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公开(公告)号：TWI573013B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW102102361
申请日：2013-01-22
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC: G06F1/26 , G06F1/32 , H01L21/336
CPC classification number: G06F1/26 , G06F1/3287 , Y02D10/171
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公开(公告)号：TW201707366A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105135123
申请日：2011-06-10
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 高橋圭 , TAKAHASHI, KEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN , 石井將人 , ISHII, MASATO
CPC classification number: H02M3/156 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H02M3/155 , Y02B70/1483
Abstract: 設置有具有改良的電力轉換效能之DC-DC(直流電-直流電)轉換器。併入在該DC-DC轉換器及作用以控制輸出功率的切換元件之電晶體在其通道形成區中包括具有與矽相比之寬能帶隙和足夠小關閉電流的半導體材料。除了一般閘極電極之外，該電晶體另包含背閘極電極，及用以根據來自該DC-DC轉換器的該輸出功率予以控制施加到該背閘極電極的電位之背閘極控制電路。藉由該背閘極控制電路控制施加到該背閘極電極之該電位使該臨界電壓能夠當該輸出功率高時降低該開通狀態電阻，及當該輸出功率低時增加該關閉狀態電流。
Abstract in simplified Chinese: 设置有具有改良的电力转换性能之DC-DC(直流电-直流电)转换器。并入在该DC-DC转换器及作用以控制输出功率的切换组件之晶体管在其信道形成区中包括具有与硅相比之宽能带隙和足够小关闭电流的半导体材料。除了一般闸极电极之外，该晶体管另包含背闸极电极，及用以根据来自该DC-DC转换器的该输出功率予以控制施加到该背闸极电极的电位之背闸极控制电路。借由该背闸极控制电路控制施加到该背闸极电极之该电位使该临界电压能够当该输出功率高时降低该开通状态电阻，及当该输出功率低时增加该关闭状态电流。
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公开(公告)号：TW201706980A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105136661
申请日：2010-12-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 三宅博之 , MIYAKE, HIROYUKI
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3618 , G02F1/1345 , G06F3/0416 , G06F3/0421 , G06F3/044 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/04 , G09G2310/061 , G09G2310/08 , G09G2320/0209 , G09G2320/0219 , G09G2320/10 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2340/0435 , G09G2340/16 , G09G2354/00
Abstract: 液晶顯示裝置包括具備一端子部、一切換電晶體、一驅動電路部、及包含一像素電晶體及複數像素的一像素電路部的一第一基板、具備通過切換電晶體電性連接至端子部的一共用電極之一第二基板、及在一像素電極與共用電極之間的液晶。在將一靜態影像切換至一動態影像的期間中，依序執行下列步驟：一第一步驟，將共同電位供應至共用電極；一第二步驟，將一電源供應電壓供應至驅動電路部；一第三步驟，將一時脈信號供應至驅動電路部；及一第四步驟，將一起始脈衝信號供應至驅動電路部。
Abstract in simplified Chinese: 液晶显示设备包括具备一端子部、一切换晶体管、一驱动电路部、及包含一像素晶体管及复数像素的一像素电路部的一第一基板、具备通过切换晶体管电性连接至端子部的一共享电极之一第二基板、及在一像素电极与共享电极之间的液晶。在将一静态影像切换至一动态影像的期间中，依序运行下列步骤：一第一步骤，将共同电位供应至共享电极；一第二步骤，将一电源供应电压供应至驱动电路部；一第三步骤，将一时脉信号供应至驱动电路部；及一第四步骤，将一起始脉冲信号供应至驱动电路部。
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公开(公告)号：TWI570690B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104135835
申请日：2010-09-15
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 梅崎敦司 , UMEZAKI, ATSUSHI
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G2310/0251 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2330/021 , G11C19/00 , H01L27/0207 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/7869 , H03K17/687 , H03K19/0013 , H03K19/018557 , H03K19/018571
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公开(公告)号：TWI570679B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW100126600
申请日：2011-07-27
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
