公开(公告)号：TWI602247B

公开(公告)日：2017-10-11

申请号：TW103135826

申请日：2014-10-16

申请人： ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

发明人： 波爾 維爾傑米 ,  PORE, VILJAMI

IPC分类号： H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/30 ,  C23C16/32 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111

公开(公告)号：TWI593115B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW105104931

申请日：2011-11-02

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/28 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：TWI588200B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW105100440

申请日：2016-01-07

申请人： 羅門哈斯電子材料有限公司 ,  ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC ,  加州大學董事會 ,  THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA

发明人： 胡斯塔德 飛利浦 D ,  HUSTAD, PHILLIP D. ,  特萊弗納斯 彼得 III ,  TREFONAS, PETER, III ,  金茲伯格 瓦烈里 V ,  GINZBURG, VALERIY V. ,  金奉槿 ,  KIM, BONGKEUN ,  弗雷德里克森 格倫 H ,  FREDRICKSON, GLENN H.

IPC分类号： C08L53/00 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  C08F212/08 ,  C08F220/12 ,  C08F220/14 ,  C08F297/00

CPC分类号： G03F7/165 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F293/005 ,  C08F299/00 ,  C08F2438/01 ,  C08L53/00 ,  C09D5/00 ,  C09D153/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2059 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3065 ,  C08L51/06

公开(公告)号：TW201709341A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW104138005

申请日：2015-11-18

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

发明人： 李昆穆 ,  LI, KUN MU ,  游明華 ,  YU, MING HUA ,  郭紫微 ,  KWOK, TSZ MEI ,  楊 建倫 ,  YANG, CHAN-LON

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

摘要： 一種鰭式場效應電晶體FinFET裝置包含沿第一方向延伸且從安置在基板上的隔離絕緣層突出的鰭片結構。所述鰭片結構包含阱層、安置在所述阱層上方的氧化物層及安置在所述氧化物層上方的通道層。所述FinFET裝置包含覆蓋所述鰭片結構的一部分且沿垂直於所述第一方向的第二方向延伸的柵極結構。所述FinFET裝置包含源極及漏極。所述源極及漏極中的每一者包含安置在形成於所述鰭片結構中的凹陷部分中的應力源層。所述應力源層在所述凹陷部分上方延伸且施加應力到所述柵極結構下方的所述鰭片結構的通道層。所述FinFET裝置包含與所述氧化物層及所述凹陷部分中的所述應力源層接觸形成的電介質層。

简体摘要： 一种鳍式场效应晶体管FinFET设备包含沿第一方向延伸且从安置在基板上的隔离绝缘层突出的鳍片结构。所述鳍片结构包含阱层、安置在所述阱层上方的氧化物层及安置在所述氧化物层上方的信道层。所述FinFET设备包含覆盖所述鳍片结构的一部分且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸的栅极结构。所述FinFET设备包含源极及漏极。所述源极及漏极中的每一者包含安置在形成于所述鳍片结构中的凹陷部分中的应力源层。所述应力源层在所述凹陷部分上方延伸且施加应力到所述栅极结构下方的所述鳍片结构的信道层。所述FinFET设备包含与所述氧化物层及所述凹陷部分中的所述应力源层接触形成的电介质层。

公开(公告)号：TWI536454B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW102115227

申请日：2013-04-29

申请人： 國立研究開發法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

发明人： 鳥海明 ,  TORIUMI, AKIRA ,  李忠賢 ,  LEE, CHOONG-HYUN

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28255 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201620143A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW105104931

申请日：2011-11-02

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 遠藤佑太 ,  ENDO, YUTA ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  野田耕生 ,  NODA, KOSEI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66969 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/28 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869

摘要： 一種半導體裝置，使用將氧化物半導體包括在通道區域中且較不可能由於短通道效應而在電特徵中導致變異的電晶體製造。該半導體裝置包括氧化物半導體膜，具有包括氮的一對氮氧化物半導體區域及夾於該對氮氧化物半導體區域之間的氧化物半導體區域、閘極絕緣膜、以及閘極電極，以該閘極絕緣膜置於其間的方式設置在該氧化物半導體區域上方。在本文中，該對氮氧化物半導體區域係作為該電晶體的源極區域及汲極區域使用，且該氧化物半導體區域係作為該電晶體的通道區域使用。

