以上且0.5W/cm2以下的高頻功率供應到設置在處理室內的電極。

Abstract in simplified Chinese: 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及形成在该晶体管上的保护膜的半导体设备中，在以下条件之下形成包含比满足化学计量组成多的氧的氧化绝缘膜作为上述保护膜：将安装在进行了真空排气的处理室内的基板的温度保持为180℃以上且260℃以下；将来源气体导入处理室，使处理室内的压力设置为100Pa以上且250Pa以下；并且将0.17W/cm2以上且0.5W/cm2以下的高频功率供应到设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：TW201333242A

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：TW102114229

申请日：2012-06-07

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  丸山哲紀 ,  MARUYAMA, TETSUNORI ,  井本裕己 ,  IMOTO, YUKI ,  佐藤瞳 ,  SATO, HITOMI ,  渡邊正寬 ,  WATANABE, MASAHIRO ,  增山光男 ,  MASHIYAMA, MITSUO ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  中島基 ,  NAKASHIMA, MOTOKI ,  島津貴志 ,  SHIMAZU, TAKASHI

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC classification number: C23C14/08 ,  B28B11/243 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 與使用非晶矽的電晶體相比，有時使用氧化物半導體的電晶體的可靠性較差。於是，本發明的目的是製造一種具有可靠性高的使用氧化物半導體的電晶體的半導體裝置。一種利用濺射法使用濺射靶材形成的氧化物半導體膜，所述濺射靶材由以能夠獲得結晶結構的成分比混合原料而製造的具有c軸平行於上表面的法向量的結晶區域的氧化物半導體構成。

Abstract in simplified Chinese: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体设备。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材由以能够获得结晶结构的成分比混合原料而制造的具有c轴平行于上表面的法矢量的结晶区域的氧化物半导体构成。

公开(公告)号：TWI639235B

公开(公告)日：2018-10-21

申请号：TW103115529

申请日：2014-04-30

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  三宅博之 ,  MIYAKE, HIROYUKI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  早川昌彥 ,  HAYAKAWA, MASAHIKO ,  松田慎平 ,  MATSUDA, SHINPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

公开(公告)号：TW201836156A

公开(公告)日：2018-10-01

申请号：TW106116337

申请日：2017-05-17

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  黑崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  中澤安孝 ,  NAKAZAWA, YASUTAKA ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 本發明提供一種新穎的半導體裝置的製造方法。另外，本發明提供一種以較低的溫度製造可靠性高的半導體裝置的方法。本發明包括：在成膜室中形成第一氧化物半導體膜的第一製程；以及在成膜室中在第一氧化物半導體膜上形成第二氧化物半導體膜的第二製程，其中，成膜室中的氛圍的水蒸氣分壓比大氣中的水蒸氣分壓低，第一氧化物半導體膜及第二氧化物半導體膜都以具有結晶性的方式形成，並且，第二氧化物半導體膜的結晶性比第一氧化物半導體膜高。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种新颖的半导体设备的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体设备的方法。本发明包括：在成膜室中形成第一氧化物半导体膜的第一制程；以及在成膜室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二制程，其中，成膜室中的氛围的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低，第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成，并且，第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高。

公开(公告)号：TWI624949B

公开(公告)日：2018-05-21

申请号：TW106103708

申请日：2013-11-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

公开(公告)号：TWI613817B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW102136023

申请日：2013-10-04

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI ,  增山光男 ,  MASHIYAMA, MITSUO ,  半田拓哉 ,  HANDA, TAKUYA ,  渡邊正寬 ,  WATANABE, MASAHIRO ,  徳永肇 ,  TOKUNAGA, HAJIME

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1248 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/70 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/50