CPC classification number: H04N13/324 , G09G3/003 , G09G3/3688 , G09G2310/0235 , G09G2310/0286 , G09G2310/063 , G09G2320/0209 , H04N13/341
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201703037A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105131689
申请日：2012-01-13
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: G11C11/401 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: G11C11/404 , G11C11/4085 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1085 , H01L27/10873 , H01L27/10891 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L28/60
Abstract: 提供一種能夠實現高速工作的儲存裝置或能夠減少刷新工作的頻率的儲存裝置。在單元陣列的內部，從驅動電路將電位供應到與儲存單元連接的佈線。再者，在驅動電路上設置有單元陣列，並且單元陣列所具有的多個各儲存單元具有切換元件及由所述切換元件控制電荷的供應、保持、放出的電容元件。並且，用作上述切換元件的電晶體在通道形成區中包含其能隙比矽的能隙寬且其本質載子密度比矽的本質載子密度低的半導體。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种能够实现高速工作的存储设备或能够减少刷新工作的频率的存储设备。在单元数组的内部，从驱动电路将电位供应到与存储单元连接的布线。再者，在驱动电路上设置有单元数组，并且单元数组所具有的多个各存储单元具有切换组件及由所述切换组件控制电荷的供应、保持、放出的电容组件。并且，用作上述切换组件的晶体管在信道形成区中包含其能隙比硅的能隙宽且其本质载子密度比硅的本质载子密度低的半导体。
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公开(公告)号：TW201701364A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105128945
申请日：2011-09-08
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , G02F1/1368 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2201/123 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 省略形成島形半導體層之光刻及蝕刻步驟，並以四光刻步驟製造液晶顯示裝置：形成閘極電極之步驟(包括使用與該閘極電極相同層形成之佈線)、形成源極及汲極電極之步驟(包括使用與該源極及該汲極電極相同層形成之佈線)、形成接觸孔之步驟(包括移除非該接觸孔之區域中絕緣層等)、及形成像素電極之步驟(包括使用與該像素電極相同層形成之佈線)。藉由減少光刻步驟數量，可以低成本及高生產力配置液晶顯示裝置。藉由改進佈線之形狀及電位，避免寄生通道形成。
Abstract in simplified Chinese: 省略形成岛形半导体层之光刻及蚀刻步骤，并以四光刻步骤制造液晶显示设备：形成闸极电极之步骤(包括使用与该闸极电极相同层形成之布线)、形成源极及汲极电极之步骤(包括使用与该源极及该汲极电极相同层形成之布线)、形成接触孔之步骤(包括移除非该接触孔之区域中绝缘层等)、及形成像素电极之步骤(包括使用与该像素电极相同层形成之布线)。借由减少光刻步骤数量，可以低成本及高生产力配置液晶显示设备。借由改进布线之形状及电位，避免寄生信道形成。
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公开(公告)号：TWI562330B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW099136691
申请日：2010-10-27
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/102 , H01L27/1203 , H01L27/1214 , H01L27/14612 , H01L27/14616 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L29/78693 , H01L31/095 , H04N5/37457
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公开(公告)号：TWI562155B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW101112258
申请日：2012-04-06
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小林英智 , KOBAYASHI, HIDETOMO , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI , 鹽野入豐 , SHIONOIRI, YUTAKA , 傳保洋樹 , DEMBO, HIROKI , 西島辰司 , NISHIJIMA, TATSUJI , 大島和晃 , OHSHIMA, KAZUAKI , 米田誠一 , YONEDA, SEIICHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC: G11C16/20
CPC classification number: H03K19/17796 , G11C16/0433 , H01L27/11803 , H01L27/1203
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公开(公告)号：TWI562110B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW100129060
申请日：2011-08-15
Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Inventor： 小山潤 , KOYAMA, JUN
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G2320/106 , G09G2330/021
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