简体摘要： 一种半导体设备，使用将氧化物半导体包括在信道区域中且较不可能由于短信道效应而在电特征中导致变异的晶体管制造。该半导体设备包括氧化物半导体膜，具有包括氮的一对氮氧化物半导体区域及夹于该对氮氧化物半导体区域之间的氧化物半导体区域、闸极绝缘膜、以及闸极电极，以该闸极绝缘膜置于其间的方式设置在该氧化物半导体区域上方。在本文中，该对氮氧化物半导体区域系作为该晶体管的源极区域及汲极区域使用，且该氧化物半导体区域系作为该晶体管的信道区域使用。

公开(公告)号：TWI521602B

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：TW102107750

申请日：2013-03-06

申请人： 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 伊東浩二 ,  ITO, KOJI ,  小笠原淳 ,  OGASAWARA, ATSUSHI ,  伊藤一彦 ,  ITO, KAZUHIKO ,  六鎗広野 ,  MUYARI, KOYA

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/091 ,  C03C3/093 ,  C03C8/02 ,  C03C2204/00 ,  C03C2205/00 ,  C03C2207/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76232 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201443108A

公开(公告)日：2014-11-16

申请号：TW102148894

申请日：2013-12-27

申请人： 馬克專利公司 ,  MERCK PATENT GMBH

发明人： 寇勒 印格 ,  KOEHLER, INGO ,  多爾 奧利佛 ,  DOLL, OLIVER ,  巴斯 賽巴絲汀 ,  BARTH, SEBASTIAN

IPC分类号： C08G77/00 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/186 ,  C30B29/06 ,  C30B31/00 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/3221 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本發明係關於一種用於製備可印刷的低至高黏度氧化物介質之新穎方法，及其在太陽能電池生產中之用途，及使用此等新穎介質生產之具有改良壽命的產品。

简体摘要： 本发明系关于一种用于制备可印刷的低至高黏度氧化物介质之新颖方法，及其在太阳能电池生产中之用途，及使用此等新颖介质生产之具有改良寿命的产品。

公开(公告)号：TW201409566A

公开(公告)日：2014-03-01

申请号：TW102115227

申请日：2013-04-29

申请人： 獨立行政法人科學技術振興機構 ,  JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY

发明人： 鳥海明 ,  TORIUMI, AKIRA ,  李忠賢 ,  LEE, CHOONG-HYUN

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28255 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： 一種半導體結構，具備有：鍺層；及絕緣膜，其包含形成在前述鍺層上之含有氧化鍺的膜，及形成在前述含氧化鍺之膜上，且比介電率較氧化矽大之高介電體氧化膜；又，前述絕緣膜之EOT係2nm以下，且其由平帶電壓施加1V當於前述絕緣膜上形成Au作為金屬膜時前述金屬膜之相對於鍺層之電壓於累積區域側時，其漏電流係10-5×EOT+4A/cm2。

简体摘要： 一种半导体结构，具备有：锗层；及绝缘膜，其包含形成在前述锗层上之含有氧化锗的膜，及形成在前述含氧化锗之膜上，且比介电率较氧化硅大之高介电体氧化膜；又，前述绝缘膜之EOT系2nm以下，且其由平带电压施加1V当于前述绝缘膜上形成Au作为金属膜时前述金属膜之相对于锗层之电压于累积区域侧时，其漏电流系10-5×EOT+4A/cm2。

公开(公告)号：TW201331147A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW102103596

申请日：2013-01-30

申请人： 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 六鎗廣野 ,  MUYARI, KOYA ,  伊東浩二 ,  ITO, KOJI ,  小笠原淳 ,  OGASAWARA, ATSUSHI ,  伊藤一彦 ,  ITO, KAZUHIKO

IPC分类号： C03C3/093 ,  H01L29/8605

CPC分类号： H01L23/564 ,  C03C3/04 ,  C03C3/066 ,  C03C3/093 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/06181

摘要： 一種半導體接合保護用玻璃複合物，其特徵在於，至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少兩種鹼土金屬的氧化物，且實質上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。本發明的半導體接合保護用玻璃複合物，使用不含鉛的玻璃材料，可以製造出與以往使用以矽酸鉛為主要成分的玻璃材料同樣的高耐壓半導體裝置。另外，因為至少含有CaO、MgO、以及BaO中至少兩種鹼土金屬的氧化物，因此具有在50℃~550℃下的平均線膨脹係數接近矽的線膨脹係數的值，可以製造可信度高的半導體裝置。

简体摘要： 一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于，至少含有SiO2、B2O3、Al2O3、ZnO，CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，使用不含铅的玻璃材料，可以制造出与以往使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料同样的高耐压半导体设备。另外，因为至少含有CaO、MgO、以及BaO中至少两种碱土金属的氧化物，因此具有在50℃~550℃下的平均线膨胀系数接近硅的线膨胀系数的值，可以制造可信度高的半导体设备。